【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)屬于模擬集成電路領(lǐng)域，涉及一種低壓差線性穩(wěn)壓源電路及低壓差線性穩(wěn)壓器。
技術(shù)介紹
1、在電源管理領(lǐng)域，低壓差線性穩(wěn)壓器被廣泛應(yīng)用于小體積、低電源紋波、高瞬態(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景中。
2、傳統(tǒng)低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出通常包含一個(gè)微法級(jí)別的負(fù)載電容，以提供低壓差線性穩(wěn)壓器的供電器件的瞬態(tài)大電流，從而起到穩(wěn)壓的作用。然而，大負(fù)載電容引起的輸出極點(diǎn)和低壓差線性穩(wěn)壓器的內(nèi)部極點(diǎn)共同作用會(huì)導(dǎo)致穩(wěn)定性問(wèn)題，尤其是輸出極點(diǎn)會(huì)隨著輸出負(fù)載電流的變化而變化。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)，提供一種低壓差線性穩(wěn)壓源電路及低壓差線性穩(wěn)壓器。
2、為達(dá)到上述目的，本技術(shù)采用以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：
3、本技術(shù)第一方面，提供一種低壓差線性穩(wěn)壓源電路，包括第一運(yùn)放ota1、第二運(yùn)放ota2、第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3、第四電阻r4、第一nmos管nm1、第二nmos管nm2、第三nmos管nm3、第四nmos管nm4、第五nmos管nm5、第六nmos管nm6、第一pmos管pm1、第二pmos管pm2、第三pmos管pm3、第四pmos管pm4、第五pmos管pm5、第六pmos管pm6、第七pmos管pm7、第八pmos管pm8、第九pmos管pm9、第十pmos管pm10和第十一pmos管pm11；
4、第一運(yùn)放ota1負(fù)端與第三電阻r3和第四電阻r4相連接的中間節(jié)點(diǎn)連接，輸出與第二nmos管nm2的柵極端連接；第二運(yùn)
5、第一nmos管nm1的漏極端與第二nmos管nm2的源極端連接；第二nmos管nm2的漏極端與第一pmos管pm1的漏極端和柵極端均連接；第三nmos管nm3的柵極端與第四nmos管nm4的柵極端連接；第四nmos管nm4的柵極端和漏極端連接；
6、第一pmos管pm1的漏極端和柵極端連接，源極端與第一電阻r1一端連接；第二pmos管pm2的漏極端和第三pmos管pm3均與第一電阻r1的另一端連接；第三pmos管pm3的柵極端與第四pmos管pm4的柵極端連接；第四pmos管pm4的柵極端與第五pmos管pm5的柵極端連接，漏極端與第二電阻r2的另一端連接；第五pmos管pm5的漏極端與第五pmos管pm5的柵極端和第三nmos管nm3的漏極端均連接；第六pmos管pm6的漏極端與第九pmos管pm9的源極端連接；第七pmos管pm7的柵極端與第一pmos管pm1的漏極端連接，漏極端與第十pmos管pm10的源極端連接；第八pmos管pm8的柵極端與第七pmos管pm7的柵極端連接，漏極端與第十一pmos管pm11的源極端和第三電阻r3的另一端均連接；第九pmos管pm9的柵極端與第十一pmos管pm11的漏極端連接，漏極端與第四nmos管nm4的漏極端連接，源極端與第十pmos管pm10的源極端連接；第十pmos管pm10的漏極端與第十pmos管pm10的柵極端和第五nmos管nm5的漏極端均連接；第十一pmos管pm11的柵極端與第十pmos管pm10的柵極端連接，漏極端與第六nmos管nm6的漏極端連接。
7、可選的，所述第三nmos管nm3和第四nmos管nm4的寬長(zhǎng)比之比為1：1。
8、可選的，所述第三pmos管pm3、第四pmos管pm4和第五pmos管pm5的寬長(zhǎng)比之比為2：1：1，第七pmos管pm7和第八pmos管pm8的寬長(zhǎng)比之比為1：100。
9、可選的，所述第二運(yùn)放ota2的正端設(shè)置用于輸入輸入信號(hào)vref的輸入信號(hào)輸入端子。
10、可選的，所述第二pmos管pm2、第三pmos管pm3、第四pmos管pm4、第五pmos管pm5、第六pmos管pm6、第七pmos管pm7以及第八pmos管pm8的源極端均設(shè)置用于連接電源端vdd的電源端連接端子。
11、可選的，所述第二電阻r2的另一端以及第一nmos管nm1、第二nmos管nm2、第三nmos管nm3、第四nmos管nm4、第五nmos管nm5和第六nmos管nm6的源極端均設(shè)置用于接地的接地端子。
12、可選的，所述第二pmos管pm2的柵極端、第六pmos管pm6的柵極端、第五nmos管nm5和第六nmos管nm6的柵極端均設(shè)置用于輸入偏置電壓nbias的偏置電壓端子。
13、本技術(shù)第二方面，提供一種低壓差線性穩(wěn)壓器，包括上述的低壓差線性穩(wěn)壓源電路。
14、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)具有以下有益效果：
