【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及薄膜加工，具體而言，涉及一種加熱機構、鍍膜設備以及導電膜的制備方法。
技術介紹
1、導電膜是一種表面鍍設有金屬的一種高分子材料，廣泛運用于鋰離子電池中，在鋰離子電池中主要作為集流體使用。導電膜上的鍍層可采用真空蒸發鍍膜工藝和/或磁控濺射工藝鍍設獲得。其中，真空蒸發鍍膜是指在真空環境中，將待成膜物質加熱蒸發或升華后，使其在導電膜表面凝結或沉積，以形成鍍層的工藝。待成膜物質在蒸鍍坩堝內部加熱蒸發或升華后，上升并通過蒸鍍坩堝上方的蒸鍍出口發出，蒸發出的待成膜物質離開蒸鍍坩堝后逐漸降溫，最終在導電膜的表面沉積形成膜層。
2、現有的真空蒸發鍍膜技術中，通常采用摻雜蒸鍍的方式來蒸鍍同一膜層，即采用至少兩種具有不同蒸鍍材料的蒸鍍源，同時對導電膜的表面進行蒸鍍。由于不同蒸鍍材料的熔點不同，對于熔點較高的蒸鍍材料需使蒸鍍源向蒸鍍材料提供較高的熱蒸發溫度，對于熔點較低的蒸鍍材料需使蒸鍍源向蒸鍍材料提供較低的熱蒸發溫度。
3、然而，現有技術中的蒸鍍源上各處加熱溫度均相同，對于具有熔點差異的蒸鍍材料需采用不同蒸鍍源進行單獨的加熱蒸發，導致蒸鍍源產生的能耗較大，鍍膜成本較高。
技術實現思路
1、本專利技術的主要目的在于提供一種加熱機構、鍍膜設備以及導電膜的制備方法，以解決現有技術中的蒸鍍源不能同時對不同的蒸鍍材料進行加熱蒸發的問題。
2、根據本專利技術的一個方面，提供了一種加熱機構，包括：
3、加熱主體，所述加熱主體上具有多個間隔設置的加熱槽，一
4、加熱容器，所述加熱容器包括多個，多個所述加熱容器一一對應地設置于多個所述加熱槽內；
5、其中，所述第一加熱區域的加熱容器的溫度為t1，所述第二加熱區域的加熱容器的溫度為t2，t1、t2之間滿足關系式：|t1-t2|≥100℃。
6、進一步地，所述第一加熱區域的所述加熱槽與所述加熱容器之間的接觸面積小于所述第二加熱區域的所述加熱槽與所述加熱容器之間的接觸面積。
7、進一步地，所述第一加熱區域的所述加熱槽的橫截面積小于所述第二加熱區域的所述加熱槽的橫截面積。
8、進一步地，所述加熱槽的橫截面包括圓形、三角形、方形或者梯形。
9、進一步地，沿所述加熱主體的厚度方向，所述加熱槽的橫截面積自上而下逐漸減小或不變。
10、進一步地，沿所述加熱主體的厚度方向，所述第一加熱區域的所述加熱槽的深度小于所述第二加熱區域的所述加熱槽的深度。
11、進一步地，所述第一加熱區域的所述加熱槽的底部與所述加熱容器的底部之間具有第一空隙；和/或，
12、所述第一加熱區域的所述加熱槽的側壁與所述加熱容器的側壁之間具有第二空隙。
13、進一步地，所述第一加熱區域的所述加熱槽的底部設置有第一凸起，以使所述第一加熱區域的所述加熱槽的底部與所述加熱容器的底部之間具有所述第一空隙；和/或，
14、所述第一加熱區域的所述加熱槽的側壁設置有第二凸起，以使所述第一加熱區域的所述加熱槽的側壁與所述加熱容器的側壁之間具有所述第二空隙。
15、進一步地，所述第一空隙內和/或所述第二空隙內設置有隔熱件。
16、進一步地，所述第一加熱區域的所述加熱容器的熱導性低于所述第二加熱區域的所述加熱容器的熱導性。
17、另一方面，本專利技術還提供了一種鍍膜設備，所述鍍膜設備包括上述的加熱機構。
18、再一方面，本專利技術還提供了一種導電膜的制備方法，所述導電膜的制備方法采用上述的鍍膜設備執行，所述導電膜的制備方法包括：
19、步驟s1：將基膜層傳送至所述加熱機構的所述加熱主體處；
20、步驟s2：通過所述加熱主體對所述第一加熱區域內的所述加熱容器中的第一金屬靶材以及所述第二加熱區域內的所述加熱容器中的第二金屬靶材同時進行加熱蒸發，以使所述第一金屬靶材和所述第二金屬靶材在所述基膜層的表面沉積形成混合金屬層。
21、進一步地，在所述步驟s2中，所述第一金屬靶材的熔點為q1，所述第二金屬靶材的熔點為q2，其中，q1與q2之間滿足關系式|q1-q2|≥250℃；或者，
22、在所述步驟s2中，當所述第一加熱區域的所述加熱槽與所述加熱容器之間的接觸面積小于所述第二加熱區域的所述加熱槽與所述加熱容器之間的接觸面積時，所述第一加熱區域的加熱容器的溫度t1與所述第二加熱區域的加熱容器的溫度t2之間滿足關系式：|t1-t2|≥100℃。
