【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及圖像數據處理，具體涉及基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法及系統。
技術介紹
1、電阻陣列紅外成像技術是一種通過控制電阻陣列中的電流來產生紅外輻射，進而形成紅外圖像的技術。電阻陣列由多個電阻單元組成，每個電阻單元都可以獨立控制其電流值，從而在陣列上產生一幅紅外圖像，在多個領域有著廣泛的應用，如紅外目標模擬器、紅外雙波段制導系統等，特別是在半實物仿真目標及環境圖像生成方面，該技術能夠生成高質量的紅外圖像，為仿真測試提供有力的支持。
2、在控制電阻陣列中的電流來產生紅外輻射的過程中，由于不同程度的電流流經電阻時會在電阻處生成不同大小的熱量，這些熱量會在電阻之間相互影響，從而在相鄰電阻之間產生熱串擾現象，即一個電阻產生的熱量會傳遞到相鄰的電阻上，這種熱串擾現象會降低成像的對比度和分辨率。
技術實現思路
1、本專利技術提供基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法及系統，以解決現有的問題。
2、本專利技術的基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法及系統采用如下技術方案：
3、本專利技術一個實施例提供了基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，該方法包括以下步驟：
4、使用電阻陣列獲取紅外圖像，所述電阻陣列中每個電阻單元在紅外圖像中對應一個范圍，所述紅外圖像的每一個像素點對應一個紅外輻射數據值；
5、根據紅外圖像上電阻單元對應范圍內的像素點數量和像素點對應的紅外輻射數據值，確定每個電阻單元的紅外輻射表現；
6、根
7、根據電阻單元的熱輻射區域內相鄰像素點之間的熱輻射數據之間的差異，確定每個電阻單元的熱串擾區域，并根據每個電阻單元的熱串擾區域內像素點數量和像素點對應熱輻射值的差異、電阻單元熱輻射區域的面積和整個紅外圖像的面積，確定電阻單元的熱串擾現象對紅外圖像的影響程度，根據影響程度對電阻陣列紅外成像進行控制。
8、進一步地，所述確定每個電阻單元的紅外輻射表現，包括的具體方法為：
9、計算第個電阻單元對應范圍內所有像素點的紅外輻射數據值的總和，記為第個電阻單元的紅外輻射表現。
10、進一步地，所述確定每個電阻單元的熱輻射區域，包括的具體計算方法為：
11、確定第個電阻單元對應范圍的四條邊的熱輻射區域邊界，將四條邊的熱輻射區域邊界所圍成的封閉區域，記為第個電阻單元的熱輻射區域。
12、進一步地，所述確定第個電阻單元對應范圍的四條邊的熱輻射區域邊界，包括的具體方法為：
13、計算第個電阻單元對應范圍的第條邊的熱輻射區域在相鄰電阻單元之間的區域占比與第一距離的乘積，記為第二距離，移動第個電阻單元對應范圍的第條邊，令第條邊與第個電阻單元對應范圍的中心的最短距離為第二距離，得到第個電阻單元對應范圍的第條邊對應的輻射區域的邊界；
14、按照第條邊對應的輻射區域的邊界的獲取方式，確定第個電阻單元對應范圍的其他三條邊的熱輻射區域邊界。
15、進一步地，所述第個電阻單元對應范圍的第條邊的熱輻射區域在相鄰電阻單元之間的區域占比與第一距離，包括的具體方法為：
16、將第條邊中心點與電阻單元對應范圍中心點的距離最近的電阻單元，記為第條邊的相鄰電阻單元，構建第個電阻單元與第條邊的相鄰電阻單元對應范圍的中心點之間直線上像素點的紅外輻射數據值的數據序列，獲取數據序列的一階差分序列；
17、計算紅外輻射數據值的數據序列的一階差分序列內負數的數量和中所有數據的數量之比，記為第一比值，將第個電阻單元與第條邊的相鄰電阻單元對應范圍的中心點之間的距離，記為第一距離，計算第個電阻單元的紅外輻射表現與第一距離的比值，記為第二比值，并對第二比值進行歸一化，將第一比值和歸一化后的第二比值的乘積，記為第個電阻單元對應范圍的第條邊的熱輻射區域在相鄰電阻單元之間的區域的占比。
18、進一步地，所述確定每個電阻單元的熱串擾區域，包括的具體方法為：
19、確定第個電阻單元熱輻射區域四條邊的熱串擾區域邊界，將所有邊的熱串擾區域邊界圍成的封閉矩形區域與熱輻射區域之間的區域，記為第個電阻單元的熱串擾區域。
20、進一步地，所述確定第個電阻單元熱輻射區域四條邊的熱串擾區域邊界，包括的具體方法為：
21、在第個電阻單元的熱輻射區域的上邊界中，從上邊界的中心點開始向第個電阻單元的熱輻射區域中心逐個像素點遍歷，計算第個像素點與個像素點的熱輻射數據差值絕對值，作為第個像素點的判斷值，預設第一閾值，將判斷值大于預設第一閾值的像素點，作為分割點，將最后一個分割點，作為目標點；
22、將第個電阻單元的熱輻射區域的上邊界向下平行移動至目標點處，得到上邊界對應的熱串擾區域邊界；
23、按照上邊界對應的熱串擾區域邊界的獲取方式，確定第個電阻單元的熱輻射區域其他邊界對應的熱串擾區域邊界。
24、進一步地，所述確定電阻單元的熱串擾現象對紅外圖像的影響程度，包括的具體方法為：
25、計算第個電阻單元熱串擾區域內所有像素點的數量和所有像素點的紅外輻射數據的方差的乘積，記為第一乘積，計算第個電阻單元的熱輻射區域面積與整個紅外圖像面積之比，記為第個電阻單元的熱輻射區域占比，將第一乘積和第個電阻單元的熱輻射區域占比的乘積，作為第個電阻單元的熱串擾區域對整體紅外圖像的影響程度。
26、進一步地，所述根據影響程度對電阻陣列紅外成像進行控制，包括的具體方法為：