15、本技術(shù)低壓差線性穩(wěn)壓源電路，通過(guò)第三pmos管pm3構(gòu)成的分流反饋電路實(shí)現(xiàn)電流緩沖補(bǔ)償，可配合負(fù)載電流的變化，將一定比例的輸出電流注入基于第一運(yùn)放ota1、第二運(yùn)放ota2、第一nmos管nm1、第二nmos管nm2、第一pmos管pm1、第二pmos管pm2以及第三pmos管pm3構(gòu)成的第一放大通路，以改變低壓差線性穩(wěn)壓源電路的第二極點(diǎn)的大小，在輸出電流變大，輸出極點(diǎn)變大的同時(shí)調(diào)整次主極點(diǎn)變大，以確保在環(huán)路單位增益帶寬內(nèi)只包含一個(gè)極點(diǎn)，且次主極點(diǎn)足夠大，在低壓差線性穩(wěn)壓源電路的負(fù)載電流全范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的相位裕度，在不使用任何低頻零點(diǎn)的情況下實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定性。同時(shí)，基于第四pmos管pm4、第二電阻r2、第二運(yùn)放ota2以及第一nmos管nm1組成過(guò)流保護(hù)電路，以實(shí)現(xiàn)在負(fù)載電流過(guò)大的時(shí)候，可通過(guò)關(guān)斷第一nmos管nm1以切斷反饋環(huán)路，防止輸出被誤接到電源以及地而引起的短路電流。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種低壓差線性穩(wěn)壓源電路，其特征在于，包括第一運(yùn)放OTA1、第二運(yùn)放OTA2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第九PMOS管PM9、第十PMOS管PM10和第十一PMOS管PM11；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓源電路，其特征在于，所述第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4的寬長(zhǎng)比之比為1：1。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低壓差線性穩(wěn)壓源電路，其特征在于，所述第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4和第五PMOS管PM5的寬長(zhǎng)比之比為2：1：1，第七PMOS管PM7和第八PMOS管PM8的寬長(zhǎng)比之比為1：100。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓源電路，其特征在于，所述第二運(yùn)放OTA2的正端設(shè)置
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓源電路，其特征在于，所述第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7以及第八PMOS管PM8的源極端均設(shè)置用于連接電源端VDD的電源端連接端子。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓源電路，其特征在于，所述第二電阻R2的另一端以及第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5和第六NMOS管NM6的源極端均設(shè)置用于接地的接地端子。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓源電路，其特征在于，所述第二PMOS管PM2的柵極端、第六PMOS管PM6的柵極端、第五NMOS管NM5和第六NMOS管NM6的柵極端均設(shè)置用于輸入偏置電壓NBIAS的偏置電壓端子。
8.一種低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，包括權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的低壓差線性穩(wěn)壓源電路。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種低壓差線性穩(wěn)壓源電路，其特征在于，包括第一運(yùn)放ota1、第二運(yùn)放ota2、第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3、第四電阻r4、第一nmos管nm1、第二nmos管nm2、第三nmos管nm3、第四nmos管nm4、第五nmos管nm5、第六nmos管nm6、第一pmos管pm1、第二pmos管pm2、第三pmos管pm3、第四pmos管pm4、第五pmos管pm5、第六pmos管pm6、第七pmos管pm7、第八pmos管pm8、第九pmos管pm9、第十pmos管pm10和第十一pmos管pm11；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓源電路，其特征在于，所述第三nmos管nm3和第四nmos管nm4的寬長(zhǎng)比之比為1：1。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低壓差線性穩(wěn)壓源電路，其特征在于，所述第三pmos管pm3、第四pmos管pm4和第五pmos管pm5的寬長(zhǎng)比之比為2：1：1，第七pmos管pm7和第八pmos管pm8的寬長(zhǎng)比之比為1：100。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓源電路，其特征在于...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳陽(yáng)，孫權(quán)，焦子豪，羅紅瑞，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：西安航天民芯科技有限公司，
類(lèi)型：新型
國(guó)別省市：
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