【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于微電子器件領域，特別是涉及一種聲波諧振器及其制備方法和濾波器。
技術介紹
1、隨著無線通信系統的發展，對信號質量的要求越來越高，通信頻譜資源的爭奪也越來越激烈。低損耗、大帶寬、高頻率、通帶平坦的濾波器已經成為通訊行業的普遍追求目標。
2、聲學濾波器技術是目前應用最廣泛的濾波器技術，主要包含體聲波(bulkacoustic?wave，baw)和聲表面波(surface?acoustic?wave，saw)濾波器技術。除此之外，近年來基于單晶壓電薄膜的板波(plate?wave)濾波器技術也得到廣泛關注。然而，無論是哪一種聲學濾波器技術，都會因為有限長的橫向波導而導致橫向高階模式。橫向高階模式一般出現在諧振器的反諧振頻率附近以及諧振頻率和反諧振頻率之間，相應地會導致濾波器的通帶內出現紋波。因此抑制橫向高階模式成為實現通帶平坦的高性能濾波器的關鍵。
3、應該注意，上面對技術背景的介紹只是為了方便對本申請的技術方案進行清楚、完整的說明，并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本申請的
技術介紹
部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種聲波諧振器及其制備方法和濾波器，用于解決現有技術中的聲波諧振器因為有限長的橫向波導會產生橫向高階模式，導致器件性能降低的問題。
2、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種聲波諧振器，所述聲波諧振器
3、所述叉指換能器包括：兩個叉指電極；每個所述叉指電極均包括一匯流條及若干個電極指，且所有所述電極指均連接至所述匯流條；兩個所述叉指電極的電極指之間反向延伸且交叉排列；兩個所述叉指電極的所述電極指包括叉指交疊區和叉指間隙區；
4、所述壓電薄膜包括第一壓電薄膜區及第二壓電薄膜區，且所述第一壓電薄膜區的厚度小于所述第二壓電薄膜區的厚度；所述第二壓電薄膜區位于所述叉指交疊區末端預設長度至相應的所述匯流條末端端部對應區域的至少部分平面，且所述第二壓電薄膜區需至少從所述叉指交疊區末端端部起向相應所述匯流條末端端部對應區域延伸，其中，所述預設長度不大于所述叉指交疊區長度的1/5；
5、將與同一所述匯流條連接的相鄰所述電極指的中心間距記為λ，所述聲波諧振器的諧振頻率fs與λ的乘積為所述聲波諧振器目標模式的聲速vs；
6、所述聲波諧振器的目標模式具有強色散特性。
7、可選地，所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面；所述聲波諧振器的目標模式為零階聲波模式；所述聲波諧振器還包括位于所述壓電薄膜下方的第一高聲速支撐襯底，且所述第一高聲速支撐襯底的慢剪切波聲速大于所述目標模式的聲速。
8、進一步地，所述壓電薄膜與所述第一高聲速支撐襯底直接接觸；或所述壓電薄膜通過第一介質層形成在所述第一高聲速支撐襯底的上表面上，其中，所述第一介質層的聲速小于所述目標模式的聲速，且所述介質層的厚度小于所述第一壓電薄膜區的厚度同時小于0.1λ。
9、進一步地，所述第一高聲速支撐襯底的材料為不同晶型及不同切型的碳化硅、金剛石、類金剛石、藍寶石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化硼和氮化硅中的一種；所述第一介質層的材料為氧化硅、多晶硅、非晶硅、氧化鋁、氮化硅、氮化鋁中的一種。
10、進一步地，所述第一高聲速支撐襯底由遠離所述壓電薄膜一側的支撐襯底及靠近所述壓電薄膜一側的高聲速材料層構成；該支撐襯底的材料為石英、硅、藍寶石、尖晶石、釔鋁石榴石中的一種；該高聲速材料層的材料為碳化硅、金剛石、類金剛石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化硼和氮化硅中的一種。
11、可選地，所述聲波諧振器的目標模式為高階聲波模式。
12、進一步地，所述聲波諧振器還包括設置于所述壓電薄膜下表面的懸浮底電極，且所述懸浮底電極正對于所述叉指交疊區的下方，通過所述叉指換能器與所述懸浮底電極形成所述高階聲波模式。
