【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造，尤其涉及一種碳化硅晶圓及其制備方法。
技術介紹
1、碳化硅材料由于具有化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能佳等優點，被越來越廣泛的用作高溫、高電壓以及大功率的電子器件的襯底晶圓。當前為了制備高質量的碳化硅晶圓，通常需要對具有較高厚度的碳化硅基底進行研磨，通過研磨掉部分厚度的碳化硅基底來得到所需厚度的碳化硅晶圓。但是，這種通過研磨制備碳化硅晶圓的方法，不僅費時費力，導致碳化硅晶圓的制備效率低，而且造成了碳化硅材料的浪費，增加了碳化硅晶圓的制造成本。
2、因此，如何簡化碳化硅晶圓的制備工藝，提高碳化硅晶圓的制備效率，并降低碳化硅晶圓的制備成本以及改善制備得到的碳化硅晶圓的質量，是當前亟待解決的技術問題。
技術實現思路
1、本專利技術提供一種碳化硅晶圓及其制備方法，用于簡化碳化硅晶圓的制備工藝，提高碳化硅晶圓的制備效率，并降低碳化硅晶圓的制備成本以及改善制備得到的碳化硅晶圓的質量。
2、根據一些實施例，本專利技術提供了一種碳化硅晶圓的制備方法，包括如下步驟：
3、提供碳化硅基底，所述碳化硅基底包括沿第一方向相對分布的第一表面和第二表面；
4、注入摻雜離子至所述碳化硅基底，于所述碳化硅基底內形成一剝離層；
5、激活處理所述碳化硅基底的所述第一表面，以于所述碳化硅基底的所述第一表面形成親水性鍵合基團；
6、以所述第一表面朝向支撐基底的方向鍵合所述碳化硅基底至所述支撐基底表面；
...【技術保護點】
1.一種碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，注入摻雜離子至所述碳化硅基底，于所述碳化硅基底內形成剝離層的具體步驟包括：自所述碳化硅基底的所述第一表面注入所述摻雜離子至所述碳化硅基底內，于所述碳化硅基底內形成剝離層，所述剝離層將所述碳化硅基底分隔為包括所述第一表面的第一碳化硅層和包括所述第二表面的第二碳化硅層，所述第一碳化硅層和所述第二碳化硅層沿所述第一方向分布于所述剝離層的相對兩側。
3.根據權利要求1所述的碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，所述摻雜離子為氫離子。
4.根據權利要求1所述的碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，所述支撐基底的材料包括碳化硅，且所述支撐基底中碳化硅的百分比含量低于所述碳化硅基底中碳化硅的百分比含量。
5.根據權利要求4所述的碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，激活處理所述碳化硅基底的所述第一表面，以于所述碳化硅基底的所述第一表面形成親水性鍵合基團的具體步驟包括：
6.根據權利要求5所述的碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，所述氨
7.根據權利要求5所述的碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，所述支撐基底包括上表面和與所述上表面相對的下表面；以所述第一表面朝向支撐基底的方向鍵合所述碳化硅基底至所述支撐基底表面的具體步驟還包括：
8.根據權利要求4所述的碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，于所述剝離層的位置分割所述碳化硅基底，以一所述支撐基底及其表面剩余的所述碳化硅基底共同作為一碳化硅晶圓的具體步驟包括：
9.根據權利要求8所述的碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，對所述碳化硅基底實施第一熱處理工藝，于所述剝離層的位置剝離所述第二碳化硅層之后，還包括如下步驟：
10.一種碳化硅晶圓，其特征在于，采用如權利要求1所述的碳化硅晶圓的制備方法形成；所述碳化硅晶圓包括：
...【技術特征摘要】
1.一種碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，注入摻雜離子至所述碳化硅基底，于所述碳化硅基底內形成剝離層的具體步驟包括：自所述碳化硅基底的所述第一表面注入所述摻雜離子至所述碳化硅基底內，于所述碳化硅基底內形成剝離層，所述剝離層將所述碳化硅基底分隔為包括所述第一表面的第一碳化硅層和包括所述第二表面的第二碳化硅層，所述第一碳化硅層和所述第二碳化硅層沿所述第一方向分布于所述剝離層的相對兩側。
3.根據權利要求1所述的碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，所述摻雜離子為氫離子。
4.根據權利要求1所述的碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，所述支撐基底的材料包括碳化硅，且所述支撐基底中碳化硅的百分比含量低于所述碳化硅基底中碳化硅的百分比含量。
5.根據權利要求4所述的碳化硅晶圓的制備方法，其特征在于，激活處理所述碳化硅基底的所述第一表面，以于...
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙路，張俊，李煒，施榮榮，
申請(專利權)人：上海新傲科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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