【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本公開涉及電子部件，并且更具體地，涉及在基板制造期間調(diào)節(jié)膜沉積參數(shù)的方法和機(jī)構(gòu)。
技術(shù)介紹
1、產(chǎn)品可通過使用制造設(shè)備執(zhí)行一或多個(gè)制造處理來制造。例如，半導(dǎo)體制造設(shè)備可用于經(jīng)由半導(dǎo)體制造處理來制造半導(dǎo)體裝置(例如，基板)。制造設(shè)備可以根據(jù)處理配方在基板的表面上沉積多層膜，并且可執(zhí)行蝕刻處理以在沉積的膜中形成復(fù)雜的圖案。例如，制造設(shè)備可執(zhí)行化學(xué)氣相沉積(cvd)處理以在基板上沉積替代層。在此基板制造處理期間，由于不斷變化的沉積參數(shù)和處理腔室條件的變化(例如，污染物的積累、某些部件的侵蝕等)，每層的厚度可變化。通常通過手動(dòng)增加或減少后續(xù)層的沉積時(shí)間來補(bǔ)償這些變化，以維持膜堆疊的所需總厚度。然而，這樣的處理容易出錯(cuò)并且可能導(dǎo)致制造延遲和有缺陷的產(chǎn)品。因此，需要一種能夠自動(dòng)調(diào)節(jié)膜沉積參數(shù)的系統(tǒng)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、以下是本公開的簡化概述，用以提供對本公開一些方面的基本理解。本概述不是對本公開的廣泛概述。簡化概述既不旨在識(shí)別本公開的關(guān)鍵或關(guān)鍵性要素，也不旨在描繪本公開的特定實(shí)施的任何范圍或權(quán)利要求書的任何范圍。簡化概述的唯一目的是以簡化形式呈現(xiàn)本公開的一些概念，作為稍后呈現(xiàn)的更詳細(xì)描述的序言。
2、在本公開的方面中，一種電子裝置制造系統(tǒng)，能夠獲得與根據(jù)處理配方在基板上執(zhí)行的沉積處理相關(guān)聯(lián)的計(jì)量數(shù)據(jù)，其中沉積處理在基板的表面上產(chǎn)生多個(gè)層。制造系統(tǒng)可進(jìn)一步獲得與處理配方相關(guān)聯(lián)的預(yù)期輪廓，其中預(yù)期輪廓包括指示處理配方的多個(gè)層的期望厚度的多個(gè)值。制造系統(tǒng)可進(jìn)一步基于計(jì)量數(shù)據(jù)和預(yù)期輪廓產(chǎn)生
3、本公開的進(jìn)一步方面包括根據(jù)本文描述的任何方面或?qū)嵤├姆椒ā?/p>
4、本公開的進(jìn)一步方面包括一種包括指令的非瞬時(shí)計(jì)算機(jī)可讀取儲(chǔ)存媒體，所述指令當(dāng)由可操作地耦接到存儲(chǔ)器的處理裝置執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行根據(jù)本文描述的任何方面或?qū)嵤├牟僮鳌?/p>本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種方法，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述計(jì)量數(shù)據(jù)指示一或多個(gè)沉積層的實(shí)際厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述校正輪廓進(jìn)一步包括要應(yīng)用于所述處理配方的一或多個(gè)設(shè)置參數(shù)的一或多個(gè)校正動(dòng)作。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中產(chǎn)生所述校正輪廓包括：
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中產(chǎn)生所述校正輪廓包括：
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述校正輪廓包括針對包括不同材料的一對層的沉積時(shí)間偏移值。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積時(shí)間偏移值使得根據(jù)所述處理配方產(chǎn)生的實(shí)際膜堆疊厚度與根據(jù)所述處理配方產(chǎn)生的預(yù)期膜堆疊厚度匹配。
8.一種電子裝置制造系統(tǒng)，包括：
9.如權(quán)利要求8所述的電子裝置制造系統(tǒng)，其中所述計(jì)量數(shù)據(jù)指示一或多個(gè)沉積層的實(shí)際厚度。
10.如權(quán)利要求8所述的電子裝置制造系統(tǒng)，其中所述校正輪廓進(jìn)一步包括要應(yīng)用于所述處理配方的一或多個(gè)設(shè)置參數(shù)的一或多個(gè)校正動(dòng)作。
