【技術實現步驟摘要】
本技術涉及半導體加工領域，特別是涉及一種新型拋光墊及晶圓拋光機臺。
技術介紹
1、隨著時代的變化，電路的大規模集成化已經是社會繼續發展的必要條件，而集成電路的載體——半導體晶圓的加工與制造，也越來越受到社會各界的重視。
2、在晶圓的生產過程中，對晶圓的表面拋光是必要的工藝步驟，現有的對晶圓的拋光方式，是拋光墊去做整體拋光工藝，在涉及到某些金屬工藝時，整體拋光具體為分成兩步進行的化學機械拋光。第一步先進行粗拋，去除晶圓表面的大部分金屬層，第二步再進行精拋，修復晶圓的表面損傷。但是兩步用的拋光墊材質、粗糙程度等條件均不一樣，所以需要兩個拋光盤進行工藝，大大降低了生產效率。
3、因此，如何提高晶圓的拋光效率，就成了本領域技術人員亟待解決的問題。
技術實現思路
1、本技術的目的是提供一種新型拋光墊及晶圓拋光機臺，以解決現有技術中晶圓拋光效率較低的問題。
2、為解決上述技術問題，本技術提供一種新型拋光墊，包括多個互相嵌套的研磨區域；
3、各個所述研磨區域的粗糙程度不同。
4、可選地，在所述的新型拋光墊中，多個所述研磨區域的粗糙度從內到外逐漸降低。
5、可選地，在所述的新型拋光墊中，所述新型拋光墊僅包括多個環形研磨區域。
6、可選地，在所述的新型拋光墊中，所述新型拋光墊包括圓形粗研磨區域及環形精研磨區域；
7、所述環形精研磨區域套設在所述圓形粗研磨區域外側。
8、可選地，在所述的新型拋光
9、可選地，在所述的新型拋光墊中，所述圓形粗研磨區域的厚度的范圍為1.3毫米至1.5毫米，包括端點值。
10、可選地，在所述的新型拋光墊中，所述圓形粗研磨區域的密度的范圍為430克每立方厘米至470克每立方厘米，包括端點值。
11、可選地，在所述的新型拋光墊中，所述圓形粗研磨區域的壓縮比的范圍為6.3至6.6，包括端點值。
12、可選地，在所述的新型拋光墊中，所述環形精研磨區域的厚度的范圍為0.8毫米至1.0毫米，包括端點值。
13、一種晶圓拋光機臺，所述晶圓拋光機臺包括拋光頭、拋光頭運動組件及如上述任一種所述的新型拋光墊；
14、所述拋光頭運動組件與所述拋光頭連接，帶動所述拋光頭在所述新型拋光墊的不同研磨區域之間運動。
15、本技術所提供的新型拋光墊，包括多個互相嵌套的研磨區域；各個所述研磨區域的粗糙程度不同。本技術提供的新型拋光墊包括多個互相嵌套的研磨區域，在實際使用中，晶圓拋光機臺可驅動待處理晶圓在不同的研磨區域之間移動，從而在單塊拋光墊上完成不同精細度的拋光，換言之，使用本技術提供的新型拋光墊，則晶圓拋光機臺上的每一個拋光盤均可獨立完成晶圓研磨的全過程，一塊待處理晶圓的拋光不再需要通過多個拋光盤進行處理，從而大大提升了晶圓的拋光效率。本技術同時還提供了一種具有上述有益效果的晶圓拋光機臺。
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1.一種新型拋光墊，其特征在于，包括多個互相嵌套的研磨區域；
2.如權利要求1所述的新型拋光墊，其特征在于，多個所述研磨區域的粗糙度從內到外逐漸降低。
3.如權利要求1所述的新型拋光墊，其特征在于，所述新型拋光墊僅包括多個環形研磨區域。
4.一種晶圓拋光機臺，其特征在于，所述晶圓拋光機臺包括拋光頭、拋光頭運動組件及如權利要求1至3任一項所述的新型拋光墊；
【技術特征摘要】
1.一種新型拋光墊，其特征在于，包括多個互相嵌套的研磨區域；
2.如權利要求1所述的新型拋光墊，其特征在于，多個所述研磨區域的粗糙度從內到外逐漸降低。
3.如權利要求1所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：請求不公布姓名，請求不公布姓名，
申請(專利權)人：星鑰珠海半導體有限公司，
類型：新型
國別省市：
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