【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及掩膜版玻璃基底鍍膜，具體涉及一種減少膜層針孔的方法、膜層以及光掩模基板。
技術介紹
1、光掩模基板中主要是由玻璃+膜層+膠層組成，而膜層是影響掩膜基板最重要的存在，其膜層形成過程復雜多變，不同的生產因素會導致膜層造成針孔缺陷。掩膜基板中超過40％以上的不良率與針孔產生有直接關系，針孔的產生會導致膜層形成孔洞，導致薄膜漏光，造成產品在曝光顯影過程線條出現鉆飾、凹陷、鋸齒、塌陷等不良，給產生帶來致命性打擊。
2、現采用的薄膜形成方式是常用的直流磁控技術，平面靶通過ae直流電源+工藝氣體ar、n2、o2、co2不同配比下形成所需膜層。常見控制膜層針孔的方式有：控制來料基底顆粒潔凈度、玻璃與膜層之間粘附力、濺射腔體潔凈度、遮擋物潔凈處理效果及表面粗糙度、靶材純度選取、工藝氣體布氣方式等，通過上述方式只能將濺射過程中絕大部分的顆粒進行去除，而部分顆粒會形成針孔，導致產品ng。
3、當濺射腔體衛生處理不到位時，膜層同樣會產生很多針孔，導致良率下降明顯，針孔受其他因素影響也很大。因ar和n2主要是亮鉻層和氧化層的起輝氣體，當co2過度減少時，膜層抗腐蝕性能會明顯下降。
4、基于此，期望獲得一種優化工藝，優化膜層濺射工藝，提高膜層形成質量，避免濺射過程產生的顆粒，進而減少針孔不良。尋找一種最合適的濺射工藝氣氛配比，來提高膜層形成率，減少膜層針孔缺陷，克服現有技術的不足。
技術實現思路
1、鑒于目前控制掩膜版膜層針孔的方法存在的上述不足，本專利技術提
2、為達到上述目的，本專利技術的實施例采用如下技術方法：
3、一方面，一種減少膜層針孔的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
4、步驟s1：采用磁控濺射工藝形成亮鉻層，其中，磁控濺射工藝中采用的工藝氣體布氣方式為ar、n2以及co2，其中ar流速為80～200sccm；co2流速為0.1～5sccm；n2流速為1～20sccm。
5、需要說明的是，在本專利技術所述的技術方案中，亮鉻層具有高反射率的特性，產品膜層表面需要低反射率，所以在亮鉻層鍍一層氮化鉻，來降低膜層表面的反射率。膜層既需要低反射率也需要耐酸堿、抗腐蝕性能、均勻性能，所以需要添加雜質氣體n2、co2參與反應。其中，調試co2和o2的占比，對膜層影響針孔影響很小。n2與鉻反應，在玻璃直接形成氮化鉻膜層。
6、需要說明的是，在本專利技術所述的技術方案中，ar與鉻不參與反應，在玻璃直接形成鉻膜層。而純鉻膜層耐酸性能、抗腐蝕性、均勻性較差，所以需要添加雜質氣體n2、co2參與反應。
7、其中將co2設定值大于5sccm時，亮鉻層會出現批量的碳化的顆粒物，造成針孔不良，直接造成批量產品ng，控制亮鉻層濺射時co2的設定值能有效控制顆粒、針孔不良。
8、將n2增多或減少，膜層顆粒無明顯變化，但氮氣設定過多，會造成膜層遮光性極差，其氮氣設定控制在1～20sccm，可根據客戶抗腐蝕性能需求進行對比設定。
9、步驟s2：在步驟s1所獲得的亮鉻層上采用磁控濺射工藝形成氧化層，即得膜層。
10、優選的，在所述步驟s1中，工藝參數為本體真空≤1.0*10-3pa；濺射氣壓0.1～0.4pa；濺射功率采用10kwae電源。
11、優選的，在所述步驟s2中，工藝參數為本體真空≤1.0*10-3pa；濺射氣壓0.1～0.5pa；濺射功率采用10kwae電源。
12、優選的，在所述步驟s2中，磁控濺射工藝中采用的工藝氣體布氣方式為n2、o2以及co2，其中n2流速為80～200sccm；co2流速為1～15sccm；o2流速為1～15sccm。
13、優選的，所述方法在步驟s1前還包括前處理步驟，所述前處理步驟包括以下操作的一種或多種：
14、操作1：對濺射腔體和安裝的遮擋物進行無塵潔凈處理；
15、操作2：濺射工藝采用工藝氣體純度為99.999％以上。
16、操作3：靶材純度采用3n5以上，優選地為5n。
17、操作4：濺射工藝的中生產過程的濺射壓力值控制為0.1～1.0pa。
18、該種腔體濺射物料管控能夠顯著提高濺射最終的成膜質量，這是因為：鍍膜機腔體物料污染本身對濺射過程會產生批量的針孔不良，對腔體濺射物料進行管控能夠顯著改善針孔不良。