11.如權(quán)利要求8所述的電子裝置制造系統(tǒng)，其中產(chǎn)生所述校正輪廓包括所述處
12.如權(quán)利要求8所述的電子裝置制造系統(tǒng)，其中產(chǎn)生所述校正輪廓包括所述處理裝置執(zhí)行以下操作，包括：
13.如權(quán)利要求8所述的電子裝置制造系統(tǒng)，其中所述校正輪廓包括針對包括不同材料的一對層的沉積時(shí)間偏移值。
14.如權(quán)利要求8所述的電子裝置制造系統(tǒng)，其中所述沉積時(shí)間偏移值使得根據(jù)所述處理配方產(chǎn)生的實(shí)際膜堆疊厚度與根據(jù)所述處理配方產(chǎn)生的預(yù)期膜堆疊厚度匹配。
15.一種包括指令的非瞬時(shí)計(jì)算機(jī)可讀取儲(chǔ)存媒體，所述指令當(dāng)由可操作地耦接到存儲(chǔ)器的處理裝置執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行以下操作，包括：
16.如權(quán)利要求15所述的非瞬時(shí)計(jì)算機(jī)可讀取儲(chǔ)存媒體，其中所述計(jì)量數(shù)據(jù)指示一或多個(gè)沉積層的實(shí)際厚度。
17.如權(quán)利要求15所述的非瞬時(shí)計(jì)算機(jī)可讀取儲(chǔ)存媒體，其中所述校正輪廓進(jìn)一步包括要應(yīng)用于所述處理配方的一或多個(gè)設(shè)置參數(shù)的一或多個(gè)校正動(dòng)作。
18.如權(quán)利要求17所述的非瞬時(shí)計(jì)算機(jī)可讀取儲(chǔ)存媒體，其中產(chǎn)生所述校正輪廓包括所述處理裝置執(zhí)行以下操作，包括：
19.如權(quán)利要求17所述的非瞬時(shí)計(jì)算機(jī)可讀取儲(chǔ)存媒體，其中產(chǎn)生所述校正輪廓包括所述處理裝置執(zhí)行以下操作，包括：
20.如權(quán)利要求17所述的非瞬時(shí)計(jì)算機(jī)可讀取儲(chǔ)存媒體，其中所述校正輪廓包括針對包括不同材料的一對層的沉積時(shí)間偏移值。
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種方法，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述計(jì)量數(shù)據(jù)指示一或多個(gè)沉積層的實(shí)際厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述校正輪廓進(jìn)一步包括要應(yīng)用于所述處理配方的一或多個(gè)設(shè)置參數(shù)的一或多個(gè)校正動(dòng)作。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中產(chǎn)生所述校正輪廓包括：
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中產(chǎn)生所述校正輪廓包括：
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述校正輪廓包括針對包括不同材料的一對層的沉積時(shí)間偏移值。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積時(shí)間偏移值使得根據(jù)所述處理配方產(chǎn)生的實(shí)際膜堆疊厚度與根據(jù)所述處理配方產(chǎn)生的預(yù)期膜堆疊厚度匹配。
8.一種電子裝置制造系統(tǒng)，包括：
9.如權(quán)利要求8所述的電子裝置制造系統(tǒng)，其中所述計(jì)量數(shù)據(jù)指示一或多個(gè)沉積層的實(shí)際厚度。
10.如權(quán)利要求8所述的電子裝置制造系統(tǒng)，其中所述校正輪廓進(jìn)一步包括要應(yīng)用于所述處理配方的一或多個(gè)設(shè)置參數(shù)的一或多個(gè)校正動(dòng)作。
11.如權(quán)利要求8所述的電子裝置制造系統(tǒng)，其中產(chǎn)生所述校正輪廓包括所述處理裝置執(zhí)行以下操作，包括：
12.如權(quán)利要求8所述的電子裝置制造系統(tǒng)，其中產(chǎn)生所述校正輪...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：米特斯·桑維，文卡塔納拉亞納·尚卡拉穆爾提，姚雨蓮，汪傳穎，韓新海，
申請(專利權(quán))人：應(yīng)用材料公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。