13、進一步地，所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面；所述聲波諧振器還包括依次位于所述壓電薄膜下方的第二介質層及第二高聲速支撐襯底，且所述第二高聲速支撐襯底的慢剪切波聲速大于所述目標模式的聲速，以減小所述目標模式向所述第二高聲速支撐襯底中泄露；所述第二介質層為絕緣介質層；所述懸浮底電極嵌入所述第二介質層中。
14、進一步地，所述第二高聲速支撐襯底由遠離所述壓電薄膜一側的支撐襯底及靠近所述壓電薄膜一側的高聲速材料層構成；該支撐襯底的材料為石英、硅、藍寶石、尖晶石、釔鋁石榴石中的一種；該高聲速材料層的材料為碳化硅、金剛石、類金剛石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化硼和氮化硅中的一種。
15、進一步地，所述聲波諧振器還包括依次位于所述叉指換能器下方的第三介質層、第四介質層及第三高聲速支撐襯底，且所述第三高聲速支撐襯底的慢剪切波聲速大于所述目標模式的聲速，以減小所述目標模式向所述第三高聲速支撐襯底中泄露；所述壓電薄膜貫穿嵌于所述第三介質層中并與所述叉指換能器接觸；所述懸浮底電極嵌入所述第四介質層中。
16、進一步地，所述第三高聲速支撐襯底由遠離所述壓電薄膜一側的支撐襯底及靠近所述壓電薄膜一側的高聲速材料層構成；該支撐襯底的材料為石英、硅、藍寶石、尖晶石、釔鋁石榴石中的一種；該高聲速材料層的材料為碳化硅、金剛石、類金剛石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化硼和氮化硅中的一種。
17、進一步地，所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面，所述聲波諧振器還包括依次位于所述壓電薄膜下方的第一支撐層及第一支撐襯底；其中，所述第一支撐層中形成有空腔，該空腔裸露出所述叉指換能器下方相應的所述壓電薄膜，或所述第一支撐層包括第五介質層及布拉格反射層，所述懸浮底電極嵌入所述第五介質層中。
18、進一步地，所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面；所述聲波諧振器還包括位于所述壓電薄膜下方的第二支撐襯底，其中，所述第二支撐襯底中形成有貫通的空腔，該空腔裸露出所述叉指換能器下方相應的所述壓電薄膜。
19、可選地，所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面，且通過所述叉指換能器形成所述高階聲波模式，所述聲波諧振器還包括依次位于所述壓電薄膜下方的第二支撐層及第三支撐襯底；其中，所述第二支撐層中形成有空腔，該空腔裸露出所述叉指換能器下方相應的所述壓電薄膜，或所述第二支撐層為布拉格反射層。
20、可選地，所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面，且通過所述叉指換能器形成所述高階聲波模式，所述聲波諧振器還包括位于所述壓電薄膜下方的第四支撐襯底，其中，所述第四支撐襯底中形成有貫通的空腔，該空腔裸露出所述叉指換能器下方相應的所述壓電薄膜。
21、可選地，所述第二壓電薄膜區位于所述叉指交疊區末端預設長度對應區域的整個平面；或所述第二壓電薄膜區位于自所述叉指交疊區末端端部起延伸至所述叉指間隙區預設長度對應區域的整個本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種聲波諧振器，其特征在于，所述聲波諧振器包括：壓電薄膜及設置于所述壓電薄膜上的叉指換能器；
2.根據權利要求1所述的聲波諧振器，其特征在于：所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面；所述聲波諧振器的目標模式為零階聲波模式；所述聲波諧振器還包括位于所述壓電薄膜下方的第一高聲速支撐襯底，且所述第一高聲速支撐襯底的慢剪切波聲速大于所述目標模式的聲速。
3.根據權利要求2所述的聲波諧振器，其特征在于：所述壓電薄膜與所述第一高聲速支撐襯底直接接觸；或所述壓電薄膜通過第一介質層形成在所述第一高聲速支撐襯底的上表面上，其中，所述第一介質層的聲速小于所述目標模式的聲速，且所述介質層的厚度小于所述第一壓電薄膜區的厚度同時小于0.1λ。
