【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。
技術(shù)介紹
1、hbm(high?bandwidth?memory，高帶寬存儲(chǔ)器)是一款新型的cpu/gpu內(nèi)存芯片(即“ram")，其實(shí)就是將很多個(gè)ddr芯片堆疊在一起后和gpu封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量、高位寬的ddr組合陣列。
2、現(xiàn)有3d?hbm(3dhighbandwidthmemory)封裝結(jié)構(gòu)是將多個(gè)存儲(chǔ)芯片(比如dram)通過先進(jìn)封裝技術(shù)(如tsv硅通孔技術(shù)、微凸塊技術(shù))進(jìn)行垂直堆疊來提升存儲(chǔ)容量，再基于中介板(interposer)的高速接口與計(jì)算單元芯片(gpu/cpu/socdie)互聯(lián)。
3、現(xiàn)有的hbm制作時(shí)的堆疊工藝主要包括tc-ncf(thermal?compression?bonding，tc，non-conductive?film，ncf，熱壓非導(dǎo)電粘合膜)工藝和mr-muf(mass?reflow?bondingwith?molded?underfill，批量回流模制底部填充)工藝。
4、tc-ncf工藝在每次堆疊時(shí)在各層存儲(chǔ)芯片之間需要放置一層非導(dǎo)電粘合膜(non-conductive?film)，用于將上下層的存儲(chǔ)芯片彼此隔離，并保護(hù)焊接點(diǎn)免受沖擊，該工藝存在制作工藝復(fù)雜，效率低，成本高的問題。
5、相比tc-ncf工藝，mr-muf工藝將芯片堆疊壓力降低至6％，也縮短工序時(shí)間，將生產(chǎn)效率提高至4倍，散熱率提高了45％。但是mr-muf工藝在形成存儲(chǔ)芯片堆疊后，存儲(chǔ)芯片之間需要填充塑
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)要解決的問題提供一種堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法，減小堆疊芯片結(jié)構(gòu)中塑封層材料填充時(shí)的難度。
2、為解決上述問題，本申請(qǐng)首先提供了堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：
3、提供基板，所述基板包括相對(duì)的上表面和下表面；
4、提供第一芯片，所述第一芯片包括相對(duì)的第一有源面和第一背面，所述第一有源面具有焊接凸起，所述第一背面具有第一連接端子，將所述第一芯片的第一有源面朝下貼裝在所述基板的上表面，所述焊接凸起與所述基板焊接在一起；
5、提供若干第二芯片，每一個(gè)所述第二芯片包括相對(duì)的第二有源面和第二背面，所述第二有源面具有若干分立的微凸起，所述第二背面具有若干分立的第二連接端子，所述若干分立的微凸起之間設(shè)置有至少一條從第二芯片的一端向第二芯片的另一端延伸的導(dǎo)流通道，且所述導(dǎo)流通道的兩端的寬度大于所述導(dǎo)流通道的中間位置的寬度；
6、在所述第一芯片的第一背面上形成芯片堆疊結(jié)構(gòu)，所述芯片堆疊結(jié)構(gòu)包括沿垂直方向依次堆疊的若干所述第二芯片，每一個(gè)第二芯片的第二有源面朝下，所述芯片堆疊結(jié)構(gòu)中的上層的第二芯片的第二有源面的微凸起與相鄰的下層的第二芯片的第二背面的第二連接端子焊接在一起，底層的第二芯片的第二有源面的微凸起與所述第一芯片的第一背面的第一連接端子焊接在一起；
7、進(jìn)行模制底部填充工藝，形成包覆所述芯片堆疊結(jié)構(gòu)和第一芯片，以及填充上下層的所述第二芯片之間、底層的所述第二芯片與所述第一芯片之間以及所述第一芯片與所述基板的上表面之間的塑封層，所述導(dǎo)流通道在形成所述塑封層時(shí)有利于所述塑封層材料的流動(dòng)和填充。
8、在可選的一實(shí)施例中，所述導(dǎo)流通道的數(shù)量為一個(gè)或多個(gè)，所述導(dǎo)流通道數(shù)量為多個(gè)時(shí)，多個(gè)所述導(dǎo)流通道平行設(shè)置；所述第二芯片的第二有源面上具有鈍化層，所述微凸起部分位于所述鈍化層中，所述若干分立的微凸起之間的鈍化層中設(shè)置有至少一條與所述導(dǎo)流通道延伸方向相同的導(dǎo)流溝槽，所述導(dǎo)流溝槽位于相應(yīng)的所述導(dǎo)流通道正下方。
9、在可選的一實(shí)施例中，所述導(dǎo)流通道與所述導(dǎo)流溝槽均沿著所述塑封層材料流入的方向設(shè)置；所述導(dǎo)流溝槽的兩端的寬度等于或大于所述導(dǎo)流溝槽的中間位置的寬度。
10、在可選的一實(shí)施例中，上層的導(dǎo)流通道與下層的導(dǎo)流通道設(shè)置方向可以相同或不同。
11、在可選的一實(shí)施例中，所述第導(dǎo)流通道的兩端的寬度大于所述導(dǎo)流通道的中間位置的寬度包括：所述導(dǎo)流通道的寬度從兩端向中間位置逐漸減小。
