【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
技術(shù)介紹
1、本公開中呈現(xiàn)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。更具體地，本文中公開的實(shí)施例涉及用于在半導(dǎo)體器件的制造期間進(jìn)行旋涂的技術(shù)。
2、半導(dǎo)體器件在電功率的控制中得到廣泛應(yīng)用，范圍從調(diào)光器電動(dòng)馬達(dá)速度控制到高壓直流功率傳輸。例如，晶閘管用于交流(alternating?current，ac)功率控制應(yīng)用。晶閘管可以作為電功率開關(guān)操作，因?yàn)榫чl管的特征在于能夠從非導(dǎo)電狀態(tài)快速切換到導(dǎo)電狀態(tài)。在操作中，晶閘管導(dǎo)通，從高阻抗?fàn)顟B(tài)切換到低阻抗?fàn)顟B(tài)。這通過在柵極和陰極之間施加電壓以及使電流從柵極行進(jìn)到陰極來實(shí)現(xiàn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開中呈現(xiàn)的一個(gè)實(shí)施例提供了一種用于旋涂的裝置。該裝置包括與內(nèi)壁、分隔壁和外壁中的每一個(gè)耦合的基部。該裝置還包括內(nèi)壁，其基本上圍繞著卡盤(chuck)的轉(zhuǎn)動(dòng)軸線。該卡盤適于在涂覆操作期間保持晶片并使其轉(zhuǎn)動(dòng)，其中涂覆材料被分配到晶片上。該裝置還包括分隔壁，其基本上圍繞著內(nèi)壁。該分隔壁至少部分地將裝置的內(nèi)部劃分成液體室和氣體室。該裝置還包括外壁，其基本上圍繞著分隔壁。
2、該裝置還包括與內(nèi)壁但不與分隔壁耦合的分隔蓋。該分隔蓋基本上圍繞著卡盤的轉(zhuǎn)動(dòng)軸線。該分隔蓋具有頂面和底面。頂面是至少部分凸起的，而底面是至少部分凹陷的。該分隔蓋適于使多余涂覆材料轉(zhuǎn)向以流過分隔壁并流入液體室中。分隔蓋和分隔壁適于在涂覆操作期間保持氣體室基本上沒有多余涂覆材料。
3、另一個(gè)實(shí)施例提供了一種旋涂器(spin?coater)。該旋涂器包括適于在涂覆操作期
4、又一個(gè)實(shí)施例提供了一種旋涂的方法。該方法包括：提供其中用以制造多個(gè)半導(dǎo)體器件的晶片。該晶片包括隔離結(jié)構(gòu)，該隔離結(jié)構(gòu)將半導(dǎo)體器件在晶片中彼此橫向地隔離。該方法還包括：在晶片上執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)光刻操作。該一個(gè)或多個(gè)光刻操作包括使用旋涂器將涂覆材料施加到晶片。旋涂器包括集水池，并且該集水池具有外蓋并且包含分隔蓋。該分隔蓋適于將液體和氣體述集水池中彼此分離。該分隔蓋是至少部分凹凸的。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種用于旋涂的裝置，所述裝置包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述分隔蓋的厚度測度通過增加所述分隔蓋的底面的凹度測度來減少，從而增加了所述分隔蓋的凹凸度測度同時(shí)減少了所述分隔蓋的平凸度測度，其中所述分隔蓋的頂面的凸度測度減少或保持不變。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，減少的所述分隔蓋的厚度測度擴(kuò)大了所述液體室和所述氣體室之間的氣道，從而降低了當(dāng)氣體在所述涂覆操作期間經(jīng)由泵被抽吸穿過所述裝置時(shí)允許所述氣體從所述液體室向所述氣體室流動(dòng)的速度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中，降低的允許所述氣體流動(dòng)的速度也降低了允許所述多余涂覆材料在所述液體室中流動(dòng)的速度，這繼而增加了所述多余涂覆材料和溶劑之間的化學(xué)相互作用速率，這繼而降低了所述多余涂覆材料在所述裝置內(nèi)的沉積速率，從而增加了所述裝置的操作耐久性測度，并且其中所述操作耐久性測度是由于降低了需要清洗或更換所述裝置的頻率而增加的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述多余涂覆材料包括聚合物，所述聚合物包括未暴露的光致抗蝕劑，并且其中所述溶劑包括二甲苯。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述分隔蓋至少部分地被設(shè)置在所述液體室的上方，其中所述外蓋至少部分地被設(shè)置在所述氣體室的上方，并且其中所述外蓋至少部分地被設(shè)置在所述分隔蓋的上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述基部限定了用于所述液體室的液體出口，并且還限定了用于所述氣體室的氣體出口，其中所述外蓋限定了包括液體入口或氣體入口的入口；
