【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及顯示，具體涉及一種陣列基板和顯示面板。
技術(shù)介紹
1、mini?led(mini?light?emitting?diode，次毫米發(fā)光二極管)顯示面板和microled(micro?light?emitting?diode，微型發(fā)光二極管)顯示面板在近年進(jìn)入加速發(fā)展階段，可以使用在中小型、高附加價值的顯示應(yīng)用領(lǐng)域。相較于oled(organic?light?emittingdiode，有機發(fā)光二極管)顯示面板，mini?led顯示面板和micro?led顯示面板在成本、對比度、高亮度以及輕薄外形上表現(xiàn)出更優(yōu)越的性能。
2、但在實際產(chǎn)品中，覆蓋于半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層的膜層致密性較差，且柵極絕緣層的膜層表面的缺陷較多，導(dǎo)致薄膜晶體管的器件穩(wěn)定性下降。
3、故，有必要提出一種新的技術(shù)方案，以解決上述技術(shù)問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請的目的在于提供一種陣列基板和顯示面板，以提高薄膜晶體管器件的穩(wěn)定性。
2、為解決上述問題，本申請的技術(shù)方案如下：
3、本申請?zhí)岢隽艘环N陣列基板，包括：
4、基底；和
5、薄膜晶體管，設(shè)于所述基底的一表面，所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、結(jié)晶化無機層以及柵極絕緣層；
6、其中，所述半導(dǎo)體層設(shè)于所述基底的一表面，所述結(jié)晶化無機層設(shè)于所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基底的一表面，所述柵極絕緣層設(shè)于所述結(jié)晶化無機層遠(yuǎn)離所述基底的一表面。
7、在本申請的一實施例中，所述半導(dǎo)體層
8、溝道部，設(shè)于所述基底的一表面；
9、過渡部，設(shè)于所述基底的一表面，并位于所述溝道部的外圍，所述過渡部的載流子濃度大于所述溝道部的載流子濃度；
10、搭接部，設(shè)于所述基底的一表面，并位于所述過渡部遠(yuǎn)離所述溝道部的一側(cè)，所述搭接部的載流子濃度大于所述過渡部的載流子濃度；
11、其中，所述過渡部連接所述溝道部和所述搭接部，所述結(jié)晶化無機層覆蓋所述溝道部遠(yuǎn)離所述基底的一表面和所述過渡部遠(yuǎn)離所述基底的一表面。
12、在本申請的一實施例中，所述過渡部包括：
13、第一子部，位于所述溝道部的外圍；
14、第二子部，位于所述第一子部遠(yuǎn)離所述溝道部的一側(cè)，所述第二子部的載流子濃度大于所述第一子部的載流子濃度，且所述第二子部的載流子濃度小于所述搭接部的載流子濃度；
15、其中，所述第一子部連接所述溝道部和所述第二子部，所述第二子部連接所述第一子部和所述搭接部；
16、所述柵極絕緣層在所述基底上的正投影與所述第一子部重疊；
17、所述第二子部的邊緣在所述基底上的正投影位于所述柵極絕緣層的邊緣在所述基底上的正投影的外周側(cè)。
18、在本申請的一實施例中，所述過渡部的遠(yuǎn)離所述溝道部的一側(cè)到所述過渡部靠近所述溝道部的一側(cè)的距離處于1微米至1.5微米的范圍內(nèi)；
19、所述第一子部遠(yuǎn)離所述溝道部的一側(cè)到所述第一子部靠近所述溝道部的一側(cè)的距離處于0.5微米至1微米的范圍內(nèi)。
20、在本申請的一實施例中，所述第二子部遠(yuǎn)離所述溝道部的一側(cè)到所述第二子部靠近所述溝道部的一側(cè)的距離處于0.5微米至1微米的范圍內(nèi)。
21、在本申請的一實施例中，所述第二子部遠(yuǎn)離所述溝道部的一側(cè)到所述第二子部靠近所述溝道部的一側(cè)的距離大于所述第一子部遠(yuǎn)離所述溝道部的一側(cè)到所述第一子部靠近所述溝道部的一側(cè)的距離。
22、在本申請的一實施例中，所述結(jié)晶化無機層的厚度小于所述半導(dǎo)體層的厚度；
23、所述結(jié)晶化無機層的厚度小于所述柵極絕緣層的厚度。
24、在本申請的一實施例中，所述結(jié)晶化無機層的厚度處于5納米至10納米的范圍內(nèi)。
25、在本申請的一實施例中，所述薄膜晶體管還包括：
26、柵極，設(shè)于所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述基底的一表面；
27、層間介質(zhì)層，設(shè)于所述基底的一表面，并覆蓋所述半導(dǎo)體層、所述結(jié)晶化無機層、所述柵極絕緣層以及所述柵極；
28、源極，設(shè)于所述層間介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述基底的一表面，并與所述半導(dǎo)體層電連接；以及
