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    連續(xù)式化學(xué)氣相沉積方法、系統(tǒng)、程序和存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)方案

    技術(shù)編號(hào):43972838 閱讀:1 留言:0更新日期:2025-01-10 20:00
    本公開涉及化學(xué)氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域,特別地涉及一種連續(xù)式化學(xué)氣相沉積方法、系統(tǒng)、程序和存儲(chǔ)介質(zhì)。方法包括:將設(shè)置有基材的第一反應(yīng)容器設(shè)置于第二工位,進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng);將設(shè)置有基材的第二反應(yīng)容器設(shè)置于第一工位,調(diào)節(jié)第三工位和所述第一工位的氣氛,使之與第二工位一致;將反應(yīng)完畢的所述第一反應(yīng)容器移動(dòng)至第三工位,然后將所述第二反應(yīng)容器移動(dòng)至所述第二工位,進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng)。本公開的連續(xù)式化學(xué)氣相沉積方法、系統(tǒng)、程序和存儲(chǔ)介質(zhì)能夠提供沉積產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本公開涉及化學(xué)氣相沉積,特別地涉及一種連續(xù)式化學(xué)氣相沉積方法、系統(tǒng)、程序和存儲(chǔ)介質(zhì)


    技術(shù)介紹

    1、碳化硅是一種具有代表性的陶瓷材料,由于其優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,因此在整個(gè)工業(yè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

    2、近年來,隨著使用碳化硅材料的半導(dǎo)體加工部件的開發(fā)積極進(jìn)展,碳化硅材料的重要性日益增加。特別地,碳化硅材料由于其高等離子體耐受性而被廣泛用作半導(dǎo)體工藝部件中用于蝕刻工藝的部件。

    3、用于半導(dǎo)體蝕刻工藝零件的碳化硅材料是制造碳化硅的傳統(tǒng)方法。由于用這種方法不能滿足質(zhì)量和性能,因此現(xiàn)有技術(shù)中,常常采用化學(xué)氣相沉積法制造。

    4、在化學(xué)氣相沉積碳化硅的過程中,采用含si氣體如sih4、sicl2、sicl4和含c氣體如c2h2、ch4、c3h8等的混合物作為原料氣體,或采用ch3sicl3、ch3sih3,(ch3)3sih)等單一氣體作為原材料,進(jìn)行沉積。現(xiàn)有技術(shù)中,通過化學(xué)氣相沉積制造的碳化硅材料質(zhì)量?jī)?yōu)異,但生產(chǎn)率較低。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、為了解決或至少部分地解決上述技術(shù)問題,本公開提供了一種連續(xù)式化學(xué)氣相沉積方法、系統(tǒng)、程序和存儲(chǔ)介質(zhì)。

    2、本公開的第一方面提供了一種連續(xù)式化學(xué)氣相沉積方法,包括如下步驟:

    3、將設(shè)置有基材的第一反應(yīng)容器設(shè)置于第二工位,進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng);

    4、將設(shè)置有基材的第二反應(yīng)容器設(shè)置于第一工位,調(diào)節(jié)第三工位和第一工位的氣氛,使之與第二工位一致;

    5、將反應(yīng)完畢的第一反應(yīng)容器移動(dòng)至第三工位,然后將第二反應(yīng)容器移動(dòng)至第二工位,進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng)。

    6、可選地,在將反應(yīng)完畢的第一反應(yīng)容器移動(dòng)至第三工位的步驟之后,還包括:

    7、對(duì)位于第三工位的第一反應(yīng)容器進(jìn)行熱處理,而后降低第三工位的溫度至室溫;

    8、調(diào)節(jié)第三工位的氣氛至與外部環(huán)境一致;

    9、取出第一反應(yīng)容器和第一反應(yīng)容器內(nèi)的反應(yīng)產(chǎn)物;

    10、在第三反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)置基材;

    11、在將第二反應(yīng)容器移動(dòng)至第二工位的步驟之后,還包括:

    12、調(diào)節(jié)第一工位的氣氛至與外部環(huán)境一致;

    13、將第三反應(yīng)容器置入第一工位內(nèi),以此循環(huán)。

    14、可選地,第三反應(yīng)容器與第一反應(yīng)容器為同一個(gè)反應(yīng)容器。

    15、可選地,在各個(gè)反應(yīng)容器設(shè)置于各個(gè)工位的步驟之后,還包括:

    16、隔斷各個(gè)工位之間的空間連接,使各個(gè)工位的氣氛獨(dú)立;

