【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術提出了多模式集成電路芯片性能評估系統(tǒng)及方法，屬于集成電路芯片測試。
技術介紹
1、集成電路(integrated?circuit)是一種微型電子器件或部件，采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元器件及布線互連一起，并安裝在硅基板上，以形成一體化集成電路芯片。
2、集成電路芯片在制作完成后，需對集成電路芯片進行性能評估，集成電路芯片性能評估可以幫助檢驗芯片的性能，包括可靠性、功耗、速度等方面。通過性能評估，可以確保芯片達到規(guī)定的標準和要求，從而保證芯片產品的質量，集成電路芯片性能評估可以發(fā)現(xiàn)芯片中存在的缺陷和問題，及時進行調整和改進，減少后期修復的成本，同時，性能評估還可以為芯片設計者提供更好的反饋和指導，以便在設計階段盡早解決問題和改進性能。
3、因為集成電路芯片有多個工作模式，但現(xiàn)有的性能評估方法不能全面評估集成電路芯片的性能。
技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術提供了多模式集成電路芯片性能評估系統(tǒng)及方法，用以解決上述提到的問題：
2、本專利技術提出的多模式集成電路芯片性能評估系統(tǒng)及方法，所述方法包括：
3、根據(jù)集成電路芯片工作模式動態(tài)控制集成電路芯片所在性能評估箱體環(huán)境中的溫度、供電電壓和時鐘頻率參數(shù)，并將檢測到的性能評估箱體內的溫度、供電電壓和時鐘頻率發(fā)送至性能評估管理平臺；
4、當根據(jù)所述集成電路芯片工作模式調整好所述性能評估箱中的環(huán)境參數(shù)，測試所述集成電路芯片的各種性能，包括功耗、數(shù)據(jù)
5、對輸出的功耗、數(shù)據(jù)傳輸速率、時鐘精度和光學透射率數(shù)據(jù)進行處理和分析，并生成評估報告，再發(fā)送給所述性能評估管理平臺；
6、性能評估管理平臺接收所述集成電路芯片所在性能評估箱體內的溫度、供電電壓和時鐘頻率參數(shù)并同步接收評估報告。
7、進一步的，根據(jù)集成電路芯片工作模式動態(tài)控制集成電路芯片所在性能評估箱體環(huán)境中的溫度、供電電壓和時鐘頻率參數(shù)，并將檢測到的性能評估箱體內的溫度、供電電壓和時鐘頻率發(fā)送至性能評估管理平臺，包括：
8、根據(jù)芯片工作模式，設計相應的控制邏輯，實現(xiàn)對箱體內溫度、供電電壓和時鐘頻率參數(shù)的動態(tài)控制；
9、采用溫度傳感器、電流傳感器和計時器對性能評估箱體內的溫度、供電電壓和時鐘頻率檢測；
10、將檢測到的溫度、供電電壓和時鐘頻率數(shù)據(jù)發(fā)送給性能評估管理平臺。
11、進一步的，根據(jù)所述集成電路芯片調整好所述性能評估箱中的環(huán)境參數(shù)，測試所述集成電路芯片的各種性能，包括功耗、數(shù)據(jù)傳輸速率、時鐘精度和光學透射率，包括：
12、當所述性能評估箱中的環(huán)境參數(shù)調整好后，性能評估箱開始計時，三分鐘后觸發(fā)邏輯分析儀測試信號，測試集成電路芯片的功耗，當邏輯分析儀10分鐘內測試出多個功耗數(shù)據(jù)p1，p2,…,pn,n≥3，并計算出p＝(p1+p2+…+pn)/n后，觸發(fā)數(shù)字信號處理器測試信號；
13、所述數(shù)字信號處理器產生不同頻率的數(shù)字信號，所述性能評估箱監(jiān)測相應的輸出信號來評估芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率，當所述性能評估箱10分鐘內獲取到多個數(shù)據(jù)傳輸速率數(shù)據(jù)d1,d2,…,dn,n≥3，并計算出d＝(d1+d2+…+dn)/n后，觸發(fā)頻率計測試信號，測試集成電路芯片的時鐘精度；