4.根據權利要求3所述的聲波諧振器，其特征在于：所述第一高聲速支撐襯底的材料為不同晶型及不同切型的碳化硅、金剛石、類金剛石、藍寶石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化硼和氮化硅中的一種；所述第一介質層的材料為氧化硅、多晶硅、非晶硅、氧化鋁、氮化硅、氮化鋁中的一種。
5.根據權利要求2所述的聲波諧振器，其特征在于：所述第
6.根據權利要求1所述的聲波諧振器，其特征在于：所述聲波諧振器的目標模式為高階聲波模式。
7.根據權利要求6所述的聲波諧振器，其特征在于：所述聲波諧振器還包括設置于所述壓電薄膜下表面的懸浮底電極，且所述懸浮底電極正對于所述叉指交疊區的下方，通過所述叉指換能器與所述懸浮底電極形成所述高階聲波模式。
8.根據權利要求7所述的聲波諧振器，其特征在于：所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面；所述聲波諧振器還包括依次位于所述壓電薄膜下方的第二介質層及第二高聲速支撐襯底，且所述第二高聲速支撐襯底的慢剪切波聲速大于所述目標模式的聲速，以減小所述目標模式向所述第二高聲速支撐襯底中泄露；所述第二介質層為絕緣介質層；所述懸浮底電極嵌入所述第二介質層中。
9.根據權利要求8所述的聲波諧振器，其特征在于：所述第二高聲速支撐襯底由遠離所述壓電薄膜一側的支撐襯底及靠近所述壓電薄膜一側的高聲速材料層構成；該支撐襯底的材料為石英、硅、藍寶石、尖晶石、釔鋁石榴石中的一種；該高聲速材料層的材料為碳化硅、金剛石、類金剛石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化硼和氮化硅中的一種。
10.根據權利要求7所述的聲波諧振器，其特征在于：所述聲波諧振器還包括依次位于所述叉指換能器下方的第三介質層、第四介質層及第三高聲速支撐襯底，且所述第三高聲速支撐襯底的慢剪切波聲速大于所述目標模式的聲速，以減小所述目標模式向所述第三高聲速支撐襯底中泄露；所述壓電薄膜貫穿嵌于所述第三介質層中并與所述叉指換能器接觸；所述懸浮底電極嵌入所述第四介質層中。
11.根據權利要求10所述的聲波諧振器，其特征在于：所述第三高聲速支撐襯底由遠離所述壓電薄膜一側的支撐襯底及靠近所述壓電薄膜一側的高聲速材料層構成；該支撐襯底的材料為石英、硅、藍寶石、尖晶石、釔鋁石榴石中的一種；該高聲速材料層的材料為碳化硅、金剛石、類金剛石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化硼和氮化硅中的一種。
12.根據權利要求7所述的聲波諧振器，其特征在于：所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面，所述聲波諧振器還包括依次位于所述壓電薄膜下方的第一支撐層及第一支撐襯底；其中，所述第一支撐層中形成有空腔，該空腔裸露出所述叉指換能器下方相應的所述壓電薄膜，或所述第一支撐層包括第五介質層及布拉格反射層，所述懸浮底電極嵌入所述第五介質層中。
13.根據權利要求7所述的聲波諧振器，其特征在于：所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面；所述聲波諧振器還包括位于所述壓電薄膜下方的第二支撐襯底，其中，所述第二支撐襯底中形成有貫通的空腔，該空腔裸露出所述叉指換能器下方相應的所述壓電薄膜。
14.根據權利要求6所述的聲波諧振器，其特征在于：所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面，且通過所述叉指換能器形成所述高階聲波模式，所述聲波諧振器還包括依次位于所述壓電薄膜下方的第二支撐層及第三支撐襯底；其中，所述第二支撐層中形成有空腔，該空腔裸露出所述叉指換能器下方相應的所述壓電薄膜，或所述第二支撐層為布拉格反射層。
15.根據權利要求6所述的聲波諧振器，其特征在于：所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面，且通過所述叉指換能器形成所...
