【技術實現步驟摘要】
本申請涉及光學測量與檢測，尤其涉及一種寬溫度范圍電光q開關動態消光比測試方法及裝置。
技術介紹
1、電光調q技術是實現窄脈寬、高峰值功率脈沖激光的關鍵技術，電光q開關廣泛應用于調q激光器中，電光晶體是決定電光q開關性能的關鍵元件，其消光比對于激光器的調q性能有很大的影響。在實際應用時，電光晶體內部殘留的應力以及熱不均勻性引起的應力等會導致電光晶體存在一定退偏度，從而導致電光q開關消光比降低。因此，對電光q開關消光比進行測試，可以直觀評判其性能的優劣。此外，許多晶體光學器件在實際應用時往往要經歷一個較寬的溫度范圍，特別是在軍用領域，工作溫度范圍一般為-50℃～70℃。由于晶體存在電光效應、壓電效應等多種效應，溫度變化可能導致晶體性能的變化，進而導致器件性能的溫度不穩定性。例如基于磷酸鈦氧銣(rtp)晶體電光調q軍用脈沖固體激光器，在其實際應用中發現，激光器在高低溫環境下存在關門能力差、動態輸出能量降低等問題。因此，分析高低溫環境下電光開關性能的變化是探明激光器性能下降的有效手段。
2、rtp作為雙軸晶體，應用時需要采用兩塊晶體配對以補償自然雙折射，目前較多采用錐光干涉技術對晶體的光學質量以及兩晶體的匹配程度進行檢測，觀察通光面內不同區域的錐光干涉圖圖樣，從而對單塊晶體的光學均勻性以及兩塊晶體的匹配質量進行判斷。但是，采用錐光干涉技術對電光q開關性能進行表征，僅可定性分析，影響因素較多，無法量化測試結果，難以與激光器實驗中關門情況效果一一對應。
技術實現思路
1、本申請實施
2、本申請實施例提供一種寬溫度范圍電光q開關動態消光比測試裝置，包括：
3、試驗箱，提供溫度環境，且可置入光學平板，所述光學平板作為光學器件的安裝平面，其中所述光學平板上沿光路方向設置有準直鏡、光闌、起偏器、檢偏器和耦合鏡；
4、待測電光晶體設置在所述起偏器和所述檢偏器之間，所述耦合鏡輸出至所述試驗箱外部的功率計；
5、所述待測電光晶體，通過導線連接至所述試驗箱外部的供電模塊；
6、所述準直鏡、所述耦合鏡分別基于相應的光纖法蘭設置；
7、激光器，置于所述試驗箱外部，發出的激光輸入至所述準直鏡；
8、所述功率計，用于探測耦合鏡聚焦后輸出激光的功率。
9、可選的，包括：所述激光器為具有設定波長的激光器；
10、所述待測電光晶體采用磷酸鈦氧銣(rtp)晶體，且具有設定規格。
11、本申請實施例還提出一種寬溫度范圍電光q開關動態消光比測試方法，基于如前述的寬溫度范圍電光q開關動態消光比測試裝置實現，包括：
12、進行光路準直確定基準光路；
13、在常溫環境下，連接光路并調整光路上的光學器件；
14、在光路中先不插入待測電光晶體，以調節檢偏器的透振方向分別與起偏器透振方向平行或垂直，并確定系統消光比；
15、調節檢偏器和起偏器的透振方向相互垂直，將所述待測電光晶體安裝在試驗箱的光學平板上，并調節俯仰偏擺和位置，使激光光路通過所述待測電光晶體的中心且紅光經所述待測電光晶體的反射光與紅光發射端重合；
16、連同所述光學平板置入試驗箱，并開啟所述試驗箱，以測量所述待測電光晶體在不同溫度下的動態消光比。
17、可選的，進行光路準直確定基準光路包括：
18、使用he-ne紅光激光器進行光路準直，調節he-ne紅光激光器使其輸出光平行于光學平臺，以作為基準光路。
19、可選的，在光路中先不插入待測電光晶體，以調節檢偏器的透振方向分別與起偏器透振方向平行或垂直，并確定系統消光比包括：
20、記錄平行時透過的功率pmax與垂直時透過的功率pmin，功率pmax與功率pmin比值即為消光比。
21、可選的，測量所述待測電光晶體在不同溫度下的動態消光比包括：
22、基于所述試驗箱，設定溫控程序；
23、測量所述待測電光晶體在不同溫度下的動態消光比，在對所述待測電光晶體施加和不施加連續半波電壓狀態下，分別測量透過的激光功率p1、p2，激光功率p1、p2之比為電光q開關的動態消光比ext。