14、當頻率計10分鐘內測試出多個時鐘精度數(shù)據(jù)t1,t2,…,tn,n≥3，并計算出t＝(t1+t2+…+tn)/n后，觸發(fā)光學投影儀測試信號，光學投影儀開始檢測集成電路芯片的光學透射率o；
15、測試光學透射率可根據(jù)以下規(guī)則調整激光波長：
16、
17、其中，λa表示適合測試芯片的調整后激光波長，λ0表示測量前原始的激光波長，α表示衰減系數(shù)，d表示芯片厚度，n表示芯片的折射率，θ表示入射角度。
18、當光學投影儀10分鐘內測試出多個光學透射率數(shù)據(jù)o1,o2,…,on,n≥3，并計算出o＝(o1+o2+…+on)/n后，所有性能數(shù)據(jù)檢測完畢，性能評估箱獲取所有性能數(shù)據(jù)并將其輸出。
19、進一步的，對輸出的功耗、數(shù)據(jù)傳輸速率、時鐘精度和光學透射率數(shù)據(jù)進行處理和分析，并生成評估報告，再發(fā)送給所述性能評估管理平臺，包括：
20、對輸出的功耗、數(shù)據(jù)傳輸速率、時鐘精度和光學透射率數(shù)據(jù)根據(jù)性能評估規(guī)則進行處理和分析，性能評估規(guī)則如下：
21、集成電路芯片有多種工作模式，包括：正常模式、低功耗模式、待機模式、長延時模式和高性能模式，當根據(jù)集成電路芯片不同的工作模式測試出功耗、數(shù)據(jù)傳輸速率、時鐘精度和光學透射率數(shù)據(jù)，根據(jù)
22、
23、評估集成電路芯片總的性能，其中，c表示集成電路芯片總的評估性能，其中dt、tt和ot可根據(jù)總數(shù)據(jù)傳輸率、總時鐘精度和總光學透射率計算公式計算，dt表示總數(shù)據(jù)傳輸率，tt表示總時鐘精度，ot表示總光學透射率，d-表示集成電路芯片各種模式下的平均數(shù)據(jù)傳輸率，t-表示集成電路芯片各種模式下的平均時鐘精度，o-表示集成電路芯片各種模式下的平均光學透射率，p1表示正常模式功耗，w1表示正常模式功耗權重，p2表示低功耗模式功耗，w2表示低功耗模式功耗權重，p3表示待機模式功耗，w3表示待機模式功耗權重，p4表示長延時模式功耗，w4表示長延時模式功耗權重，p5表示高性能模式功耗，w5表示高性能模式功耗權重；
24、然后根據(jù)處理后的數(shù)據(jù)生成評估報告，并發(fā)送給性能評估管理平臺。
25、進一步的，dt、tt和ot可根據(jù)總數(shù)據(jù)傳輸率、總時鐘精度和總光學透射率計算公式計算，總數(shù)據(jù)傳輸率、總時鐘精度和總光學透射率計算公式如下：
26、dt＝dn*w1+dl*w2+ds*w3+dd*w4+dh*w5
27、tt＝tn*w1+tl*w2+ts*w3+td*w4+th*w5
28、ot＝on*w1+ol*w2+os*w3+od*w4+oh*w5
29、其中，dt表示總數(shù)據(jù)傳輸率，tt表示總時鐘精度，ot表示總光學透射率，dn、tn和on分別表示正常模式下的數(shù)據(jù)傳輸率、時鐘精度和光學透射率，dl、tl和ol分別表示低功耗模式下的數(shù)據(jù)傳輸率、時鐘精度和光學透射率，ds、ts和os分別表示待機模式下的數(shù)據(jù)傳輸率、時鐘精度和光學透射率，dd、td和od分別表示長延時模式下的數(shù)據(jù)傳輸率、時鐘精度和光學透射率，dh、th和oh分別表示高性能模式下的數(shù)據(jù)傳輸率、時鐘精度和光學透射率。
30、本專利技術提出的多模式集成電路芯片性能評估系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：
31、調整環(huán)境參數(shù)模塊，用于根據(jù)集成電路芯片工作模式動態(tài)控制集成電路芯片所在性能評估箱體環(huán)境中的溫度、供電電壓和時鐘頻率參數(shù)，并將檢測到的性能評估箱體內的溫度、供電電壓和時鐘頻率發(fā)送至性能評估管理平臺；
