【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種半導體芯片測試方法及裝置。
技術介紹
1、隨著無線通訊設備的日益普及與技術的迭代升級，設備內部功能器件的數量大幅增多，這些功能器件工作時會產生一定頻譜的電磁波，這些電磁波又會以相同的頻譜輻射其他的功能器件，產生電磁干擾(emi)。射頻模組(rf?module)器件須有效隔離自身工作時產生的電磁波，以限制它們對臨近功能器件的干擾，避免臨近功能器件性能的下降。
2、目前射頻模組的測試方式主要分為三類：托盤測試、轉塔測試以及基板測試，但以上工藝在微小尺寸電磁屏蔽模組的測試中存在低精度、低效率以及高質量隱患等問題。
3、具體的，托盤測試可應用于較大尺寸電磁屏蔽模組的測試，當產品尺寸小于3mmx3mm時，測試精度、效率會明顯降低，并且最小尺寸僅支持2x2mm以上產品測試，設備的測試精度依賴于硬件調試，并且依靠測試板導向塊來限制接觸點的偏移量，精度為±20μm，測試精度較差。
4、轉塔測試可應用于微小尺寸電磁屏蔽模組的測試，但散裝物料在導入過程中與會設備摩擦，存在電磁屏蔽罩損傷的質量風險，會導致測試良率降低，設備的測試精度依賴于硬件調試，并且依靠測試板導向塊來限制接觸點的偏移量，精度為±20μm，測試精度較差。
5、基板測試可應用于微小尺寸模組的測試，測試前由相機精確定位，理論精度達到±2μm，但當前工藝不支持物料的翻轉，因此不支持封裝的鍍膜工藝，無法對產品添加磁控屏蔽罩，無法使產品具有電磁屏蔽的功能，會導致測試良率降低。
技術實現
1、本專利技術提供了一種半導體芯片測試方法及裝置，可以提高芯片的測試精度、測試良率和測試效率。
2、根據本專利技術的一方面，提供了一種半導體芯片測試方法，包括：
3、確定多個待測芯片中具有良品標識的一個待測芯片；待測芯片包括相對設置的第一面和塑封面；多個待測芯片位于第一承載膜上，且多個待測芯片的第一面裸露；
4、將待測芯片進行第一次翻轉，使得待測芯片的塑封面裸露；
5、確定第一次翻轉后的待測芯片的狀態；
6、在第一次翻轉后的待測芯片無缺陷的情況下，將待測芯片轉移至第二承載膜；在第一次翻轉后的待測芯片有缺陷的情況下，確定第一次翻轉后的待測芯片為次品；
7、在所有無缺陷的待測芯片轉移至第二承載膜后，將第二承載膜上的所有待測芯片的塑封面遠離第一面的表面形成電磁屏蔽層；電磁屏蔽層覆蓋塑封面；
8、將具有電磁屏蔽層的一個待測芯片進行第二次翻轉，使得待測芯片的第一面裸露；
9、確定第二次翻轉后的待測芯片的狀態；
10、在第二次翻轉后的待測芯片無缺陷的情況下，將待測芯片轉移至第三承載膜；在第二次翻轉后的待測芯片有缺陷的情況下，確定第二次翻轉后的待測芯片為次品；
11、在所有無缺陷的待測芯片轉移至第三承載膜后，對第三承載膜上的待測芯片進行測試。
12、可選的，半導體芯片測試裝置包括傳送機構和檢測相機；確定多個待測芯片中具有良品標識的一個待測芯片之前，還包括：
13、將基板切割成多個待測芯片，記錄每一待測芯片的身份信息，身份信息包括良品標識、次品標識以及在基板上的位置信息；
14、將多個待測芯片放置于上料區；
15、通過傳送機構將多個待測芯片轉移至生產區。
16、可選的，半導體芯片測試裝置包括頂針臺和分揀機；將待測芯片進行第一次翻轉，使得待測芯片的塑封面裸露，包括：
17、將頂針臺固定至待測芯片的第一承載膜；
18、將分揀機中的吸嘴固定至待測芯片的第一面；
19、通過頂針臺將待測芯片與第一承載膜進行分離；
20、通過分揀機中的吸嘴將待測芯片進行第一次翻轉，使得待測芯片的塑封面裸露。
21、可選的，確定第一次翻轉后的待測芯片的狀態，包括：
22、確定待測芯片的塑封面的狀態；
23、在待測芯片的塑封面無缺陷的情況下，確定待測芯片的位置；在待測芯片有缺陷的情況下，確定待測芯片為次品；
24、在待測芯片的位置無偏移的情況下，確定待測芯片的側面的狀態；在待測芯片的位置有偏移的情況下，確定待測芯片為次品；
25、在待測芯片的側面無缺陷的情況下，確定待測芯片的第一面的狀態；在待測芯片的側面有缺陷的情況下，確定待測芯片為次品；
26、在待測芯片的第一面無缺陷的情況下，確定第一次翻轉后的待測芯片無缺陷；在待測芯片的第一面有缺陷的情況下，確定待測芯片為次品。
27、可選的，在第一次翻轉后的待測芯片無缺陷的情況下，將待測芯片轉移至第二承載膜；在第一次翻轉后的待測芯片有缺陷的情況下，確定第一次翻轉后的待測芯片為次品之后，還包括：
28、記錄待測芯片在第二承載膜上的位置信息。
29、可選的，將第二承載膜上的所有待測芯片的塑封面遠離第一面的表面形成電磁屏蔽層，包括：
30、通過鍍膜工藝將第二承載膜上的待測芯片的塑封面遠離第一面的表面形成電磁屏蔽層。