29、漏極，設(shè)于所述層間介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述基底的一表面，并與所述半導(dǎo)體層電連接；
30、所述陣列基板還包括鈍化層和像素電極，其中，所述鈍化層設(shè)于所述層間介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述基底的一表面，并覆蓋所述源極和所述漏極；和
31、像素電極，設(shè)于所述鈍化層遠(yuǎn)離所述基底的一表面，并與所述漏極電連接；
32、所述基底包括：
33、襯底；
34、遮光層，設(shè)于所述襯底的一表面；以及
35、緩沖層，設(shè)于所述襯底的一表面，并覆蓋所述遮光層；
36、其中，所述薄膜晶體管設(shè)于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底的一表面，所述遮光層與所述源極電連接。
37、本申請?zhí)岢隽艘环N顯示面板，包括陣列基板，所述陣列基板包括基底和薄膜晶體管，薄膜晶體管設(shè)于所述基底的一表面，所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、結(jié)晶化無機層以及柵極絕緣層；所述半導(dǎo)體層設(shè)于所述基底的一表面，所述結(jié)晶化無機層設(shè)于所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基底的一表面，所述柵極絕緣層設(shè)于所述結(jié)晶化無機層遠(yuǎn)離所述基底的一表面。
38、在本申請中，在半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離基底的一表面設(shè)置有結(jié)晶化無機層。相較于傳統(tǒng)的柵極絕緣層，結(jié)晶化無機層的膜層表面的致密性更好，且膜層表面的缺陷較少。結(jié)晶化無機層的設(shè)置可以更好地保護(hù)薄膜晶體管的前溝道，從而提高薄膜晶體管器件的柵控性能和穩(wěn)定性。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括：
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述過渡部包括：
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述過渡部的遠(yuǎn)離所述溝道部的一側(cè)到所述過渡部靠近所述溝道部的一側(cè)的距離處于1微米至1.5微米的范圍內(nèi)；
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二子部遠(yuǎn)離所述溝道部的一側(cè)到所述第二子部靠近所述溝道部的一側(cè)的距離處于0.5微米至1微米的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二子部遠(yuǎn)離所述溝道部的一側(cè)到所述第二子部靠近所述溝道部的一側(cè)的距離大于所述第一子部遠(yuǎn)離所述溝道部的一側(cè)到所述第一子部靠近所述溝道部的一側(cè)的距離。
7.如權(quán)利要求1-6任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述結(jié)晶化無機層的厚度小于所述半導(dǎo)體層的厚度；
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述結(jié)晶化無機層的厚度處于5納米至10納米的范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求1-6任意一項所述的陣列
10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9中任一項所述的陣列基板。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括：
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述過渡部包括：
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述過渡部的遠(yuǎn)離所述溝道部的一側(cè)到所述過渡部靠近所述溝道部的一側(cè)的距離處于1微米至1.5微米的范圍內(nèi)；
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二子部遠(yuǎn)離所述溝道部的一側(cè)到所述第二子部靠近所述溝道部的一側(cè)的距離處于0.5微米至1微米的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：羅傳寶，
申請(專利權(quán))人：深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司，
類型：新型
國別省市：
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