【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請實(shí)施例涉及時(shí)鐘檢測，尤其涉及一種時(shí)鐘檢測電路以及電路系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
1、現(xiàn)有的數(shù)字系統(tǒng)電路中啟動(dòng)過程中，時(shí)鐘的不穩(wěn)定會(huì)造成系統(tǒng)啟動(dòng)異常，甚至失敗；而時(shí)鐘信號的異常丟失，則會(huì)直接造成系統(tǒng)突然停止工作。為減少時(shí)鐘異常對數(shù)字系統(tǒng)正常工作的影響，需要設(shè)計(jì)一種時(shí)鐘檢測電路對數(shù)字系統(tǒng)的控制信號進(jìn)行檢測。現(xiàn)有的時(shí)鐘檢測電路用于根據(jù)輸入的時(shí)鐘信號輸出低電平，或輸出高電平報(bào)警。
2、現(xiàn)有的時(shí)鐘檢測電路包括：電平時(shí)鐘判別模塊、電容充放電模塊、電流比較器模塊、以及偏置電流模塊。偏置電流模塊用于充當(dāng)偏置電流的鏡像電流源，鏡像電流源的功能是產(chǎn)生偏置電流給其它電路提供鏡像電流。輸入時(shí)鐘檢測電路的信號通過電平時(shí)鐘判別模塊輸出高電平或時(shí)鐘信號，電平時(shí)鐘判別模塊輸出的信號控制電容充放電模塊對電容充放電，當(dāng)輸出的信號為恒定高電平，電容一直放電至地電位；當(dāng)輸出的信號為時(shí)鐘信號，在高電平期間對電容進(jìn)行充電，在低電平期間對電容進(jìn)行放電。電容充放電模塊輸出的電壓通過電流比較器比較，當(dāng)電容充放電模塊輸出的電壓高于電流比較器的翻轉(zhuǎn)閾值時(shí)，電流比較器模塊輸出低電平；電容充放電模塊輸出的電壓低于電流比較器的翻轉(zhuǎn)閾值時(shí)，電流比較器模塊輸出高電平報(bào)警。
3、現(xiàn)有的時(shí)鐘檢測電路需要滿足低功耗設(shè)計(jì)時(shí)，時(shí)鐘檢測電路對應(yīng)的電容充放電模塊中的電阻需設(shè)計(jì)得很大，從而電阻的面積會(huì)非常大，容易導(dǎo)致時(shí)鐘檢測電路的面積過大。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請實(shí)施例提供了一種時(shí)鐘檢測電路以及電路系統(tǒng)，能夠使時(shí)鐘檢測電路在滿足低功耗條件
2、本申請實(shí)施例提供了一種時(shí)鐘檢測電路，包括：偏置電流模塊、電平時(shí)鐘判別模塊、電容充放電模塊以及電流比較器模塊；所述電容充放電模塊包括：第一開關(guān)管、第二開關(guān)管、電流鏡以及電容充放電單元；
3、所述偏置電流模塊的一端與所述第一開關(guān)管的導(dǎo)通控制端連接，另一端與所述電流比較器模塊的第一比較端連接，用于向所述第一開關(guān)管以及所述電流比較器模塊輸入偏置電流；
4、所述第一開關(guān)管的輸入端與電源端連接，所述第一開關(guān)管的第一輸出端與所述電流鏡的第一輸入端連接，所述第一開關(guān)管的第二輸出端與所述第二開關(guān)管的輸入端連接；
5、所述電平時(shí)鐘判別模塊的輸入端與信號輸入端連接，輸出端與所述第二開關(guān)管的導(dǎo)通控制端連接，用于根據(jù)所述信號輸入端輸入的檢測信號向所述第二開關(guān)管的導(dǎo)通控制端輸出控制信號；
6、所述第二開關(guān)管的第一輸出端與所述電容充放電單元的輸入端連接，所述第二開關(guān)管的第二輸出端與所述電流鏡的第二輸入端連接，所述電流鏡用于驅(qū)動(dòng)所述電容充放電單元的電容進(jìn)行充放電；
7、所述電容充放電單元的輸出端與所述電流比較器模塊的第二比較端連接，所述電流比較器模塊的輸出端與信號輸出端連接，所述電流比較器模塊用于比較所述第一比較端以及所述第二比較端接收的信號，并向所述信號輸出端輸出比較結(jié)果對應(yīng)的電平信號。
8、進(jìn)一步的，所述電平時(shí)鐘判別模塊包括：第一反相器、延遲單元以及同或門單元；
9、所述第一反相器的的輸入端與所述信號輸入端連接，所述第一反相器的輸出端分別與所述延遲單元的輸入端以及所述同或門單元的第一輸入端連接；
10、所述延遲單元的輸出端與所述同或門單元的第二輸入端連接，所述同或門單元的輸出端與所述第二開關(guān)管的導(dǎo)通控制端連接。
11、進(jìn)一步的，所述延遲單元包括：多個(gè)并聯(lián)的pmos管、多組mos管電路、第三反相器以及第四反相器；
12、所述mos管電路包括pmos管以及nmos管，所述pmos管的漏極連接所述nmos管的漏極，所述pmos管的柵極連接所述nmos管的柵極，所述nmos管的源極接地；
13、多個(gè)所述并聯(lián)的pmos管柵極連接后接地，且多個(gè)所述并聯(lián)的pmos管的漏極分別與一組所述mos管電路的pmos管的源極連接；
14、多組所述mos管電路相串聯(lián)，且串聯(lián)的首級mos管電路的輸入端與所述第一反相器的的輸出端連接，串聯(lián)的尾級mos管電路的輸出端與所述第三反相器的輸入端連接；
15、所述第三反相器的輸出端與所述第四反相器的輸入端連接，所述第四反相器的輸出端與所述同或門單元的第二輸入端連接。
16、進(jìn)一步的，所述第一開關(guān)管包括第三pmos管以及第四pmos管，所述第二開關(guān)管包括：第二nmos管以及第五pmos管；
17、所述第三pmos管的源極以及所述第四pmos管的源極均與所述電源端連接，所述第三pmos管的柵極與所述第四pmos管的柵極以及所述偏置電流模塊的一端連接；
18、所述第四pmos管的漏極與所述電流鏡的第一輸入端連接，所述第三pmos管的漏極與所述第五pmos管的源極連接；
