【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及原子層沉積腔體的，尤其涉及一種原子層沉積設(shè)備及其腔體裝置。
技術(shù)介紹
1、原子層沉積(atomic?layer?deposition，簡稱ald)技術(shù)，具有沉積均勻性好、臺(tái)階覆蓋率高、沉積厚度精準(zhǔn)可控、膜質(zhì)高以及雜質(zhì)少等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子器件和光學(xué)元件制造領(lǐng)域。
2、傳統(tǒng)的ald加工過程中，通過交替地將不同的源氣體引入反應(yīng)腔室，與襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并在每個(gè)步驟后利用惰性氣體清除多余的反應(yīng)物和副產(chǎn)物，從而實(shí)現(xiàn)單原子層的逐層沉積。
3、然而，傳統(tǒng)的時(shí)間型ald技術(shù)在處理單片或批量基片時(shí)，由于必須嚴(yán)格遵循ald反應(yīng)的每一個(gè)步驟，并且每個(gè)步驟都需要特定的時(shí)間停留，這導(dǎo)致了達(dá)到所需膜層厚度時(shí)耗時(shí)較長、能耗較高、生產(chǎn)速率較慢，難以滿足日益增長的生產(chǎn)需求和成本控制要求。
4、為了克服這些挑戰(zhàn)，空間原子層沉積(spatial?atomic?layer?deposition，簡稱sald)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。sald技術(shù)通過空間上的分隔，實(shí)現(xiàn)了更高的成膜速率和更快的膜厚成型，顯著提高了生產(chǎn)效率并降低了成本。在sald過程中，為了避免反應(yīng)源和氧化源之間的相互影響，現(xiàn)有的設(shè)備采用了惰性氣體隔離技術(shù)，即在相鄰的源之間設(shè)置惰性氣體，形成單層氣體隔離屏障，以隔離反應(yīng)源和氧化源，防止它們在非反應(yīng)區(qū)域發(fā)生不必要的化學(xué)反應(yīng)和沉積，還能確保在需要的反應(yīng)區(qū)域?qū)崿F(xiàn)高效的原子層沉積。
5、然而，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，由于源氣體的擴(kuò)散特性，單層氣體隔離屏障往往難以實(shí)現(xiàn)反應(yīng)源和氧化源的完全隔離，導(dǎo)致源逸散或擴(kuò)散至其他源區(qū)域，
6、因此，本申請?zhí)岢鲆环N原子層沉積設(shè)備及其腔體裝置。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了解決上述至少一個(gè)問題，本技術(shù)的目的在于提供一種原子層沉積設(shè)備及其腔體裝置，用于在腔體裝置中沿旋轉(zhuǎn)載臺(tái)旋轉(zhuǎn)方向形成相互隔離的第一沉積區(qū)域、第一過渡區(qū)域、第二沉積區(qū)域、第二過渡區(qū)域。
2、本技術(shù)的目的采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：
3、本技術(shù)提供一種原子層沉積設(shè)備的腔體裝置，包括：
4、沉積腔體，所述沉積腔體具有內(nèi)腔和開口；
5、旋轉(zhuǎn)載臺(tái)，所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在所述沉積腔體內(nèi)，所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)用于承載基板；
6、上蓋，所述上蓋設(shè)置在所述沉積腔體的開口處；
7、隔離組件，所述隔離組件至少部分設(shè)置在所述上蓋的朝向旋轉(zhuǎn)載臺(tái)的下表面，以將所述沉積腔體沿所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向依次劃分為第一沉積區(qū)域、第一過渡區(qū)域、第二沉積區(qū)域、第二過渡區(qū)域；
8、第一源供應(yīng)組件，所述第一源供應(yīng)組件至少部分設(shè)置在所述上蓋的下表面且對(duì)應(yīng)所述第一沉積區(qū)域；
9、第二源供應(yīng)組件，所述第二源供應(yīng)組件至少部分設(shè)置在所述上蓋的下表面且對(duì)應(yīng)所述第二沉積區(qū)域。
10、進(jìn)一步的，所述第一源供應(yīng)組件包括：
11、第一源入口，所述第一源入口設(shè)置在所述上蓋上；
12、多個(gè)第一源傳輸通道，多個(gè)所述第一源傳輸通道間隔分布在所述上蓋的下表面且對(duì)應(yīng)所述第一沉積區(qū)域，各所述第一源傳輸通道連接所述第一源入口并開設(shè)有多個(gè)第一源出口，每個(gè)所述第一源出口均朝向所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)。
13、進(jìn)一步的，所述第二源供應(yīng)組件包括：
14、第二源入口，所述第二源入口設(shè)置在所述上蓋上；
15、多個(gè)第二源傳輸通道，多個(gè)所述第二源傳輸通道間隔分布在所述上蓋的下表面且對(duì)應(yīng)所述第二沉積區(qū)域，各所述第二源傳輸通道連接所述第二源入口并開設(shè)有多個(gè)第二源出口，每個(gè)所述第二源出口均朝向所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)。
16、進(jìn)一步的，所述隔離組件包括：
17、第一惰氣入口，所述第一惰氣入口設(shè)置在所述上蓋上；
18、交叉設(shè)置成x形狀的第一惰氣傳輸通道和第二惰氣傳輸通道，各惰氣傳輸通道連接所述第一惰氣入口并開設(shè)有多個(gè)第一惰氣出口，每個(gè)所述第一惰氣出口均朝向所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)。
19、進(jìn)一步的，所述隔離組件包括：