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述旋涂裝置包括集水池，所述集水池構(gòu)成旋涂器的部件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述涂覆操作是用以在所述晶片上形成多個(gè)半導(dǎo)體器件的工藝的一部分，所述多個(gè)半導(dǎo)體器件包括晶閘管或二極管，所述二極管包括瞬態(tài)-電壓-抑制(TVS)二極管。
12.一種旋涂器，包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的旋涂器，其中，所述分隔蓋包括第一分隔蓋，其中至少部分凹凸的所述第一分隔蓋是要至少相對于至少部分平凸的第二分隔蓋降低多余涂覆材料在所述集水池中的沉積速率，其中所述第二分隔蓋比所述第一分隔蓋是更小凹凸且更大平凸的。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的旋涂器，其中，所述集水池包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的旋涂器，其中，所述分隔蓋與所述內(nèi)壁耦合但不與所述分隔壁耦合，所述分隔蓋實(shí)質(zhì)上圍繞著所述卡盤的轉(zhuǎn)動(dòng)軸線，所述分隔蓋具有頂面和底面，所述頂面是至少部分凸起的，所述底面是至少部分凹陷的。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的旋涂器，其中，所述分隔蓋適于使多余涂覆材料轉(zhuǎn)向以流過所述分隔壁并流入所述液體室中，并且其中所述分隔蓋和所述分隔壁適于在所述涂覆操作期間保持所述氣體室實(shí)質(zhì)上沒有所述多余涂覆材料。
17.一種旋涂方法，所述方法包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述分隔蓋包括第一分隔蓋，其中至少部分凹凸的所述第一分隔蓋是要至少相對于至少部分平凸的第二分隔蓋降低多余涂覆材料在所述集水池中的沉積速率，其中所述第二分隔蓋比所述第一分隔蓋是更小凹凸且更大平凸的。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述集水池包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述分隔蓋與所述內(nèi)壁耦合但不與所述分隔壁耦合，所述分隔蓋實(shí)質(zhì)上圍繞著所述卡盤的轉(zhuǎn)動(dòng)軸線，所述分隔蓋具有頂面和底面，所述頂面是至少部分凸起的，所述底面是至少部分凹陷的；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于旋涂的裝置，所述裝置包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述分隔蓋的厚度測度通過增加所述分隔蓋的底面的凹度測度來減少，從而增加了所述分隔蓋的凹凸度測度同時(shí)減少了所述分隔蓋的平凸度測度，其中所述分隔蓋的頂面的凸度測度減少或保持不變。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，減少的所述分隔蓋的厚度測度擴(kuò)大了所述液體室和所述氣體室之間的氣道，從而降低了當(dāng)氣體在所述涂覆操作期間經(jīng)由泵被抽吸穿過所述裝置時(shí)允許所述氣體從所述液體室向所述氣體室流動(dòng)的速度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中，降低的允許所述氣體流動(dòng)的速度也降低了允許所述多余涂覆材料在所述液體室中流動(dòng)的速度，這繼而增加了所述多余涂覆材料和溶劑之間的化學(xué)相互作用速率，這繼而降低了所述多余涂覆材料在所述裝置內(nèi)的沉積速率，從而增加了所述裝置的操作耐久性測度，并且其中所述操作耐久性測度是由于降低了需要清洗或更換所述裝置的頻率而增加的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述多余涂覆材料包括聚合物，所述聚合物包括未暴露的光致抗蝕劑，并且其中所述溶劑包括二甲苯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述分隔蓋至少部分地被設(shè)置在所述液體室的上方，其中所述外蓋至少部分地被設(shè)置在所述氣體室的上方，并且其中所述外蓋至少部分地被設(shè)置在所述分隔蓋的上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述基部限定了用于所述液體室的液體出口，并且還限定了用于所述氣體室的氣體出口，其中所述外蓋限定了包括液體入口或氣體入口的入口；
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述旋涂裝置包括集水池，所述集水池構(gòu)成旋涂器的部件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括：
1...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：顧軍，劉勇，曹銘，
申請(專利權(quán))人：力特半導(dǎo)體無錫有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。