【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及陶瓷基微系統(tǒng)集成外殼，具體為一種3d堆疊形式的陶瓷封裝管殼。
技術(shù)介紹
1、陶瓷基微系統(tǒng)集成外殼能夠?qū)⒉煌碾娮釉骷鐢?shù)字集成電路、rf集成電路、無源元件、傳感器天線等都集成到一個完整的系統(tǒng)里，能夠包含常用單元模塊，微系統(tǒng)集成技術(shù)具有封裝集成度高、工藝兼容性好、電性能好、成本低和可靠性高等有點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于航空航天和軍事電子領(lǐng)域。
2、但是目前基本是單獨(dú)htcc的管殼通過傳輸線進(jìn)行連接，單獨(dú)htcc的管殼沒辦法把tr收發(fā)組件放在一起，必須要放在兩個管殼里，從而導(dǎo)致在封裝tr收發(fā)組件時，采用的是兩個陶瓷分別封裝t和r組件，在裝配平面上用轉(zhuǎn)接線連接，此類產(chǎn)品不僅會增加轉(zhuǎn)接線的成本，同時也會大面積占用平面上的空間，導(dǎo)致整體裝配組件變大。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本專利技術(shù)目的是提供一種3d堆疊形式的陶瓷封裝管殼。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)是技術(shù)方案如下：
3、一種3d堆疊形式的陶瓷封裝管殼，包括由上至下依次設(shè)置的上基板、中基板與下基板，所述上基板與所述中基板之間通過銅組件一連接且形成容納腔一，所述中基板與所述下基板之間通過銅組件二連接且形成容納腔二，所述容納腔一與所述容納腔二內(nèi)分別放置有收發(fā)組件的t與r，所述銅組件一及所述銅組件二一端分別與所述上基板及所述下基板通過dpc工藝電鍍連接，所述銅組件一及所述銅組件二另一端分別焊接在所述中基板的兩側(cè)。
4、優(yōu)選的，所述銅組件一與所述銅組件二均包括用于密封焊
5、優(yōu)選的，電鍍所述銅圍壩的精度偏差不大于60um。
6、優(yōu)選的，所述銅組件一及所述銅組件二均通過金錫焊料與所述中基板焊接。
7、優(yōu)選的，所述上基板與所述下基板均設(shè)置為采用dpc薄膜工藝制作而成的基板。
8、優(yōu)選的，所述上基板設(shè)置為dpc氮化鋁陶瓷基板。
9、優(yōu)選的，所述下基板設(shè)置為dpc氧化鋁陶瓷基板。
10、優(yōu)選的，所述中基板設(shè)置為htcc氧化鋁陶瓷基板。
11、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的有益效果為：
12、1、本專利技術(shù)通過電鍍銅圍壩這種方式在z軸上進(jìn)行t和r組件進(jìn)行連接，極大的節(jié)省平面上的空間以及成本，同時通過dpc電鍍銅的方式來進(jìn)行電鍍銅柱，通過干膜來限制電鍍銅柱的位置，使銅柱只能在規(guī)定的區(qū)域內(nèi)電鍍起來，無需模具定位且精度很高；
13、2、本專利技術(shù)以dpc氮化鋁陶瓷基板、htcc氧化鋁陶瓷基板與dpc氧化鋁陶瓷基板分別作為上中下電路基板，運(yùn)用厚薄膜印刷技術(shù)，包含多種微波傳輸結(jié)構(gòu)，利用電鍍銅實(shí)現(xiàn)隔離、氣密和散熱功能，用于微波多芯片模塊、組件及子系統(tǒng)，是當(dāng)前電子設(shè)備小型化、集成化發(fā)展的趨勢，采用基板集成的一體化技術(shù)和三維封裝結(jié)構(gòu)可以滿足系統(tǒng)及子系統(tǒng)封裝需求，結(jié)構(gòu)緊湊，集成度高。
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1.一種3D堆疊形式的陶瓷封裝管殼，其特征在于：包括由上至下依次設(shè)置的上基板(1)、中基板(3)與下基板(5)，所述上基板(1)與所述中基板(3)之間通過銅組件一(2)連接且形成容納腔一，所述中基板(3)與所述下基板(5)之間通過銅組件二(4)連接且形成容納腔二，所述容納腔一與所述容納腔二內(nèi)分別放置有收發(fā)組件的T與R，所述銅組件一(2)及所述銅組件二(4)一端分別與所述上基板(1)及所述下基板(5)通過DPC工藝電鍍連接，所述銅組件一(2)及所述銅組件二(4)另一端分別焊接在所述中基板(3)的兩側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種3D堆疊形式的陶瓷封裝管殼，其特征在于：所述銅組件一(2)與所述銅組件二(4)均包括用于密封焊接的銅圍壩與用于信號連接的銅柱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種3D堆疊形式的陶瓷封裝管殼，其特征在于：電鍍所述銅圍壩的精度偏差不大于60um。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種3D堆疊形式的陶瓷封裝管殼，其特征在于：所述銅組件一(2)及所述銅組件二(4)均通過金錫焊料與所述中基板(3)焊接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種3D堆疊形式的陶瓷封裝管殼，其特征在于：所述上基板(1)設(shè)置為DPC氮化鋁陶瓷基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種3D堆疊形式的陶瓷封裝管殼，其特征在于：所述下基板(5)設(shè)置為DPC氧化鋁陶瓷基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種3D堆疊形式的陶瓷封裝管殼，其特征在于：所述中基板(3)設(shè)置為HTCC氧化鋁陶瓷基板。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種3d堆疊形式的陶瓷封裝管殼，其特征在于：包括由上至下依次設(shè)置的上基板(1)、中基板(3)與下基板(5)，所述上基板(1)與所述中基板(3)之間通過銅組件一(2)連接且形成容納腔一，所述中基板(3)與所述下基板(5)之間通過銅組件二(4)連接且形成容納腔二，所述容納腔一與所述容納腔二內(nèi)分別放置有收發(fā)組件的t與r，所述銅組件一(2)及所述銅組件二(4)一端分別與所述上基板(1)及所述下基板(5)通過dpc工藝電鍍連接，所述銅組件一(2)及所述銅組件二(4)另一端分別焊接在所述中基板(3)的兩側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種3d堆疊形式的陶瓷封裝管殼，其特征在于：所述銅組件一(2)與所述銅組件二(4)均包括用于密封焊接的銅圍壩與用于信號連接的銅柱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種3d堆疊形式的陶瓷封裝管殼，其特...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉阿敏，方大玉，王帥，孫成偉，金東穎，張依波，
申請(專利權(quán))人：六安鴻安信電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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