    17、使氣體支持裝置與所設(shè)置的反應(yīng)容器對(duì)接,從而為反應(yīng)容器提供反應(yīng)氣氛。

    18、本公開的另一方面,還提供了一種連續(xù)式化學(xué)氣相沉積的控制方法,包括:

    19、響應(yīng)于第一反應(yīng)容器在第二工位的第二就位信號(hào),發(fā)出沉積開始信號(hào),使第一反應(yīng)容器在第二工位內(nèi)開始進(jìn)行化學(xué)氣相沉積;

    20、響應(yīng)于第二反應(yīng)容器在第一工位的第一就位信號(hào),發(fā)出第一氣氛調(diào)節(jié)信號(hào),使第一工位和第二工位的氣氛一致;

    21、響應(yīng)于沉積反應(yīng)完畢信號(hào),發(fā)出第二移動(dòng)信號(hào),將反應(yīng)完畢的第一反應(yīng)容器移動(dòng)至第三工位,并將第二反應(yīng)容器移動(dòng)至第二工位。

    22、可選地,還包括:

    23、響應(yīng)于第一反應(yīng)容器在第三工位的第三就位信號(hào),發(fā)出熱處理信號(hào),對(duì)第一反應(yīng)容器進(jìn)行熱處理;

    24、響應(yīng)于第三工位的熱處理完畢信號(hào),發(fā)出復(fù)原信號(hào),使第三工位的溫度降低至室溫,并調(diào)節(jié)第三工位的氣氛至與外部環(huán)境一致;

    25、響應(yīng)于第一反應(yīng)容器從第三工位的移出信號(hào),發(fā)出第二氣氛調(diào)節(jié)信號(hào),使第三工位和第二工位的氣氛一致。

    26、可選地,還包括:

    27、響應(yīng)于第三反應(yīng)容器在第一工位的第一就位信號(hào),發(fā)出第一氣氛調(diào)節(jié)信號(hào),使第一工位和第二工位的氣氛一致;

    28、響應(yīng)于第一反應(yīng)容器在第三工位的第三就位信號(hào),發(fā)出第一移動(dòng)信號(hào),將第三反應(yīng)容器移動(dòng)至第二工位。

    29、可選地,響應(yīng)于第一反應(yīng)容器在第二工位的第二就位信號(hào),發(fā)出沉積開始信號(hào),使第一反應(yīng)容器在第二工位內(nèi)開始進(jìn)行化學(xué)氣相沉積,還包括:

    30、響應(yīng)于第一反應(yīng)容器在第二工位的第二就位信號(hào),發(fā)出第二對(duì)接信號(hào),使氣體支持裝置與第一反應(yīng)容器對(duì)接;

    31、響應(yīng)于氣體支持裝置與第一反應(yīng)容器的對(duì)接完成信號(hào),發(fā)出沉積開始信號(hào),使第一反應(yīng)容器在第二工位內(nèi)開始進(jìn)行化學(xué)氣相沉積。

    32、可選地,響應(yīng)于沉積反應(yīng)完畢信號(hào),發(fā)出第二移動(dòng)信號(hào),將反應(yīng)完畢的第一反應(yīng)容器移動(dòng)至第三工位,并將第二反應(yīng)容器移動(dòng)至第二工位,還包括:

    33、響應(yīng)于沉積反應(yīng)完畢信號(hào),打開各個(gè)工位之間的通道;

    34、響應(yīng)于通道的打開信號(hào),發(fā)出第二移動(dòng)信號(hào),將反應(yīng)完畢的第一反應(yīng)容器移動(dòng)至第三工位,并將第二反應(yīng)容器移動(dòng)至第二工位;

    35、響應(yīng)于第二反應(yīng)容器在第二工位的第二就位信號(hào),發(fā)出通道的封閉信號(hào),封閉各個(gè)工位之間的通道。

    36、可選地,方法用于沉積碳化硅及其衍生物。

    37、本公開的另一方面還提供了一種計(jì)算機(jī)程序,在被執(zhí)行時(shí),能夠?qū)崿F(xiàn)前述的方法步驟。

    38、本公開的另一方面還提供了一種可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其內(nèi)設(shè)置有前述的計(jì)算機(jī)程序。

    39、本公開的另一方面還提供了一種連續(xù)式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),包括:

    40、主體裝置,具有第一工位、第二工位和第三工位;

