【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及led和光通訊，具體涉及一種減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝。
技術介紹
1、在led光電器件領域中，制備發光二極管的電極引出的剝離工藝為：埋好pn節的底材，通過涂膠和顯影工藝，將晶圓的底層電極露出，再通過蒸鍍工藝制作導電金屬層(如al層)，蒸鍍工藝完成以后，需要將光刻膠和光刻膠以上的蒸鍍金屬剝離掉。傳統的剝離工藝為藍膜膠帶粘附在晶圓正面，晶圓背面用真空吸盤吸牢固，通過藍膜膠帶的粘附力將部分光刻膠和待剝離的金屬通過外力作用撕掉，如果撕掉的過程中有靜電擊穿，或者是重復性壓傷，均會影響最終產品的導電性能及良率。
2、另一種剝離工藝為單片式高壓剝離工藝，將晶圓固定在旋轉吸盤上，通過晶圓的高速旋轉和高壓射流的壓力作用下，實現金屬電極的剝離，這種方法會造成未被及時甩掉的殘余剝離金屬的相互摩擦，導致一定量的電極劃傷。
技術實現思路
1、為了解決現有技術中存在的上述不足之處，本專利技術的目的在于提供一種減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，該工藝可以避免剝離的碎屑劃傷晶圓，進而避免對產品導電性能造成不良影響。
2、為實現上述目的，本專利技術所采用的技術方案如下：
3、一種減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，該工藝針對已涂覆光刻膠且經曝光、顯影并蒸鍍金屬膜層的晶圓進行金屬剝離處理，所述金屬剝離處理是將晶圓先置于剝離單元進行金屬剝離，再置于清洗單元進行清洗和甩干；該工藝具體包括如下步驟：
4、(1)將晶圓置于
5、(2)晶圓保持轉動，使用常壓噴嘴進行常壓藥液噴灑，常壓藥液的流量為200-1000ml/min，以使晶圓上殘留光刻膠得到充分的溶解；
6、(3)將晶圓轉動速度調整為1000-2000r/min，旋轉5-20s，以減少晶圓表面殘留藥液；
7、(4)晶圓水洗：將晶圓置于清洗單元承片臺上，使用噴嘴從晶圓一側邊緣向另一側邊緣擺動并噴灑去離子水，以達到更充分的清洗效果；
8、(5)晶圓甩干：將晶圓置于清洗單元承片臺上，使用噴嘴從晶圓一側邊緣向另一側邊緣擺動并噴灑氮氣，采用高轉速長時間轉動方式將晶圓甩干。
9、進一步的，本專利技術所述蒸鍍的金屬膜層為鋁、金、鎳、銀和鉻中的一種或幾種，厚度為1-8μm。
10、所述剝離單元包括去膠腔體，去膠腔體內設有可旋轉承片臺以及安裝在同一擺臂上的高壓去膠噴嘴和常壓噴嘴；其中：所述常壓噴嘴的噴射方向垂直于晶圓表面，所述高壓去膠噴嘴的噴射方向與晶圓垂直方向的夾角為10-30°。
11、所述高壓去膠噴嘴為針狀噴嘴，針狀噴嘴端部直徑0.1-0.2mm；所述常壓噴嘴為柱狀噴嘴。
12、上述步驟(1)采用高壓去膠噴嘴噴灑藥液過程中，噴射方式為由晶圓的邊緣向中心往復掃描，晶圓轉動轉速為300-1000rpm，高壓藥液噴射時間0.1-5s，高壓藥液的壓力5-15mpa。
13、上述步驟(1)采用常壓噴嘴在高壓去膠噴嘴后面掃描時，常壓噴嘴在常壓下噴射藥液，藥液流量200-1000ml/min。
14、上述步驟(2)中，晶圓轉速為50-300rpm。
15、所述清洗單元包括清洗腔體，清洗腔體內設有可旋轉承片臺以及分別安裝在兩個擺臂上的兩個柱狀噴嘴；其中：一個柱狀噴嘴用于噴灑去離子水，另一個柱狀噴嘴用于噴灑氮氣，兩個柱狀噴嘴的噴射方向均垂直于晶圓表面。
16、上述步驟(4)噴灑去離子水過程中，晶圓轉速300r/min-1000r/min，噴灑時間10-60s，去離子水流量500-1000ml/min。
17、上述步驟(5)晶圓甩干過程中，向晶圓正面氮氣噴灑，晶圓轉動速度為1000-3000r/min，正面噴灑氮氣流量20-50l/min，時間20-80s。
18、本專利技術的優點和有益效果如下：
19、1、本專利技術采用高壓噴嘴噴射去膠液的同時，在高壓噴嘴的后方同時噴射大流量的常壓去膠液，形成一層保護性的潤滑液膜，使得剝離下來的金屬回落晶圓時候，減緩摩擦，更大程度上增加藥液和光刻膠的接觸時間，并且在單位時間內有更好的清洗效果。
20、2、本專利技術可以避免剝離的碎屑劃傷晶圓，進而避免對產品導電性能造成不良影響。
21、3、本專利技術單位時間內增加藥液和晶圓接觸時間，增加清洗效果，提升產能；
