【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體處理，特別是涉及一種半導體加工設備。
技術介紹
1、半導體加工設備，如薄膜沉積設備、熱處理設備及蝕刻設備等均包括一反應腔，半導體襯底或晶圓等元件放置在反應腔內進行相應的處理。同時，反應腔內部還設有一支撐半導體襯底或晶圓等元件的支撐體。在將上述的半導體襯底或晶圓等元件從支撐體上取出或放在所述支撐體上時，業界通常有二種結構，一種是在反應腔上部設置一蓋體，在將上述的半導體襯底或晶圓等元件從支撐體上取出或放在所述支撐體上時，通過一機構結構將蓋體打開，通過機械手等裝置將上述半導體襯底或晶圓等元件從支撐體上取出或放在所述支撐體上。第二種結構是設計一種與所述支撐體配合的垂直運動裝置，由此垂直運動裝置帶動所述支撐體從反應腔中出來或進入上述反應腔，從而完成將上述半導體襯底或晶圓等元件從支撐體上取出或放入的操作。上述二種結構存在的問題的結構復雜，不利于降低成本，并且需要較大的操作空間，不利于降低設備的占用空間。同時，上述結構在打開蓋體或將支撐體退出反應腔時，會影響反應腔內的氣氛(如導致外部氣體進入或氣壓變化)或導致熱量流失等，因此需增加設置相應的密封裝置等，從而造成設備結構更加復雜。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種半導體加工設備，工作的靈活度高且結構緊湊，可實現空間的有效利用。
2、一種半導體加工設備，包括外殼、用于支撐外殼的底座、反應腔及裝設于反應腔內的晶圓承載結構，所述反應腔包括反應腔體i和反應腔體ii；所述外殼上設有與晶
3、在其中一個實施例中，所述外殼包括殼體i和殼體ii，其中殼體ii位于殼體i的上方，所述殼體i固定安裝在底座上，且底座呈框架結構。
4、進一步地，所述反應腔體i位于殼體i內，且反應腔體ii位于殼體ii內；所述反應腔體i包括第一保溫層和包覆固定在第一保溫層上的第二保溫層，所述反應腔體ii包括第三保溫層和包覆固定在第三保溫層上的第四保溫層。
5、再進一步地，所述第一保溫層和第三保溫層之間形成有用于容置晶圓承載結構的收容空間，且晶圓承載結構包括水平布設的兩組電極柱、于豎向上平行布設的加熱板和支撐板；所述加熱板垂直設置于兩組電極柱之間，且加熱板和電極柱的電極頭部相固定，所述支撐板間隔分布在所述加熱板之間處；所述電極柱上絕緣連接有支撐柱，其位于電極頭部的前方，所述支撐板和支撐柱相固定，且支撐板上均勻貫通開設有多個通孔。
6、更進一步地，所述殼體ii頂部固定安裝有蓋板，所述底座上裝設有支架，所述殼體ii上部設有升降驅動結構，所述升降驅動結構驅動所述殼體ii相對殼體i做上下運動；所述殼體ii上固定安裝有兩組導向件，其滑動套設在支架架桿上。
7、在其中一個實施例中，所述設備還包括用于排出反應腔內氣體的出氣管、用于向反應腔內送入氣體的進氣管、以及位于外殼內的冷卻結構；所述位置調節結構包括垂直固定安裝在蓋板中心位置處的中空圓柱、固定安裝在所述中空圓柱上的電缸、位于中空圓柱內且固定在電缸輸出端處的連接桿、以及套設于連接桿外的波紋管。
8、進一步地，兩組升降驅動結構水平分布在中空圓柱的相對應兩側位置處，所述波紋管上端和連接桿相固定，且波紋管下端和蓋板密封固定，所述連接桿貫穿蓋板的端部通過連接件和反應腔體ii螺紋連接；所述連接桿為空心結構，且出氣管豎向裝設在連接桿內，所述出氣管出氣端固定貫穿安裝在連接桿的相對應一側壁處，且出氣管出氣端位于波紋管的上方，所述中空圓柱相對應一側壁處開設有開槽。
9、再進一步地，所述殼體i相對應一側壁處固定貫穿連接有通道，且通道和真空泵相連通；所述殼體i中固定安裝有用于承托反應腔體ii的隔板，其上貫通開設有多個通風孔；所述隔板位于通道的上方，且隔板橫向設置，所述隔板外表面和殼體i內壁相連接。
10、在其中一個實施例中，所述冷卻結構包括作用于晶圓承載結構的冷卻組件i、作用于出氣管的冷卻組件ii；所述冷卻組件i包括裝設在殼體i中的絕緣殼體、位于絕緣殼體內的冷卻液進管；所述進氣管位于絕緣殼體內；所述冷卻組件ii包括形成于出氣管和連接桿之間的水冷通道、固定安裝在連接桿上的進水管和出水管。
