【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，具體為cmp中使用的納米氧化鈰的制備方法及其應用。
技術介紹
1、氧化鈰作為磨料應用于半導體制備工藝中，其廣泛關注主要是由于二氧化鈰對二氧化硅的高拋光活性，并且其在較低的固含量下即實現到高的拋光效果，因此，以氧化鈰為磨料的化學機械拋光液在性能和成本上相比于傳統的氧化硅或氧化鋁材料具有更大的應用前景和市場優勢。
2、國內合成的氧化鈰是高溫燒制碳酸鈰得到的，比表面小，讓氧化鈰失去活性，同時磨削率很低，打磨效果較低，大多還是需要進口材料在公開文件cn108249469?a中提出了水熱法的方式進行制備氧化鈰顆粒，其所合成氧化鈰無需其它特殊處理，具有良好的分散性和拋光活性，可作為磨料應用于st?i拋光，但是其耐久性和硬度上并未提升，同時對于氧化鈰的活性沒有明顯的提升性，不能進一步的滿足使用需求，為此提出cmp中使用的納米氧化鈰的制備方法及其應用。
3、本
技術介紹
所公開的上述信息僅僅用于增加對本申請
技術介紹
的理解，因此，其可能包括不構成本領域普通技術人員已知的現有技術。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供cmp中使用的納米氧化鈰的制備方法及其應用，以解決上述
技術介紹
中提出的問題。
2、為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案：包括以下步驟：
3、步驟一、取硝酸鈰將其溶解在水溶液或者乙醇溶液中進行混合攪拌，得到前驅體溶液，在混合時也可以加入硝酸鑭和硝酸釹，得出混合的前驅體溶液；
4、步驟二、向前驅體溶液中
5、步驟三、在混合溶液攪拌的情況下加入適量的水和檸檬酸為螯合劑，控制反應條件使溶液逐漸形成凝膠；
6、步驟四、將形成的凝膠在在80-100℃下烘干，然后在空氣或者惰性氣氛中煅燒，溫度控制在500-700℃之間，煅燒時間為2-4小時，得出氧化鈰顆粒。
7、優選的，在制備混合前驅體溶液時硝酸鑭和硝酸釹的添加總分量為硝酸鈰的1:10，其中硝酸鑭和硝酸釹之間的占比為1:1。
8、優選的，添加的表面活性劑可以選擇十六烷基三甲基溴化銨或高分子物質(如聚乙二醇(peg))置于溫和的溫度下60-80℃下進行攪拌。
9、優選的，在添加水和檸檬酸時，攪拌時間為30-60分鐘，溫度條件為50-80℃。
10、納米氧化鈰的應用，包括以下步驟：
11、(1)氧化鈰顆粒的預制備：
12、將氧化鈰顆粒放入去離子水、乙醇或其他溶劑中，作為分撒介質，在分散過程中加入適量的分散劑(如聚乙烯吡咯烷酮(pvp)、聚乙二醇(peg)等)以防止顆粒團聚；
13、使用超聲波振蕩器處理30分鐘至數小時，直至顆粒均勻分散，超聲波功率和時間需要根據顆粒的性質和分散效果進行調整，在處理后使用機械攪拌或球磨進一步處理；
14、根據拋光液的總重量，添加適量的穩定劑(通常為顆粒重量的1-5％)，加入穩定劑后，繼續超聲波處理或攪拌，確保穩定劑均勻分布。
15、(2)拋光液的配制：
16、濃度調整：根據應用需求，確定拋光液中氧化鈰顆粒的濃度。通常濃度在1-10wt％范圍內，通過稀釋或濃縮調整溶液至所需濃度；
17、使用ph調節劑(如氨水)調整拋光液的ph值至所需范圍，ph值在7-10之間，以確保良好的拋光效果和顆粒穩定性；
18、將拋光液在攪拌下混合均勻，確保所有成分均勻分布；
19、使用0.45微米的微孔濾膜過濾拋光液，去除大顆粒和雜質，確保拋光液的均勻性和純凈度。
20、綜上所述，本申請包括以下有益技術效果：
21、通過加入硝酸鑭和硝酸釹等稀土元素能夠提高氧化鈰的機械性能和化學穩定性，增強其對玻璃、硅晶片等材料的拋光效率，摻雜稀土元素還可以調控氧空位的分布，提高氧化鈰的活性，硼或磷的摻雜可以進一步調整氧化鈰的晶體結構，增加其拋光顆粒的硬度和耐用性，適合用于高硬度材料的拋光，制備具有介孔結構的氧化鈰顆粒可以增加其比表面積，從而提高其活性和拋光效率，特別適用于對表面精度要求較高的材料。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.CMP中使用的納米氧化鈰的制備方法，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的CMP中使用的納米氧化鈰的制備方法，其特征在于：在制備混合前驅體溶液時硝酸鑭和硝酸釹的添加總分量為硝酸鈰的1:10，其中硝酸鑭和硝酸釹之間的占比為1:1。
3.根據權利要求1所述的CMP中使用的納米氧化鈰的制備方法，其特征在于：添加的表面活性劑可以選擇十六烷基三甲基溴化銨或高分子物質(如聚乙二醇(PEG))置于溫和的溫度下60-80℃下進行攪拌。
4.根據權利要求1所述的CMP中使用的納米氧化鈰的制備方法，其特征在于：在添加水和檸檬酸時，攪拌時間為30-60分鐘，溫度條件為50-80℃。
5.根據權利要求1所述的納米氧化鈰的應用，包括以下步驟：
【技術特征摘要】
1.cmp中使用的納米氧化鈰的制備方法，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的cmp中使用的納米氧化鈰的制備方法，其特征在于：在制備混合前驅體溶液時硝酸鑭和硝酸釹的添加總分量為硝酸鈰的1:10，其中硝酸鑭和硝酸釹之間的占比為1:1。
3.根據權利要求1所述的cmp中使用的納米氧化鈰的制備方法，其特征在于：添加的表...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王燕，夏魁，
申請(專利權)人：龍巖英偉凌電子器件有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。