24、可選的，在光路中先不插入待測電光晶體，以調節檢偏器的透振方向分別與起偏器透振方向平行或垂直，并確定系統消光比包括：
25、記錄平行時透過的能量emax與垂直時透過的能量emin，能量emax與能量emin比值即為系統消光比。
26、可選的，測量所述待測電光晶體在不同溫度下的動態消光比包括：
27、基于所述試驗箱，設定溫控程序；
28、測量所述待測電光晶體在不同溫度下的動態消光比，在對所述待測電光晶體施加和不施加脈沖半波電壓狀態下，分別測量透過的激光能量e1、e2，激光能量e1、e2之比為電光q開關的動態消光比ext。
29、本申請實施例提出了一種寬溫度范圍下電光q開關動態消光比測試裝置及方法，解決了目前錐光干涉技術無法量化測量結果以及動態消光比只能在常溫下進行測量的問題。
30、上述說明僅是本申請技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本申請的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本申請的上述和其它目的、特征和優點能夠更明顯易懂，以下特舉本申請的具體實施方式。
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1.一種寬溫度范圍電光Q開關動態消光比測試裝置，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的寬溫度范圍電光Q開關動態消光比測試裝置，其特征在于，包括：所述激光器為具有設定波長的激光器；
3.一種寬溫度范圍電光Q開關動態消光比測試方法，基于如權利要求1或2所述的寬溫度范圍電光Q開關動態消光比測試裝置實現，其特征在于，包括：
4.如權利要求3所述的寬溫度范圍電光Q開關動態消光比測試方法，其特征在于，進行光路準直確定基準光路包括：
5.如權利要求3所述的寬溫度范圍電光Q開關動態消光比測試方法，其特征在于，在光路中先不插入待測電光晶體，以調節檢偏器的透振方向分別與起偏器透振方向平行或垂直，并確定系統消光比包括：
6.如權利要求5所述的寬溫度范圍電光Q開關動態消光比測試方法，其特征在于，測量所述待測電光晶體在不同溫度下的動態消光比包括：
7.如權利要求3所述的寬溫度范圍電光Q開關動態消光比測試方法，其特征在于，在光路中先不插入待測電光晶體，以調節檢偏器的透振方向分別與起偏器透振方向平行或垂直，并確定系統消光比包括：>
8.如權利要求7所述的寬溫度范圍電光Q開關動態消光比測試方法，其特征在于，測量所述待測電光晶體在不同溫度下的動態消光比包括：
...【技術特征摘要】
1.一種寬溫度范圍電光q開關動態消光比測試裝置，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的寬溫度范圍電光q開關動態消光比測試裝置，其特征在于，包括：所述激光器為具有設定波長的激光器；
3.一種寬溫度范圍電光q開關動態消光比測試方法，基于如權利要求1或2所述的寬溫度范圍電光q開關動態消光比測試裝置實現，其特征在于，包括：
4.如權利要求3所述的寬溫度范圍電光q開關動態消光比測試方法，其特征在于，進行光路準直確定基準光路包括：
5.如權利要求3所述的寬溫度范圍電光q開關動態消光比測試方法，其特征在于，在光路中先不插...
【專利技術屬性】
技術研發人員：夏文新，方聰，何利杰，侯天禹，張魯娜，王克強，韓隆，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第十一研究所，
類型：發明
國別省市：
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