27、使用歸一化函數將第個電阻單元的熱串擾區域對整體紅外圖像的影響程度歸一化至范圍內，預設第二閾值，當歸一化后的影響程度時，第個電阻單元的電流不變，當歸一化后的影響程度時，對第個電阻單元的電流進行逐步減少，直至首次出現調整電流后最終歸一化后的影響程度時結束。
28、基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制系統，包括存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器中并可在所述處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序時實現任意一項所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法的步驟。
29、本專利技術的技術方案的有益效果是：根據紅外圖像上電阻單元對應范圍內的像素點數量和像素點對應的紅外輻射數據值，確定每個電阻單元的紅外輻射表現，用于量化每個電阻單元的紅外輻射特性，為后續熱輻射區域確定提供基礎數據；根據電阻單元在紅外圖像上對應范圍內輻射數據的變化、每個電阻單元的紅外輻射表現和相鄰電阻單元對應范圍中心點之間的距離，確定每個電阻單元的熱輻射區域，精確每個電阻單元的熱輻射區域輪廓，進一步根據熱輻射區域確定熱串擾區域；根據電阻單元的熱輻射區域內相鄰像素點之間的熱輻射數據之間的差異，確定每個電阻單元的熱串擾區域，并根據每個電阻單元的熱串擾區域內像素點數量和像素點對應熱輻射值的差異、電阻單元熱輻射區域的面積和整個紅外圖像的面本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，所述確定每個電阻單元的紅外輻射表現，包括的具體方法為：
3.根據權利要求1所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，所述確定每個電阻單元的熱輻射區域，包括的具體計算方法為：
4.根據權利要求3所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，所述確定第個電阻單元對應范圍的四條邊的熱輻射區域邊界，包括的具體方法為：
5.根據權利要求4所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，所述第個電阻單元對應范圍的第條邊的熱輻射區域在相鄰電阻單元之間的區域占比與第一距離，包括的具體方法為：
6.根據權利要求1所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，所述確定每個電阻單元的熱串擾區域，包括的具體方法為：
7.根據權利要求6所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，所述確定第個電阻單元熱輻射區域四條邊的熱串擾區域邊界，
8.根據權利要求1所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，所述確定電阻單元的熱串擾現象對紅外圖像的影響程度，包括的具體方法為：
9.根據權利要求1所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，所述根據影響程度對電阻陣列紅外成像進行控制，包括的具體方法為：
10.基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制系統，包括存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器中并可在所述處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序時實現如權利要求1~9任意一項所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法的步驟。
...【技術特征摘要】
1.基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，所述確定每個電阻單元的紅外輻射表現，包括的具體方法為：
3.根據權利要求1所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，所述確定每個電阻單元的熱輻射區域，包括的具體計算方法為：
4.根據權利要求3所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，所述確定第個電阻單元對應范圍的四條邊的熱輻射區域邊界，包括的具體方法為：
5.根據權利要求4所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，其特征在于，所述第個電阻單元對應范圍的第條邊的熱輻射區域在相鄰電阻單元之間的區域占比與第一距離，包括的具體方法為：
6.根據權利要求1所述基于遷移學習的電阻陣列紅外成像控制方法，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：竇曉牧，王剛，楊紅亮，
申請(專利權)人：南京高商機電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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