【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種硅基oled強微腔陽極的制備方法。
技術介紹
1、硅是一種重要的半導體集成電路材料，但由于硅是間接帶隙材料，發光效率低，為了在硅片上實現光電集成，在過去的幾十年，人們開展了大量硅基發光材料和器件的研究工作，如在硅襯底上集成發光材料，或者制作多孔硅等。近年來，在硅襯底上制作oleds(organic?light?emitting?diodes,有機發光二極管)為硅基光電集成開辟了一條新道路。而且，硅基oled可利用成熟的cmos技術，可在單個芯片上集成密度高且復雜的電路，從而提供了單芯片顯示系統的解決方案。
2、目前硅基oled器件的陽極普遍采用厚度相同的的單層結構，制造工藝相對簡單，已經無法滿足高亮度、高色域的要求，為了進一步提升oled器件的效能和光色，會采用強微腔共振的器件結構，即r/g/b子像素陽極厚度各不相同，從而獲得不同的腔長，匹配rgb不同顏色的波長。傳統的微腔結構制造流程復雜，涉及多次刻蝕，造成良率偏低，而且產能較低。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術的目的在于提供一種硅基oled強微腔陽極的制備方法。本專利技術只用了一道干法刻蝕工藝，有效保護了透明電極層材料，減少了工藝流程，提高了良率和產能。
2、為了實現上述專利技術目的，本專利技術提供以下技術方案：
3、本專利技術提供了一種硅基oled強微腔陽極的制備方法，所述硅基oled強微腔陽極包括硅基基板100和位于所述基板表面的n個像素區，其中n
4、包括以下步驟：
5、在所述硅基基板100的表面進行沉積，得到金屬電極沉積層200-1；
6、在所述金屬電極沉積層200-1的表面依次進行第一透明導電層物質沉積、第一涂布光刻膠和第一曝光顯影，保留所述第一子像素區上的光刻膠，然后依次進行第二透明導電層物質沉積、第二涂布光刻膠和第二曝光顯影，保留所述第二子像素區上的光刻膠，再依次進行第三透明導電層物質沉積、第三涂布光刻膠和第三曝光顯影，保留所述第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區上的光刻膠，利用干法刻蝕除去所述第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區之間的透明導電層物質以及金屬電極沉積層200-1，形成所述金屬電極層200，然后去除所述第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區上的光刻膠，同時剝離光刻膠表面的透明導電層物質，得到所述硅基oled強微腔陽極。
7、優選地，所述透明導電層的材質為導電金屬氧化物。
8、優選地，所述導電金屬氧化物包括氧化銦錫和/或氧化銦鋅。
9、優選地，所述第一子像素區的透明導電層3-1、第二子像素區的透明導電層3-2和第三子像素區的透明導電層3-3材質相同。
10、優選地，所述硅基基板100為裸硅襯底或含電路硅襯底。
11、優選地，所述金屬電極層200的材質包括al、ag、tin和ti中的一種或多種。
12、優選地，所述金屬電極層200為單層薄膜或多層復合薄膜。
13、優選地，所述第一涂布光刻膠、第二涂布光刻膠和第三涂布光刻膠均使用pr膠。
14、優選地，去除所述第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區上的光刻膠的方法為濕法去膠。
15、本專利技術提供了一種硅基oled強微腔陽極的制備方法，所述硅基oled強微腔陽極包括硅基基板100和位于所述基板表面的n個像素區，其中n≥1，所述像素區包括層疊設置的金屬電極層200和透明導電層，所述金屬電極層200與所述硅基基板100接觸，所述像素區包括間隔設置的第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區，所述第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區的透明導電層的厚度均不相同，所述透明導電層包括第一子像素區的透明導電層3-1、第二子像素區的透明導電層3-2和第三子像素區的透明導電層3-3；包括以下步驟：在所述硅基基板100的表面進行沉積，得到金屬電極沉積層200-1；在所述金屬電極沉積層200-1的表面依次進行第一透明導電層物質沉積、第一涂布光刻膠和第一曝光顯影，保留所述第一子像素區上的光刻膠，然后依次進行第二透明導電層物質沉積、第二涂布光刻膠和第二曝光顯影，保留所述第二子像素區上的光刻膠，再依次進行第三透明導電層物質沉積、第三涂布光刻膠和第三曝光顯影，保留所述第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區上的光刻膠，利用干法刻蝕除去所述第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區之間的透明導電層物質以及金屬電極沉積層200-1，形成所述金屬電極層200，然后去除所述第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區上的光刻膠，同時剝離光刻膠表面的透明導電層物質，得到所述硅基oled強微腔陽極。
16、與現有技術相比，本專利技術的有益效果如下：
17、本專利技術提出了一種硅基oled強微腔陽極的制備方法，只用了一道干法刻蝕工藝，有效保護了透明電極層材料，減少了工藝流程，提高了良率和產能，降低了制備成本。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種硅基OLED強微腔陽極的制備方法，其特征在于，所述硅基OLED強微腔陽極包括硅基基板(100)和位于所述基板表面的N個像素區，其中N≥1，所述像素區包括層疊設置的金屬電極層(200)和透明導電層，所述金屬電極層(200)與所述硅基基板(100)接觸，所述像素區包括間隔設置的第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區，所述第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區的透明導電層的厚度均不相同，所述透明導電層包括第一子像素區的透明導電層(3-1)、第二子像素區的透明導電層(3-2)和第三子像素區的透明導電層(3-3)；
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述透明導電層的材質為導電金屬氧化物。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述導電金屬氧化物包括氧化銦錫和/或氧化銦鋅。
4.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述第一子像素區的透明導電層(3-1)、第二子像素區的透明導電層(3-2)和第三子像素區的透明導電層(3-3)的材質相同。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述硅基基板(100)
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬電極層(200)的材質包括Al、Ag、TiN和Ti中的一種或多種。
7.根據權利要求1或6所述的制備方法，其特征在于，所述金屬電極層(200)為單層薄膜或多層復合薄膜。
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一涂布光刻膠、第二涂布光刻膠和第三涂布光刻膠均使用PR膠。
9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，去除所述第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區上的光刻膠的方法為濕法去膠。
...【技術特征摘要】
1.一種硅基oled強微腔陽極的制備方法，其特征在于，所述硅基oled強微腔陽極包括硅基基板(100)和位于所述基板表面的n個像素區，其中n≥1，所述像素區包括層疊設置的金屬電極層(200)和透明導電層，所述金屬電極層(200)與所述硅基基板(100)接觸，所述像素區包括間隔設置的第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區，所述第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區的透明導電層的厚度均不相同，所述透明導電層包括第一子像素區的透明導電層(3-1)、第二子像素區的透明導電層(3-2)和第三子像素區的透明導電層(3-3)；
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述透明導電層的材質為導電金屬氧化物。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述導電金屬氧化物包括氧化銦錫和/或氧化銦鋅。
4.根據權利要求1或2所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：許亦鵬，吳遠武，吳迪，陳小童，
申請(專利權)人：湖畔光芯半導體江蘇有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。