    41、第一反應(yīng)容器和第二反應(yīng)容器;第一反應(yīng)容器被設(shè)置于第二工位,第二反應(yīng)容器被設(shè)置于第一工位;

    42、控制器,用于:響應(yīng)于第一反應(yīng)容器在第二工位的第二就位信號(hào),發(fā)出沉積開始信號(hào),使第一反應(yīng)容器在第二工位內(nèi)開始進(jìn)行化學(xué)氣相沉積;

    43、響應(yīng)于第二反應(yīng)容器在第一工位的就位信號(hào),發(fā)出第一氣氛調(diào)節(jié)信號(hào),使第一工位和第二工位的氣氛一致;

    44、響應(yīng)于沉積反應(yīng)完畢信號(hào),發(fā)出第二移動(dòng)信號(hào),將反應(yīng)完畢的第一反應(yīng)容器移動(dòng)至第三工位,并將第二反應(yīng)容器移動(dòng)至第二工位。

    45、相比于現(xiàn)有技術(shù)而言,本公開的連續(xù)式化學(xué)氣相沉積設(shè)備通過構(gòu)建獨(dú)立的第一工位和第三工位,可以將預(yù)處理、沉積反應(yīng)和熱處理這三個(gè)生產(chǎn)過程分配到不同的工位,實(shí)現(xiàn)了連續(xù)化的生產(chǎn)和加工。由于設(shè)置了傳輸裝置,因此可以在第一工位、第二工位、第三工位三個(gè)腔室之間移動(dòng)反應(yīng)容器。這顯著地提高了便利性。通過以上的設(shè)計(jì),本公開所提供的連續(xù)式化學(xué)氣相沉積設(shè)備和方法,相比于現(xiàn)有技術(shù)的間歇式的設(shè)備和方法而言,能夠顯著地提高半導(dǎo)體材料在化學(xué)氣相沉積領(lǐng)域的生產(chǎn)效率。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種連續(xù)式化學(xué)氣相沉積方法,其特征在于,包括如下步驟:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述將反應(yīng)完畢的所述第一反應(yīng)容器(4)移動(dòng)至第三工位(13)的步驟之后,還包括:

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第三反應(yīng)容器(4)與所述第一反應(yīng)容器(4)為同一個(gè)反應(yīng)容器(4)。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在各個(gè)反應(yīng)容器(4)設(shè)置于各個(gè)工位的步驟之后,還包括:

    5.一種連續(xù)式化學(xué)氣相沉積的控制方法,其特征在于,包括:

    6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,還包括:

    7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,還包括:

    8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述響應(yīng)于第一反應(yīng)容器(4)在所述第二工位(12)的第二就位信號(hào),發(fā)出沉積開始信號(hào),使所述第一反應(yīng)容器(4)在所述第二工位(12)內(nèi)開始進(jìn)行化學(xué)氣相沉積,還包括:

    9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述響應(yīng)于沉積反應(yīng)完畢信號(hào),發(fā)出第二移動(dòng)信號(hào),將反應(yīng)完畢的所述第一反應(yīng)容器(4)移動(dòng)至第三工位(13),并將所述第二反應(yīng)容器(4)移動(dòng)至所述第二工位(12),還包括:

    10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述方法用于沉積碳化硅及其衍生物。

    11.一種計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,所述計(jì)算機(jī)程序在被執(zhí)行時(shí),能夠?qū)崿F(xiàn)如權(quán)利要求5至10中任意一項(xiàng)所述的方法步驟。

    12.一種可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其內(nèi)設(shè)置有權(quán)利要求11所述的計(jì)算機(jī)程序。

    13.一種連續(xù)式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),其特征在于,包括:

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種連續(xù)式化學(xué)氣相沉積方法,其特征在于,包括如下步驟:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述將反應(yīng)完畢的所述第一反應(yīng)容器(4)移動(dòng)至第三工位(13)的步驟之后,還包括:

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第三反應(yīng)容器(4)與所述第一反應(yīng)容器(4)為同一個(gè)反應(yīng)容器(4)。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在各個(gè)反應(yīng)容器(4)設(shè)置于各個(gè)工位的步驟之后,還包括:

    5.一種連續(xù)式化學(xué)氣相沉積的控制方法,其特征在于,包括:

    6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,還包括:

    7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,還包括:

    8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述響應(yīng)于第一反應(yīng)容器(4)在所述第二...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:樸鐘熏崔海珍金錫津
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:蘇州精材半導(dǎo)體科技有限公司
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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