本技術(shù)提供一種噴淋盤和CVD設(shè)備，該噴淋盤包括主體，所述主體內(nèi)設(shè)置有腔體，所述主體上可拆卸地連接有至少一個(gè)噴淋頭，噴淋頭內(nèi)設(shè)置有噴淋孔，噴淋孔與腔體連通；該CVD設(shè)備包括一反應(yīng)腔室和噴淋盤，噴淋盤設(shè)置在反應(yīng)腔室內(nèi)；當(dāng)噴淋盤中的某一或某些噴噴造成晶圓表面膜厚的均勻性差或雜質(zhì)顆粒數(shù)偏高時(shí)可單獨(dú)更換對(duì)應(yīng)噴淋頭，具有節(jié)約成本、省時(shí)省力的優(yōu)點(diǎn)。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域，具體是涉及一種噴淋盤和cvd設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、cvd即化學(xué)氣相沉積，是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。cvd設(shè)備具有一反應(yīng)腔室，反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有噴淋盤。
2、如圖1所示，現(xiàn)有的噴淋盤10一般設(shè)為圓盤狀，噴淋盤10上開設(shè)有眾多噴淋孔101。沉積制程中氣體從各個(gè)噴淋孔101噴出到達(dá)晶圓方上并發(fā)生化學(xué)氣相沉積反應(yīng)，以在晶圓表面生成薄膜。由于噴淋孔101與噴淋盤10為一體成型，當(dāng)噴淋盤10的某一或某些噴淋孔101造成晶圓表面膜厚的均勻性差或雜質(zhì)顆粒數(shù)偏高時(shí)，需要整體更換整個(gè)噴淋盤10，不僅成本高，而且費(fèi)時(shí)費(fèi)財(cái)費(fèi)力。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)的第一目的是提供一種可更換噴淋頭的噴淋盤。
2、本技術(shù)的第二目的是提供一種包含上述噴淋盤的cvd設(shè)備。
3、為了實(shí)現(xiàn)上述的第一目的，本技術(shù)提供的一種噴淋盤，包括主體，主體內(nèi)設(shè)置有腔體，主體上可拆卸地連接有至少一個(gè)噴淋頭，噴淋頭內(nèi)設(shè)置有噴淋孔，噴淋孔與腔體連通。
4、由上述方案可見，通過設(shè)置噴淋頭與主體可拆卸連接，當(dāng)某一或某些噴淋頭造成晶圓表面膜厚的均勻性差或雜質(zhì)顆粒數(shù)偏高時(shí)，可單獨(dú)拆卸該噴淋頭并更換其它噴淋頭，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有成本低、省時(shí)省力的優(yōu)點(diǎn)。
5、進(jìn)一步的方案是，噴淋頭的連接端與主體螺紋連接，或者，噴淋頭的連接端與主體卡接，或者，噴淋頭的連接端與主體磁吸連接。
>6、進(jìn)一步的方案是，噴淋頭的自由端到主體之間具有預(yù)設(shè)距離。7、由上述方案可見，通過設(shè)置該預(yù)設(shè)距離，方便在安裝或拆卸噴淋頭時(shí)，工作人員可握持噴淋頭，方便操作。
8、進(jìn)一步的方案是，噴淋頭內(nèi)設(shè)置有一個(gè)或兩個(gè)以上的噴淋孔。
9、進(jìn)一步的方案是，噴淋頭的數(shù)量設(shè)為多個(gè)，多個(gè)噴淋頭均勻地分布在腔體的一側(cè)腔壁上。
10、更進(jìn)一步的方案是，多個(gè)噴淋頭包括中心噴淋頭和多個(gè)邊緣噴淋頭，中心噴淋頭設(shè)置在主體的中心處，多個(gè)邊緣噴淋頭排列設(shè)置在中心噴淋頭的周向上。
11、又進(jìn)一步的方案是，多個(gè)邊緣噴淋頭沿一圓圈排列布置，或者，多個(gè)邊緣噴淋頭沿兩個(gè)以上的圓圈排列布置，且所有圓圈同軸設(shè)置。
12、進(jìn)一步的方案是，噴淋盤還包括多個(gè)備用噴淋頭，備用噴淋頭能與主體可拆卸連接，備用噴淋頭內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)備用噴淋孔，備用噴淋孔與腔體連通，備用噴淋孔的孔徑與噴淋孔的孔徑相等，或者，備用噴淋孔的孔徑與噴淋孔的孔徑不相等。
13、由上述方案可見，通過設(shè)置備用噴淋頭，方便替換主體上壞了的噴淋頭，確保噴淋盤能均勻噴淋；通過設(shè)置不同孔徑的備用噴淋孔，方便根據(jù)生成膜厚的均勻性實(shí)際需求選擇合適規(guī)格的孔徑的備用噴淋頭。
14、進(jìn)一步的方案是，主體上開設(shè)有至少一個(gè)一體噴淋孔，一體噴淋孔與主體一體成型，一體噴淋孔與腔體連通，一體噴淋孔與噴淋頭錯(cuò)位設(shè)置。
15、由上述方案可見，通過設(shè)置一體噴淋孔與噴淋頭錯(cuò)位設(shè)置，噴淋頭設(shè)置在噴淋過程中容易出現(xiàn)問題的區(qū)域，一體噴淋孔設(shè)置在噴淋過程中不易出現(xiàn)問題的區(qū)域，既能及時(shí)更換噴淋頭，又能提高噴淋盤的噴淋均勻性。
16、為了實(shí)現(xiàn)上述的第二目的，本技術(shù)提供的一種cvd設(shè)備，包括一反應(yīng)腔室和上述的噴淋盤，噴淋盤設(shè)置在反應(yīng)腔室內(nèi)。
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【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種噴淋盤，包括主體，所述主體內(nèi)設(shè)置有腔體，其特征在于：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋盤，其特征在于：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴淋盤，其特征在于：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的噴淋盤，其特征在于：
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的噴淋盤，其特征在于：
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的噴淋盤，其特征在于：
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的噴淋盤，其特征在于：
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的噴淋盤，其特征在于：
9.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的噴淋盤，其特征在于：
10.?CVD設(shè)備，其特征在于：包括一反應(yīng)腔室和上述權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的噴淋盤，所述噴淋盤設(shè)置在所述反應(yīng)腔室內(nèi)。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種噴淋盤，包括主體，所述主體內(nèi)設(shè)置有腔體，其特征在于：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋盤，其特征在于：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴淋盤，其特征在于：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的噴淋盤，其特征在于：
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的噴淋盤，其特征在于：
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的噴淋...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：請(qǐng)求不公布姓名，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：星鑰珠海半導(dǎo)體有限公司，
類型：新型
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