19、所述第五pmos管的柵極與所述第二nmos管的柵極以及所述電平時(shí)鐘判別模塊的輸出端連接；
20、所述第五pmos管的漏極與所述第二nmos管的漏極以及所述電容充放電單元的輸入端連接；
21、所述第二nmos管的源極與所述電流鏡的第二輸入端連接。
22、進(jìn)一步的，所述電流鏡包括：第三nmos管以及第四nmos管；
23、所述第四nmos管的漏極與所述第四pmos管的漏極、所述第四nmos管的柵極以及所述第三nmos管的柵極連接；
24、所述第三nmos管的漏極與所述第二nmos管的源極連接；
25、所述第三nmos管的源極以及所述第四nmos管的源極均接地。
26、進(jìn)一步的，所述電容充放電單元包括：第一電阻、第一電容、第二電容、第六pmos管以及第七pmos管；
27、所述第六pmos管的源極以及所述第七pmos管的源極均與所述電源端連接，所述第六pmos管的柵極以及所述第七pmos管的柵極均與使能端連接；
28、所述第一電容的第一端與所述第五pmos管的漏極、所述第一電阻的第一端以及所述第六pmos管的漏極連接，所述第一電容的第二端接地；
29、所述第一電阻的第二端與所述第二電容的第一端、所述第七pmos管的漏極以及所述電流比較器模塊的第二比較端連接，所述第二電容的第二端接地。
30、進(jìn)一步的，所述偏置電流模塊包括：第二pmos管以及第五nmos管；
31、所述第二pmos管的源極與所述電源端連接；
32、所述第二pmos管的柵極與所述第二pmos管的漏極、所述第三pmos管的柵極、所述第五nmos管的漏極以及所述電流比較器模塊的第一比較端連接；
33、所述第五nmos管的柵極與所述使能端連接，所述第五nmos管的源極接地。
34、進(jìn)一步的，還包括：電平控制器
35、所述電平控制器與所述使能端連接，用于控制所述使能端的電平信號，以驅(qū)動(dòng)所述第五nmos管、所述第六pmos管以及所述第七pmos管導(dǎo)通或關(guān)閉。
36、進(jìn)一步的，所述電流比較器模塊包括：第本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，包括：偏置電流模塊、電平時(shí)鐘判別模塊、電容充放電模塊以及電流比較器模塊；所述電容充放電模塊包括：第一開關(guān)管、第二開關(guān)管、電流鏡以及電容充放電單元；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，所述電平時(shí)鐘判別模塊包括：第一反相器、延遲單元以及同或門單元；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，所述延遲單元包括：多個(gè)并聯(lián)的PMOS管、多組MOS管電路、第三反相器以及第四反相器；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管包括第三PMOS管以及第四PMOS管，所述第二開關(guān)管包括：第二NMOS管以及第五PMOS管；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，所述電流鏡包括：第三NMOS管以及第四NMOS管；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，所述電容充放電單元包括：第一電阻、第一電容、第二電容、第六PMOS管以及第七PMOS管；
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，所述偏置電流模塊包括：第二PMOS管以及
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，還包括：電平控制器
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，所述電流比較器模塊包括：第一PMOS管、第一NMOS管、施密特觸發(fā)器以及第二反相器；
10.一種電路系統(tǒng)，其特征在于，包括：如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的偏置電流模塊、電平時(shí)鐘判別模塊、電容充放電模塊以及電流比較器模塊。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，包括：偏置電流模塊、電平時(shí)鐘判別模塊、電容充放電模塊以及電流比較器模塊；所述電容充放電模塊包括：第一開關(guān)管、第二開關(guān)管、電流鏡以及電容充放電單元；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，所述電平時(shí)鐘判別模塊包括：第一反相器、延遲單元以及同或門單元；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，所述延遲單元包括：多個(gè)并聯(lián)的pmos管、多組mos管電路、第三反相器以及第四反相器；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管包括第三pmos管以及第四pmos管，所述第二開關(guān)管包括：第二nmos管以及第五pmos管；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的時(shí)鐘檢測電路，其特征在于，所述電...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：程偉杰，張弛，陳嘉昊，陳培燊，齊良頡，趙輝，孫占杰，
申請(專利權(quán))人：國民技術(shù)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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