23、在本專利技術中，相對于現有技術中的加熱機構而言，本專利技術通過使第一加熱區域的加熱容器的溫度低于或高于第二加熱區域內的加熱容器的溫度，以使第一加熱區域的加熱容器的溫度t1與第二加熱區域的加熱容器的溫度t2之間滿足關系式：|t1-t2|≥100℃，如此，能夠保證第一加熱區域的加熱容器的溫度低于或高于第二加熱區域的加熱容器的溫度，從而可以確保同一加熱主體上具有不同溫度的加熱區域，進而可以同時對具有不同熔點的靶材或者雜質進行加熱蒸發，節省了加熱機構的能耗，且降低了鍍膜成本。此外，形成混合膜層的目的在于對基膜層的表面進行改性，以避免高分子基膜層兩面的金屬層的表面特性接近或認為相同而出現黏膜的問題。
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1.一種加熱機構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的加熱機構，其特征在于，所述第一加熱區域(60)的所述加熱槽(11)與所述加熱容器(20)之間的接觸面積小于所述第二加熱區域(70)的所述加熱槽(11)與所述加熱容器(20)之間的接觸面積。
3.根據權利要求2所述的加熱機構，其特征在于，所述第一加熱區域(60)的所述加熱槽(11)的橫截面積小于所述第二加熱區域(70)的所述加熱槽(11)的橫截面積。
4.根據權利要求2所述的加熱機構，其特征在于，所述加熱槽(11)的橫截面包括圓形、三角形、方形或者梯形。
5.根據權利要求2所述的加熱機構，其特征在于，沿所述加熱主體(10)的厚度方向，所述加熱槽(11)的橫截面積自上而下逐漸減小或不變。
6.根據權利要求2所述的加熱機構，其特征在于，沿所述加熱主體(10)的厚度方向，所述第一加熱區域(60)的所述加熱槽(11)的深度小于所述第二加熱區域(70)的所述加熱槽(11)的深度。
7.根據權利要求2所述的加熱機構，其特征在于，所述第一加熱區域(60)的所述加熱
8.根據權利要求7所述的加熱機構，其特征在于，所述第一加熱區域(60)的所述加熱槽(11)的底部設置有第一凸起(30)，以使所述第一加熱區域(60)的所述加熱槽(11)的底部與所述加熱容器(20)的底部之間具有所述第一空隙；和/或，
9.根據權利要求7所述的加熱機構，其特征在于，所述第一空隙內和/或所述第二空隙內設置有隔熱件。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的加熱機構，其特征在于，所述第一加熱區域(60)的所述加熱容器(20)的熱導性低于所述第二加熱區域(70)的所述加熱容器(20)的熱導性。
11.一種鍍膜設備，其特征在于，所述鍍膜設備包括權利要求1至10中任一項所述的加熱機構。
12.一種導電膜的制備方法，其特征在于，所述導電膜的制備方法采用權利要求11中的鍍膜設備執行，所述導電膜的制備方法包括：
13.根據權利要求12所述的導電膜的制備方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述第一金屬靶材的熔點為Q1，所述第二金屬靶材的熔點為Q2，其中，Q1與Q2之間滿足關系式：|Q1-Q2|≥250℃；或者，
...【技術特征摘要】
1.一種加熱機構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的加熱機構，其特征在于，所述第一加熱區域(60)的所述加熱槽(11)與所述加熱容器(20)之間的接觸面積小于所述第二加熱區域(70)的所述加熱槽(11)與所述加熱容器(20)之間的接觸面積。
3.根據權利要求2所述的加熱機構，其特征在于，所述第一加熱區域(60)的所述加熱槽(11)的橫截面積小于所述第二加熱區域(70)的所述加熱槽(11)的橫截面積。
4.根據權利要求2所述的加熱機構，其特征在于，所述加熱槽(11)的橫截面包括圓形、三角形、方形或者梯形。
5.根據權利要求2所述的加熱機構，其特征在于，沿所述加熱主體(10)的厚度方向，所述加熱槽(11)的橫截面積自上而下逐漸減小或不變。
6.根據權利要求2所述的加熱機構，其特征在于，沿所述加熱主體(10)的厚度方向，所述第一加熱區域(60)的所述加熱槽(11)的深度小于所述第二加熱區域(70)的所述加熱槽(11)的深度。
7.根據權利要求2所述的加熱機構，其特征在于，所述第一加熱區域(60)的所述加熱槽(11)的底部與所述加熱容器(2...
【專利技術屬性】
技術研發人員：臧世偉，請求不公布姓名，請求不公布姓名，請求不公布姓名，請求不公布姓名，
申請(專利權)人：重慶金美新材料科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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