31、可選的，半導體芯片測試裝置包括頂針臺和分揀機；將具有電磁屏蔽層的一個待測芯片進行第二次翻轉，使得待測芯片的第一面裸露，包括：
32、將頂針臺固定至待測芯片的第二承載膜；
33、將分揀機中的吸嘴固定至待測芯片的電磁屏蔽層；
34、通過頂針臺將待測芯片與第二承載膜進行分離；
35、通過分揀機中的吸嘴將待測芯片進行第二次翻轉，使得待測芯片的第一面裸露。
36、可選的，在通過頂針臺將待測芯片與第二承載膜進行分離之后，還包括：
37、對待測芯片進行清洗。
38、可選的，在所有無缺陷的待測芯片轉移至第三承載膜后，對第三承載膜上的待測芯片進行測試之后，還包括：
39、記錄第三承載膜上的待測芯片的測試數據。
40、根據本專利技術的另一方面，提供了一種半導體芯片測試裝置，采用本專利技術任意實施例所述的半導體芯片測試方法進行測試。
41、本專利技術實施例在現有基板測試的基礎上，在基板切割工序之后增加對待測芯片翻轉的步驟，使待測芯片的塑封面朝上，然后對塑封面進行鍍膜工序，使得電磁屏蔽層覆蓋塑封面，并在鍍膜工序后再次翻轉待測芯片，使得待測芯片的第一面朝上，之后對待測芯片進行測試，可以使得基板測試中的待測芯片具有電磁屏蔽的功能，可以提高測試芯片的測試良率，提升良率約38％；并且對每次翻轉的待測芯片的狀態進行檢測，可以刷選出有缺陷的待測芯片，并且標記為次品，可以提高待測芯片的測試效率，提升效率約28％，且測試的精度可以從±20μm提升至±2μm。
42、應當理解，本部分所描述的內容并非旨在標識本專利技術的實施例的關鍵或重要特征，也不用于限制本專利技術的范圍。本專利技術的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種半導體芯片測試方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體芯片測試方法，其特征在于，半導體芯片測試裝置包括傳送機構和檢測相機；確定多個所述待測芯片中具有良品標識的一個待測芯片之前，還包括：
3.根據權利要求1所述的半導體芯片測試方法，其特征在于，半導體芯片測試裝置包括頂針臺和分揀機；將所述待測芯片進行第一次翻轉，使得所述待測芯片的塑封面裸露，包括：
4.根據權利要求1所述的半導體芯片測試方法，其特征在于，確定第一次翻轉后的所述待測芯片的狀態，包括：
5.根據權利要求1所述的半導體芯片測試方法，其特征在于，在第一次翻轉后的所述待測芯片無缺陷的情況下，將所述待測芯片轉移至第二承載膜；在第一次翻轉后的所述待測芯片有缺陷的情況下，確定第一次翻轉后的所述待測芯片為次品之后，還包括：
6.根據權利要求1所述的半導體芯片測試方法，其特征在于，將所述第二承載膜上的所有所述待測芯片的塑封面遠離所述第一面的表面形成電磁屏蔽層，包括：
7.根據權利要求1所述的半導體芯片測試方法，其特征在于，所述半導體芯片測試裝
8.根據權利要求7所述的半導體芯片測試方法，其特征在于，在通過頂針臺將所述待測芯片與所述第二承載膜進行分離之后，還包括：
9.根據權利要求1所述的半導體芯片測試方法，其特征在于，在所有無缺陷的待測芯片轉移至第三承載膜后，對所述第三承載膜上的所述待測芯片進行測試之后，還包括：
10.一種半導體芯片測試裝置，其特征在于，采用權利要求1-9任一項所述的半導體芯片測試方法進行測試。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體芯片測試方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體芯片測試方法，其特征在于，半導體芯片測試裝置包括傳送機構和檢測相機；確定多個所述待測芯片中具有良品標識的一個待測芯片之前，還包括：
3.根據權利要求1所述的半導體芯片測試方法，其特征在于，半導體芯片測試裝置包括頂針臺和分揀機；將所述待測芯片進行第一次翻轉，使得所述待測芯片的塑封面裸露，包括：
4.根據權利要求1所述的半導體芯片測試方法，其特征在于，確定第一次翻轉后的所述待測芯片的狀態，包括：
5.根據權利要求1所述的半導體芯片測試方法，其特征在于，在第一次翻轉后的所述待測芯片無缺陷的情況下，將所述待測芯片轉移至第二承載膜；在第一次翻轉后的所述待測芯片有缺陷的情況下，確定第一次翻轉后的所述待測芯片為次品之后，還包括：
<...【專利技術屬性】
技術研發人員：董繼明，趙永欣，張永輝，高在旭，馬偉楠，王雪峰，王凱文，孫文斌，
申請(專利權)人：威訊聯合半導體北京有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。