【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本公開涉及例如半導體晶片的工件的光學檢驗。
技術介紹
1、半導體制造產業的演進對良率管理及特定來說計量及檢驗系統提出越來越高的要求。關鍵尺寸不斷縮小，但產業需要減少用于實現高良率、高價值生產的時間。最小化從檢測到良率問題到解決所述問題的總時間最大化半導體制造商的投資回報率。
2、制造例如邏輯及存儲器裝置的半導體裝置通常包含使用大量制造工藝來處理例如半導體晶片的工件以形成半導體裝置的各種特征及多個層級。舉例來說，光刻是涉及將圖案從光罩轉印到布置于半導體晶片上的光致抗蝕劑的半導體制造工藝。半導體制造工藝的額外實例包含但不限于化學機械拋光(cmp)、蝕刻、沉積及離子植入。可將在單一半導體晶片上制造的多個半導體裝置的布置分離成個別半導體裝置。
3、在半導體制造期間的各個步驟使用檢驗工藝來檢測晶片上的缺陷以促進制造工藝中的較高良率及因此較高利潤。檢驗始終為制造例如集成電路(ic)的半導體裝置的重要部分。然而，隨著半導體裝置的尺寸減小，檢驗對于可接受半導體裝置的成功制造來說變得更為重要，這是因為較小缺陷可能引起裝置故障。例如，隨著半導體裝置的尺寸減小，尺寸減小的缺陷的檢測已變得有必要，這是因為甚至相對較小缺陷仍可引起半導體裝置中的非所要像差。
4、一些工件包含具有多個芯片的裸片。具有多個芯片的某些裸片設計(例如系統級封裝(sip)、薄膜框架載體(ffc)或3d集成電路(3d?ic))可使檢驗變得困難。每一裸片可不同地打印，這限制通過比較相鄰裝置進行檢驗的能力。
5、現有技術使用鄰近裸片減除或基
6、因此，需要經改進方法及系統。
技術實現思路
1、在第一實施例中提供一種方法。所述方法包含在處理器處接收包含具有多個芯片的裸片的工件的目標圖像及包含所述裸片的設計的設計文件。使用所述處理器，通過用于圖像間轉譯的深度卷積神經網絡基于所述設計文件產生所述裸片的參考光學圖像。使用所述處理器從所述目標圖像減除所述參考光學圖像，借此產生差異圖像。使用所述處理器，基于包含所述裸片的所述設計的所述設計文件產生所述裸片的執行時期關照區域掩模。使用所述處理器，針對所述差異圖像應用所述執行時期關照區域掩模，借此產生經遮蔽差異圖像。使用所述處理器，針對所述經遮蔽差異圖像應用閾值，借此產生經二值化缺陷圖像。所述裸片可包含至少一個sip裝置、ffc或3d?ic。
2、所述深度卷積神經網絡可為循環生成對抗網絡。
3、所述設計文件可為圖形設計系統文件。
4、所述方法可包含在所述減除之前將所述目標圖像及所述參考光學圖像對準。
5、所述方法可包含使用所述處理器使用所述執行時期關照區域掩模從所述目標圖像提取關照區域圖像。
6、所述方法可包含使用光學檢驗系統來產生所述目標圖像。
7、存儲程序的非暫時性計算機可讀媒體可經配置以指示所述處理器執行所述第一實施例的所述方法。
8、在第二實施例中提供一種系統。所述系統包含：光源，其產生光束；載物臺，其經配置以將工件固持在所述光束的路徑中；檢測器，其經配置以接收從所述工件反射的所述光束；及處理器，其與所述檢測器電子通信。所述工件包含具有多個芯片的裸片。所述處理器經配置以：基于來自所述檢測器的信息產生所述工件的目標圖像；接收包含所述裸片的設計的設計文件；通過用于圖像間轉譯的深度卷積神經網絡基于所述設計文件產生所述裸片的參考光學圖像；從所述目標圖像減除所述參考光學圖像，借此產生差異圖像；基于包含所述裸片的所述設計的所述設計文件產生所述裸片的執行時期關照區域掩模；針對所述差異圖像應用所述執行時期關照區域掩模，借此產生經遮蔽差異圖像；且針對所述經遮蔽差異圖像應用閾值，借此產生經二值化缺陷圖像。所述裸片可包含至少一個sip裝置、ffc或3dic。
9、所述深度卷積神經網絡可為循環生成對抗網絡。
10、所述設計文件可為圖形設計系統文件。
11、所述處理器可進一步經配置以在所述減除之前將所述目標圖像及所述參考光學圖像對準。
12、所述處理器可進一步經配置以使用所述執行時期關照區域掩模從所述目標圖像提取關照區域圖像。
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1.一種方法，其包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述裸片包含至少一個系統級封裝裝置。
3.根據權利要求1所述的方法，其中所述裸片包含薄膜框架載體。
4.根據權利要求1所述的方法，其中所述裸片包含3D集成電路。
5.根據權利要求1所述的方法，其中所述深度卷積神經網絡是循環生成對抗網絡。
6.根據權利要求1所述的方法，其中所述設計文件是圖形設計系統文件。
7.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在所述減除之前將所述目標圖像及所述參考光學圖像對準。
8.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括使用所述處理器使用所述執行時期關照區域掩模從所述目標圖像提取關照區域圖像。
9.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括使用光學檢驗系統來產生所述目標圖像。
10.一種存儲程序的非暫時性計算機可讀媒體，其經配置以指示所述處理器執行根據權利要求1所述的方法。
11.一種系統，其包括：
12.根據權利要求11所述的系統，其中所述裸片包含至少一個系統級封裝裝置、薄膜
13.根據權利要求11所述的系統，其中所述深度卷積神經網絡是循環生成對抗網絡。
14.根據權利要求11所述的系統，其中所述設計文件是圖形設計系統文件。
15.根據權利要求11所述的系統，其中所述處理器進一步經配置以在所述減除之前將所述目標圖像及所述參考光學圖像對準。
16.根據權利要求11所述的系統，其中所述處理器進一步經配置以使用所述執行時期關照區域掩模從所述目標圖像提取關照區域圖像。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種方法，其包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述裸片包含至少一個系統級封裝裝置。
3.根據權利要求1所述的方法，其中所述裸片包含薄膜框架載體。
4.根據權利要求1所述的方法，其中所述裸片包含3d集成電路。
5.根據權利要求1所述的方法，其中所述深度卷積神經網絡是循環生成對抗網絡。
6.根據權利要求1所述的方法，其中所述設計文件是圖形設計系統文件。
7.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在所述減除之前將所述目標圖像及所述參考光學圖像對準。
8.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括使用所述處理器使用所述執行時期關照區域掩模從所述目標圖像提取關照區域圖像。
9.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括使用光學檢驗系...
【專利技術屬性】
技術研發人員：P·K·佩拉利，S·穆圖克里希南，H·巴特，A·S·薩哈德瓦雷迪，
申請(專利權)人：科磊股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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