【技術特征摘要】
1.一種聲波諧振器，其特征在于，所述聲波諧振器包括：壓電薄膜及設置于所述壓電薄膜上的叉指換能器；
2.根據權利要求1所述的聲波諧振器，其特征在于：所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面；所述聲波諧振器的目標模式為零階聲波模式；所述聲波諧振器還包括位于所述壓電薄膜下方的第一高聲速支撐襯底，且所述第一高聲速支撐襯底的慢剪切波聲速大于所述目標模式的聲速。
3.根據權利要求2所述的聲波諧振器，其特征在于：所述壓電薄膜與所述第一高聲速支撐襯底直接接觸；或所述壓電薄膜通過第一介質層形成在所述第一高聲速支撐襯底的上表面上，其中，所述第一介質層的聲速小于所述目標模式的聲速，且所述介質層的厚度小于所述第一壓電薄膜區的厚度同時小于0.1λ。
4.根據權利要求3所述的聲波諧振器，其特征在于：所述第一高聲速支撐襯底的材料為不同晶型及不同切型的碳化硅、金剛石、類金剛石、藍寶石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化硼和氮化硅中的一種；所述第一介質層的材料為氧化硅、多晶硅、非晶硅、氧化鋁、氮化硅、氮化鋁中的一種。
5.根據權利要求2所述的聲波諧振器，其特征在于：所述第一高聲速支撐襯底由遠離所述壓電薄膜一側的支撐襯底及靠近所述壓電薄膜一側的高聲速材料層構成；該支撐襯底的材料為石英、硅、藍寶石、尖晶石、釔鋁石榴石中的一種；該高聲速材料層的材料為碳化硅、金剛石、類金剛石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化硼和氮化硅中的一種。
6.根據權利要求1所述的聲波諧振器，其特征在于：所述聲波諧振器的目標模式為高階聲波模式。
7.根據權利要求6所述的聲波諧振器，其特征在于：所述聲波諧振器還包括設置于所述壓電薄膜下表面的懸浮底電極，且所述懸浮底電極正對于所述叉指交疊區的下方，通過所述叉指換能器與所述懸浮底電極形成所述高階聲波模式。
8.根據權利要求7所述的聲波諧振器，其特征在于：所述叉指換能器設置于所述壓電薄膜的上表面；所述聲波諧振器還包括依次位于所述壓電薄膜下方的第二介質層及第二高聲速支撐襯底，且所述第二高聲速支撐襯底的慢剪切波聲速大于所述目標模式的聲速，以減小所述目標模式向所述第二高聲速支撐襯底中泄露；所述第二介質層為絕緣介質層；所述懸浮底電極嵌入所述第二介質層中。
9.根據權利要求8所述的聲波諧振器，其特征在于：所述第二高聲速支撐襯底由遠離所述壓電薄膜一側的支撐襯底及靠近所述壓電薄膜一側的高聲速材料層構成；該支撐襯底的材料為石英、硅、藍寶石、尖晶石、釔鋁石榴石中的一種；該高聲速材料層的材料為碳化硅、金剛石、類金剛石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化硼和氮化硅中的一種。
10.根據權利要求7所述的聲波諧振器，其特征在于：所述聲波諧振器還包括依次位于所述叉指換能器下方的第三介質層、第四介質層及第三高聲速支撐襯底，且所述第三高聲速支撐襯...
【專利技術屬性】
技術研發人員：吳進波，張麗萍，
申請(專利權)人：上海馨歐集成微電有限公司，
類型：發明
國別省市：
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