32、測試模塊，當根據(jù)所述集成電路芯片工作模式調整好所述性能評估箱中的環(huán)境參數(shù)，測試所述集成電路芯片的各種性本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.多模式集成電路芯片性能評估方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權利要求1所述多模式集成電路芯片性能評估方法，其特征在于，根據(jù)集成電路芯片工作模式動態(tài)控制集成電路芯片所在性能評估箱體環(huán)境中的溫度、供電電壓和時鐘頻率參數(shù)，并將檢測到的性能評估箱體內的溫度、供電電壓和時鐘頻率發(fā)送至性能評估管理平臺，包括：
3.根據(jù)權利要求1所述多模式集成電路芯片性能評估方法，其特征在于，當根據(jù)所述集成電路芯片調整好所述性能評估箱中的環(huán)境參數(shù)，測試所述集成電路芯片的各種性能，包括功耗、數(shù)據(jù)傳輸速率、時鐘精度和光學透射率，包括：
4.根據(jù)權利要求1所述多模式集成電路芯片性能評估方法，其特征在于，對輸出的功耗、數(shù)據(jù)傳輸速率、時鐘精度和光學透射率數(shù)據(jù)進行處理和分析，并生成評估報告，再發(fā)送給所述性能評估管理平臺，包括：
5.根據(jù)權利要求4所述多模式集成電路芯片性能評估方法，其特征在于，Dt、Tt和Ot可根據(jù)總數(shù)據(jù)傳輸率、總時鐘精度和總光學透射率計算公式計算，總數(shù)據(jù)傳輸率、總時鐘精度和總光學透射率計算公式如下：
6.多模式集成電路芯片性能評估系
7.根據(jù)權利要求6所述多模式集成電路芯片性能評估系統(tǒng)，其特征在于，所述調整環(huán)境參數(shù)模塊包括：
8.根據(jù)權利要求6所述多模式集成電路芯片性能評估系統(tǒng)，其特征在于，所述測試模塊包括：
9.根據(jù)權利要求6所述多模式集成電路芯片性能評估系統(tǒng)，其特征在于，所述處理分析模塊包括：
10.根據(jù)權利要求6所述多模式集成電路芯片性能評估系統(tǒng)，其特征在于，所述顯示模塊包括：
...【技術特征摘要】
1.多模式集成電路芯片性能評估方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權利要求1所述多模式集成電路芯片性能評估方法，其特征在于，根據(jù)集成電路芯片工作模式動態(tài)控制集成電路芯片所在性能評估箱體環(huán)境中的溫度、供電電壓和時鐘頻率參數(shù)，并將檢測到的性能評估箱體內的溫度、供電電壓和時鐘頻率發(fā)送至性能評估管理平臺，包括：
3.根據(jù)權利要求1所述多模式集成電路芯片性能評估方法，其特征在于，當根據(jù)所述集成電路芯片調整好所述性能評估箱中的環(huán)境參數(shù)，測試所述集成電路芯片的各種性能，包括功耗、數(shù)據(jù)傳輸速率、時鐘精度和光學透射率，包括：
4.根據(jù)權利要求1所述多模式集成電路芯片性能評估方法，其特征在于，對輸出的功耗、數(shù)據(jù)傳輸速率、時鐘精度和光學透射率數(shù)據(jù)進行處理和分析，并生成評估報告，再發(fā)送給所...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：吳波，聶勇，許智良，張葉華，游鑫宇，馬榤輝，
申請(專利權)人：吉安電科集成電路與通訊傳輸實驗室科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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