19、通過對濺射壓力進行控制能夠保證光掩膜基板的膜層的成膜效率和膜層附著力。
20、第二方面，一種針孔少的膜層，其特征在于，所述膜層通過上述方案的任意一項所述的方法制備獲得。
21、優選的，所述膜層包括亮鉻層以及氧化層，其中氧化層的厚度為50～300a。
22、優選的，所述膜層的針孔孔徑≤10μm，針孔數量≤5個。
23、優選的，所述膜層的厚度可以根據需求通過在功率和走速中進行匹配沉積速率改變。
24、第三方面，一種光掩模基板，其特征在于，所述光掩模基板包括玻璃基板以及附于所述玻璃基板上的膜層，所述膜層通過一種減少膜層針孔的方法及其優選方案任意一項所述的方法制備獲得。
25、與現有技術相比，本專利技術所述的技術方案具有如下所述的優點以及有益效果：
26、本專利技術所述的一種減少膜層針孔的方法、膜層以及光掩模基板，通過精確控制工藝氣體流速等參數有效減少了膜層針孔數量，提高了膜層形成質量，使其具有低反射率、耐酸堿、抗腐蝕及均勻等良好特性；通過多種前處理步驟及參數控制優化了膜層濺射工藝，從而使膜層性能提升，避免產品出現斷線、凹陷、白缺陷、鋸齒邊等不良的產生，有效提高高端石英產品的合格率和使用效果。其中特別是通過控制亮鉻層中co2使用占比，大幅度降低了亮鉻層顆粒的產生，且避免表面出現整板顆粒異常。
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1.一種減少膜層針孔的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，工藝參數為本體真空≤1.0×10-3Pa；濺射氣壓0.1～0.4Pa；濺射功率采用10kwAE電源。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，工藝參數為本體真空≤1.0×10-3Pa；濺射氣壓0.1～0.5Pa；濺射功率采用10kwAE電源。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，磁控濺射工藝中采用的工藝氣體布氣方式為N2、O2以及CO2，其中N2流速為80～200sccm；CO2流速為1～15sccm；O2流速為1～15sccm。
5.根據權利要求1～4中任意一項所述的方法，其特征在于，所述方法在步驟S1前還包括前處理步驟，所述前處理步驟包括以下操作的一種或多種：
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，靶材純度采用5N。
7.一種針孔少的膜層，其特征在于，所述膜層通過如權利要求1～6中任意一項所述的方法制備獲得。
8.根據權利要
9.根據權利要求7所述的膜層，其特征在于，所述膜層的針孔孔徑≤10μm，針孔數量≤5個。
10.一種光掩模基板，其特征在于，所述光掩模基板包括玻璃基板以及附于所述玻璃基板上的膜層，所述膜層通過如權利要求1～6中任意一項所述的方法制備獲得。
...【技術特征摘要】
1.一種減少膜層針孔的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟s1中，工藝參數為本體真空≤1.0×10-3pa；濺射氣壓0.1～0.4pa；濺射功率采用10kwae電源。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟s2中，工藝參數為本體真空≤1.0×10-3pa；濺射氣壓0.1～0.5pa；濺射功率采用10kwae電源。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟s2中，磁控濺射工藝中采用的工藝氣體布氣方式為n2、o2以及co2，其中n2流速為80～200sccm；co2流速為1～15sccm；o2流速為1～15sccm。
5.根據權利要求1～4中...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊旭，徐根，李翼，李偉，朱雙華，
申請(專利權)人：湖南普照信息材料有限公司，
類型：發明
國別省市：
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