【技術實現步驟摘要】
本申請屬于半導體，具體涉及一種解理方法。
技術介紹
1、在半導體芯片制造領域，晶圓的解理是將晶圓分割成單個芯片的關鍵步驟。隨著電子技術的飛速發展，對芯片的性能和可靠性要求越來越高。傳統的解理方法主要為機械解理，這種方法在行業中曾廣泛應用。
2、在早期的半導體產業發展中，由于技術和設備的限制，機械解理成為了較為常見的選擇。機械解理通常是使用金剛石刀片等機械刀具對晶圓進行切割。其原理是通過刀具在一定的壓力和速度下劃過晶圓表面，實現晶圓的分割。這種方法具有一定的優勢，比如設備相對簡單，成本較低，對于一些較厚的晶圓或者在特定的生產環境下較為適用。
3、然而，隨著芯片技術的不斷進步，機械解理的弊端也日益凸顯。在機械解理過程中，容易產生較大的機械應力，這種應力作用于晶圓時，尤其是薄片晶圓，常常會導致薄片晶圓的端面出現裂紋。一旦薄片晶圓的端面出現裂紋，就會對芯片的性能產生多方面的不良影響。其中，最為顯著的是芯片端面散熱變差。在芯片工作過程中，良好的散熱性能是保證芯片穩定運行和延長使用壽命的關鍵因素之一。當端面出現裂紋后，散熱通道受到破壞，熱量無法有效地散發出去，這會導致芯片內部溫度升高。而過高的溫度會影響芯片內部的電子元件性能，降低芯片的工作效率，甚至可能引發芯片故障，從而極大地影響了產品的可靠性。因此，尋找一種更優的薄片晶圓解理方法，以避免端面裂紋的產生，提升芯片的散熱性能和產品的可靠性，成為了當前半導體行業亟待解決的問題。
技術實現思路
1、因此，本申請要解決的技術問
2、為了解決上述問題，本申請提供了一種解理方法，包括：
3、于薄片晶圓背面生長氧化硅，以形成掩膜層；
4、于掩膜層背離薄片晶圓的一側表面涂布光刻膠，以形成第二膠層；
5、光刻于第二膠層，以構建與薄片晶圓正面第一解理區相重合的第二解理區；
6、去除掩膜層上相對于第二解理區的位置處的氧化硅；
7、于薄片晶圓正面涂布至少兩層光刻膠，以形成第一膠層；
8、光刻于第一膠層，并通過顯影步驟顯示第一解理區；
9、干法刻蝕薄片晶圓正面；
10、濕法腐蝕薄片晶圓背面。
11、可選的，去除掩膜層上相對于第二解理區的位置處的氧化硅的步驟，包括：
12、放置薄片晶圓于boe溶液中。
13、可選的，干法刻蝕薄片晶圓正面的步驟，包括：
14、放置薄片晶圓于等離子刻蝕機臺中。
15、可選的，濕法腐蝕薄片晶圓背面的步驟，包括：
16、放置薄片晶圓于鹽酸和磷酸的混合溶液中；
17、其中，鹽酸與磷酸的體積比為2:3。
18、可選的，于薄片晶圓背面生長氧化硅，以形成掩膜層的步驟之前，解理方法還包括：
19、于晶圓正面制作第一解離區；
20、將晶圓通過減薄制備成薄片晶圓。
21、可選的，薄片晶圓的厚度為100um～140um。
22、可選的，薄片晶圓正面的干法刻蝕深度為10um～20um。
23、可選的，薄片晶圓背面的濕法腐蝕時間為15min～20min。
24、可選的，掩膜層的厚度為
25、可選的，涂布于薄片晶圓正面的至少兩層光刻膠的厚度為2um～3um。
26、有益效果
27、本專利技術的實施例中所提供的解理方法，采用刻蝕、腐蝕等非機械手段，避免了機械應力對薄片晶圓的作用，從而極大地減少了薄片晶圓端面出現裂紋的可能性。由此，芯片的端面散熱通道能夠保持完整，散熱性能得到保障，熱量可有效散發，降低了芯片內部溫度，提升了芯片的工作效率，延長了芯片的使用壽命，也減少了因溫度過高而導致芯片故障的風險。
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1.一種解理方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的解理方法，其特征在于，去除掩膜層(2)上相對于第二解理區的位置處的氧化硅的步驟，包括：
3.根據權利要求1所述的解理方法，其特征在于，干法刻蝕薄片晶圓(1)正面的步驟，包括：
4.根據權利要求1所述的解理方法，其特征在于，濕法腐蝕薄片晶圓(1)背面的步驟，包括：
5.根據權利要求1所述的解理方法，其特征在于，于薄片晶圓(1)背面生長氧化硅，以形成掩膜層(2)的步驟之前，解理方法還包括：
6.根據權利要求1所述的解理方法，其特征在于，
7.根據權利要求1所述的解理方法，其特征在于，
8.根據權利要求1所述的解理方法，其特征在于，
9.根據權利要求1所述的解理方法，其特征在于，
10.根據權利要求1所述的解理方法，其特征在于，
【技術特征摘要】
1.一種解理方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的解理方法，其特征在于，去除掩膜層(2)上相對于第二解理區的位置處的氧化硅的步驟，包括：
3.根據權利要求1所述的解理方法，其特征在于，干法刻蝕薄片晶圓(1)正面的步驟，包括：
4.根據權利要求1所述的解理方法，其特征在于，濕法腐蝕薄片晶圓(1)背面的步驟，包括：
5.根據權利要求1所述的解...
【專利技術屬性】
技術研發人員：方子明，劉巍，劉應軍，
申請(專利權)人：武漢敏芯半導體股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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