20、交叉設(shè)置成x形狀的第一擋板和第二擋板，各擋板的第一側(cè)安裝在所述上蓋上，各擋板的與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)懸設(shè)在所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)上；
21、第二惰氣入口；
22、第三惰氣傳輸通道和第四惰氣傳輸通道，所述第三惰氣傳輸通道設(shè)置在所述第一擋板的正下方，所述第四惰氣傳輸通道設(shè)置在所述第二擋板的正下方，各惰氣傳輸通道連接所述第二惰氣入口并開設(shè)有多個(gè)第四惰氣出口，每個(gè)所述第四惰氣出口均朝向所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)。
23、進(jìn)一步的，所述第三惰氣傳輸通道和所述第四惰氣傳輸通道的兩端均安裝在所述沉積腔體的側(cè)壁上，并均開設(shè)有多個(gè)第二惰氣出口；
24、所述第三惰氣傳輸通道的第二惰氣出口均正對(duì)所述第一擋板的第二側(cè)；
25、所述第四惰氣傳輸通道的第二惰氣出口均正對(duì)所述第二擋板的第二側(cè)。
26、進(jìn)一步的，所述隔離組件還包括：
27、第三惰氣入口，所述第三惰氣入口設(shè)置在所述上蓋上；
28、第五惰氣傳輸通道，所述第五惰氣傳輸通道設(shè)置在所述上蓋的下表面且兩側(cè)分別位于第一過渡區(qū)域、第二過渡區(qū)域中，所述第五惰氣傳輸通道連接所述第三惰氣入口并開設(shè)有多個(gè)第三惰氣出口，每個(gè)所述第三惰氣出口均朝向所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)。
29、進(jìn)一步的，所述第一擋板與所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)的距離為3-6mm，所述第二擋板與所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)的距離為3-6mm。
30、進(jìn)一步的，所述沉積腔體為圓筒形；
31、所述第一源供應(yīng)組件和第二源供應(yīng)組件用于供應(yīng)不同的沉積源。
32、進(jìn)一步的，所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)的非中心區(qū)開設(shè)有用于承載基板的反應(yīng)槽；
33、所述第一沉積區(qū)域、所述第一過渡區(qū)域、所述第二沉積區(qū)域以及所述第二過渡區(qū)域的圓心角的比值與所述反應(yīng)槽停留在各區(qū)域的時(shí)間的比值相同。
34、另一方面，本技術(shù)提供本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種原子層沉積設(shè)備的腔體裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔體裝置，其特征在于，所述第一源供應(yīng)組件包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔體裝置，其特征在于，所述隔離組件包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔體裝置，其特征在于，所述隔離組件包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的腔體裝置，其特征在于，所述第三惰氣傳輸通道（522）和所述第四惰氣傳輸通道（523）的兩端均安裝在所述沉積腔體（2）的側(cè)壁上，并均開設(shè)有多個(gè)第二惰氣出口（520）；
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的腔體裝置，其特征在于，所述隔離組件還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的腔體裝置，其特征在于，所述第一擋板（524）與所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)（20）的距離為3-6mm，所述第二擋板（525）與所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)（20）的距離為3-6mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔體裝置，其特征在于，所述沉積腔體（2）為圓筒形；
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔體裝置，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)載臺(tái)（20）的非中心區(qū)開設(shè)有用于承載基板的反應(yīng)槽（201）；
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...【技術(shù)特征摘要】
1.一種原子層沉積設(shè)備的腔體裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔體裝置，其特征在于，所述第一源供應(yīng)組件包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔體裝置，其特征在于，所述隔離組件包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔體裝置，其特征在于，所述隔離組件包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的腔體裝置，其特征在于，所述第三惰氣傳輸通道（522）和所述第四惰氣傳輸通道（523）的兩端均安裝在所述沉積腔體（2）的側(cè)壁上，并均開設(shè)有多個(gè)第二惰氣出口（520）；
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的腔體...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：請求不公布姓名，請求不公布姓名，請求不公布姓名，請求不公布姓名，
申請(專利權(quán))人：德滬涂膜設(shè)備蘇州有限公司，
類型：新型
國別省市：
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