12、在可選的一實(shí)施例中，在所述第一芯片的第一背面上形成芯片堆疊結(jié)構(gòu)的過程包括預(yù)固定工藝和批量回流工藝；先進(jìn)行所述預(yù)固定工藝，將若干所述第二芯片沿垂直方向依次堆疊并預(yù)固定；進(jìn)行批量回流工藝，將所述芯片堆疊結(jié)構(gòu)中的上層的第二芯片的第二有源面的微凸起與相鄰的下層的第二芯片的第二背面的第二連接端子焊接在一起，底層的第二芯片的第二有源面的微凸起與所述第一芯片的第一背面的第一連接端子焊接在一起。
13、在可選的一實(shí)施例中，進(jìn)行所述預(yù)固定工藝時(shí)，所述上層的第二芯片與相鄰的下層的第二芯片通過微凸起中或表面的助焊劑與相應(yīng)的第二連接端子預(yù)焊實(shí)現(xiàn)所述預(yù)固定。
14、在可選的一實(shí)施例中，進(jìn)行所述預(yù)固定工藝時(shí)，上層的第二芯片與相鄰的下層的第二芯片通過位于所述上層的第二芯片和所述下層的第二芯片之間的鍵合層進(jìn)行粘接固定實(shí)現(xiàn)所述預(yù)固定。
15、在可選的一實(shí)施例中，所述鍵合層為臨時(shí)鍵合層或機(jī)械鍵合層，所述臨時(shí)鍵合層在批量回流工藝時(shí)分解，所述機(jī)械鍵合層在機(jī)械鍵合層時(shí)不會(huì)分解，保留在所述堆疊封裝結(jié)構(gòu)中。
16、本申請(qǐng)還提供了一種堆疊封裝結(jié)構(gòu)，包括：
17、基板，所述基板包括相對(duì)的上表面和下表面；
18、第一芯片，所述第一芯片包括相對(duì)的第一有源面和第一背面，所述第一有源面具有焊接凸起，所述第一背面具有第一連接端子，所述第一芯片的第一有源面朝下貼裝在所述基板的上表面，所述焊接凸起與所述基板焊接在一起；
19、位于所述第一芯片的第一背面上的芯片堆疊結(jié)構(gòu)，所述芯片堆疊結(jié)構(gòu)包括沿垂直方向依次堆疊的若干所述第二芯片，每一個(gè)所述第二芯片包括相對(duì)的第二有源面和第二背面，所述第二有源面具有若干分立的微凸起，所述第二背面具有若干分立的第二連接端子，所述若干分立的微凸起之間設(shè)置有至少一條從第二芯片的一端向第二芯片的另一端延伸的導(dǎo)流通道，且所述導(dǎo)流通道的兩端的寬度大于所述導(dǎo)流通道的中間位置的寬度，每一個(gè)第二芯片的第二有源面朝下，所述芯片堆疊結(jié)構(gòu)中的上層的第二芯片的第二有源面的微凸起與相鄰的下層的第二芯片的第二背面的第二連接端子焊接在一起，底層的第二芯片的第二有源面的微凸起與所述第一芯片的第一背面的第一連接端子焊接在一起；
20、包覆所述芯片堆疊結(jié)構(gòu)和第一芯片，以及填充上下層的所述第二芯片之間、底層的所述第二芯片與所述第一芯片之間以及所述第一芯片與所述基板的上表面之間的塑封層，所述導(dǎo)流通道在形成所述塑封層時(shí)有利于所述塑封層材料的流動(dòng)和填充。
21、在可選的一實(shí)施例中，所述導(dǎo)流通道的數(shù)量為一個(gè)或多個(gè)，所述導(dǎo)流通道數(shù)量為多個(gè)時(shí)，多個(gè)所述導(dǎo)流通道平行設(shè)置；所述第二芯片的第二有源面上具有鈍化層，所述微凸起部分位于所述鈍化層中，所述若干分立的微凸起本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)流通道的數(shù)量為一個(gè)或多個(gè)，所述導(dǎo)流通道數(shù)量為多個(gè)時(shí)，多個(gè)所述導(dǎo)流通道平行設(shè)置；所述第二芯片的第二有源面上具有鈍化層，所述微凸起部分位于所述鈍化層中，所述若干分立的微凸起之間的鈍化層中設(shè)置有至少一條與所述導(dǎo)流通道延伸方向相同的導(dǎo)流溝槽，所述導(dǎo)流溝槽位于相應(yīng)的所述導(dǎo)流通道正下方。
3.如權(quán)利要求1或2所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)流通道與所述導(dǎo)流溝槽均沿著所述塑封層材料流入的方向設(shè)置；所述第二芯片邊緣位置的導(dǎo)流溝槽的寬度等于或大于所述第二芯片中間位置的導(dǎo)流溝槽的寬度。
4.如權(quán)利要求1或2所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，上層的導(dǎo)流通道與下層的導(dǎo)流通道設(shè)置方向可以相同或不同。
5.如權(quán)利要求1或2所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二芯片邊緣位置的導(dǎo)流通道的寬度大于所述第二芯片中間位置的導(dǎo)流通道的寬度包括：所述導(dǎo)流通道的寬度從第二芯片的邊緣位置向第二芯片的中間位置逐漸減小。
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