11、與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：結構上采用分體設計，可進行上下分離，工作的靈活度高，設備空間緊湊且內外雙層設計使得保溫效果更好，此外，晶圓承載結構上無需設置單獨的支撐措施，可有效利用空間，且還兼具加熱功能，功能集成度好，無需另設加熱措施。
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1.一種半導體加工設備，包括外殼、用于支撐外殼的底座(3)、反應腔及裝設于反應腔內的晶圓承載結構，其特征在于，所述反應腔包括反應腔體I(8)和反應腔體II(9)；所述外殼上設有與晶圓承載結構對應的取放料口；所述設備還包括作用在反應腔體II(9)上的位置調節結構，其令反應腔體II(9)相對反應腔體I(8)在外殼內部做垂直運動。
2.根據權利要求1所述的一種半導體加工設備，其特征在于，所述外殼包括殼體I(1)和殼體II(2)，其中殼體II(2)位于殼體I(1)的上方，所述殼體I(1)固定安裝在底座(3)上，且底座(3)呈框架結構。
3.根據權利要求2所述的一種半導體加工設備，其特征在于，所述反應腔體I(8)位于殼體I(1)內，且反應腔體II(9)位于殼體II(2)內；
4.根據權利要求3所述的一種半導體加工設備，其特征在于，所述第一保溫層(10)和第三保溫層(12)之間形成有用于容置晶圓承載結構的收容空間，且晶圓承載結構包括水平布設的兩組電極柱(14)、于豎向上平行布設的加熱板(15)和支撐板(16)；
5.根據權利要求4所述的一種半導
6.根據權利要求5所述的一種半導體加工設備，其特征在于，所述設備還包括用于排出反應腔內氣體的出氣管(21)、用于向反應腔內送入氣體的進氣管(24)、以及位于外殼內的冷卻結構；
7.根據權利要求6所述的一種半導體加工設備，其特征在于，兩組升降驅動結構(7)水平分布在中空圓柱(17)的相對應兩側位置處，所述波紋管(20)上端和連接桿(19)相固定，且波紋管(20)下端和蓋板(6)密封固定，所述連接桿(19)貫穿蓋板(6)的端部通過連接件和反應腔體II(9)螺紋連接；
8.根據權利要求7所述的一種半導體加工設備，其特征在于，所述殼體I(1)相對應一側壁處固定貫穿連接有通道(4)，且通道(4)和真空泵相連通；所述殼體I(1)中固定安裝有用于承托反應腔體II(9)的隔板(5)，其上貫通開設有多個通風孔；
9.根據權利要求8所述的一種半導體加工設備，其特征在于，所述冷卻結構包括作用于晶圓承載結構的冷卻組件I、作用于出氣管(21)的冷卻組件II；所述冷卻組件I包括裝設在殼體I(1)中的絕緣殼體、位于絕緣殼體內的冷卻液進管(23)；所述進氣管(24)位于絕緣殼體內；
...【技術特征摘要】
1.一種半導體加工設備，包括外殼、用于支撐外殼的底座(3)、反應腔及裝設于反應腔內的晶圓承載結構，其特征在于，所述反應腔包括反應腔體i(8)和反應腔體ii(9)；所述外殼上設有與晶圓承載結構對應的取放料口；所述設備還包括作用在反應腔體ii(9)上的位置調節結構，其令反應腔體ii(9)相對反應腔體i(8)在外殼內部做垂直運動。
2.根據權利要求1所述的一種半導體加工設備，其特征在于，所述外殼包括殼體i(1)和殼體ii(2)，其中殼體ii(2)位于殼體i(1)的上方，所述殼體i(1)固定安裝在底座(3)上，且底座(3)呈框架結構。
3.根據權利要求2所述的一種半導體加工設備，其特征在于，所述反應腔體i(8)位于殼體i(1)內，且反應腔體ii(9)位于殼體ii(2)內；
4.根據權利要求3所述的一種半導體加工設備，其特征在于，所述第一保溫層(10)和第三保溫層(12)之間形成有用于容置晶圓承載結構的收容空間，且晶圓承載結構包括水平布設的兩組電極柱(14)、于豎向上平行布設的加熱板(15)和支撐板(16)；
5.根據權利要求4所述的一種半導體加工設備，其特征在于，所述殼體ii(2)頂部固定安裝有蓋板(6)，所述底座(3)上裝設有支架，所述殼體ii(2)上部...
【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭國，楊正平，
申請(專利權)人：上海衍梓智能科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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