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1.一種減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：該工藝針對已涂覆光刻膠且經曝光、顯影并蒸鍍金屬膜層的晶圓進行金屬剝離處理，所述金屬剝離處理是將晶圓先置于剝離單元進行金屬剝離，再置于清洗單元進行清洗和甩干；該工藝具體包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：所述蒸鍍的金屬膜層為鋁、金、鎳、銀和鉻中的一種或幾種，厚度為1-8μm。
3.根據權利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：所述剝離單元包括去膠腔體，去膠腔體內設有可旋轉承片臺以及安裝在同一擺臂上的高壓去膠噴嘴和常壓噴嘴；其中：所述常壓噴嘴的噴射方向垂直于晶圓表面，所述高壓去膠噴嘴的噴射方向與晶圓垂直方向的夾角為10-30°。
4.根據權利要求3所述的減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：所述高壓去膠噴嘴為針狀噴嘴，針狀噴嘴端部直徑0.1-0.2mm；所述常壓噴嘴為柱狀噴嘴。
5.根據權利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：
6.根據權利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：步驟(1)采用常壓噴嘴在高壓去膠噴嘴后面掃描時，常壓噴嘴在常壓下噴射藥液，藥液流量200-1000ml/min。
7.根據權利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：步驟(2)中，晶圓轉速為50-300rpm。
8.根據權利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：所述清洗單元包括清洗腔體，清洗腔體內設有可旋轉承片臺以及分別安裝在兩個擺臂上的兩個柱狀噴嘴；其中：一個柱狀噴嘴用于噴灑去離子水，另一個柱狀噴嘴用于噴灑氮氣，兩個柱狀噴嘴的噴射方向均垂直于晶圓表面。
9.根據權利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：步驟(4)噴灑去離子水過程中，晶圓轉速300r/min-1000r/min，噴灑時間10-60s，去離子水流量500-1000ml/min。
10.根據權利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：步驟(5)晶圓甩干過程中，向晶圓正面氮氣噴灑，晶圓轉動速度為1000-3000r/min，正面噴灑氮氣流量20-50L/min，時間20-80s。
...【技術特征摘要】
1.一種減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：該工藝針對已涂覆光刻膠且經曝光、顯影并蒸鍍金屬膜層的晶圓進行金屬剝離處理，所述金屬剝離處理是將晶圓先置于剝離單元進行金屬剝離，再置于清洗單元進行清洗和甩干；該工藝具體包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：所述蒸鍍的金屬膜層為鋁、金、鎳、銀和鉻中的一種或幾種，厚度為1-8μm。
3.根據權利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：所述剝離單元包括去膠腔體，去膠腔體內設有可旋轉承片臺以及安裝在同一擺臂上的高壓去膠噴嘴和常壓噴嘴；其中：所述常壓噴嘴的噴射方向垂直于晶圓表面，所述高壓去膠噴嘴的噴射方向與晶圓垂直方向的夾角為10-30°。
4.根據權利要求3所述的減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：所述高壓去膠噴嘴為針狀噴嘴，針狀噴嘴端部直徑0.1-0.2mm；所述常壓噴嘴為柱狀噴嘴。
5.根據權利要求1所述的減少晶圓壓傷劃傷的液膜伴隨保護的金屬剝離工藝，其特征在于：步驟(1)采用高壓去膠噴嘴噴灑藥液過程中，高壓去膠噴嘴的噴射方式為由晶圓的邊緣向中心往復掃描，晶圓轉動轉速為300-1000rpm，高壓藥液噴射時間0.1-5s...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李孝令，李恒，樸勇男，
申請(專利權)人：沈陽芯源微電子設備股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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