【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種既具有可靠的抗靜電功，又能對在儲存、運輸、裝配過程中可靠地保護芯片內的電路不受傷，同時撕開芯片保護膜時又不會對芯片產生靜電破壞的芯片保護膜，屬芯片保護膜制造領域。
技術介紹
1、cn210706393u、名稱“高潔凈度抗靜電芯片包裝膜”，包括保護膜和防粘抗靜電層，所述保護膜包括一基材薄膜和涂布在所述基材薄膜上的膠粘層，所述防粘抗靜電層粘接于所述保護膜上且所述防粘抗靜電層內具有若干導電粒子。所述防粘抗靜電層包括聚合物薄膜，所述導電粒子分散在所述聚合物薄膜內。所述聚合物薄膜包括第一表面和第二表面，所述第一表面粘接于所述保護膜，其中，所述第一表面上具有若干個間隔分布的凸起，相鄰的凸起之間則形成有凹陷。所述聚合物薄膜的第二表面還設置有一支撐層，所述支撐層由塑料制成。所述導電粒子之間相互接觸連結形成一路徑。所述路徑以鏈狀方式排布。其不足之處：一是雖然在包裝膜在聚合物薄膜內增加了導電粒子，但是該導電粒子無法確保能百分之百形成電電鏈，因此無法實現所產生的靜電百分之百地被釋放出來，只能是相對減少靜電產生，因此不可避免地存在芯片被破壞的現象；二是防粘抗靜電層與保護膜粘著后，雖然只有凸起的位置與膠粘層相互黏粘，凹陷的部位不會被保護膜的膠粘層粘住，從而降低了防粘抗靜電層與保護膜兩者之間的粘著面積，只是達到防粘抗靜電層與保護膜間的易撕開，而無法實現對芯片面間的易撕開；三是防粘抗靜電層與保護膜的粘合過程中產生了氣泡，氣泡可從凸起轉移至凹陷內排出，雖然達到了減少氣泡效果，但是芯片的保護起不到任何的作用。
技術實
1、設計目的：避免
技術介紹
的不足之處，設計一種既具有可靠的抗靜電功，又能對在儲存、運輸、裝配過程中可靠地保護芯片內的電路不受傷，同時撕開芯片保護膜時又不會對芯片產生靜電破壞的芯片保護膜。
2、設計方案：為實現上述設計目的。本專利技術在方案設計上：1、抗靜電保護膜呈網格狀結構的設計，是本專利技術的技術特征之一。這樣設計的目的在于：靜電產生是由于物體表面電荷不平衡而產生的，常見的產生方式包括接觸、摩擦和剝離等。在芯片的設計與生產過程中，靜電放電（esd）是一個不容忽視的問題，它可能導致芯片內部結構損壞，導致其無法正常運行。而本專利技術將用于保護芯片的膜設計成網格狀結構，且通過網格狀膜與芯片表面的接觸，芯片表面形成導電層，降低表面電阻率，使芯片在包裝、運輸、撕膜時所產生的靜電迅速導入泄漏，避免靜電在芯片表面積累，進而達到保護芯片內部結構不被靜電損壞的目的。因為通過在材料表面構建傳導路徑，使帶電粒子能夠迅速接觸并傳導，從而抑制和減少靜電荷的產生?。2、網格狀抗靜電保護膜是由多個高分子樹脂導電球依次相觸排列構成的設計，是本專利技術的技術特征之二。這樣設計的目的在于：當網格狀抗靜電保護膜由高分子樹脂導電球構成時，其網格狀抗靜電保護膜與芯片之間的接觸（粘接）形成的是多點接觸。多點接觸的優點在于：接觸面小，但靜電屏蔽和靜電導出由于出路多、導出快；其次，由于多個高分子樹脂導電球之間相觸（相切粘接）構成的鏈路之間相互貫通，因此空氣流通性好，能夠確保芯片運輸過程中空氣的流通性和溫度的相對穩定性，確保芯片的運輸安全。3、采用由高分子樹脂粉和納米級石墨烯粉和納米組鋁粉混合均勻后制成納米級高分子樹脂導電球的設計，是本專利技術的技術特征之三。這樣設計的目的在于：石墨烯的導電性非常優異，是因為其穩定的晶格結構使得碳原子具有優秀的導電性，石墨烯中的電子在軌道中移動時，不會因晶格缺陷或引入外來原子而發生散射，因此電子移動時受到的干擾非常小。因此本專利技術將?納米級石墨烯粉、納米級鋁粉與納米級高分子樹脂粉混合均勻后所制的高分子樹脂導電球不僅具有良好的導電性，而且具有良好的彈性，當其與芯片面接觸后，其良好的彈性則極大地降低重力和外力對芯片的沖擊，確保了芯片在儲存、運輸中的安全性。4、高分子樹脂導電球表面為黏性粘接面的設計，是本專利技術的技術特征之四。這樣設計的目的在于：由于高分子樹脂導電球表面為黏性粘接面，該黏性粘接面與芯片面的粘接又為切線面（點）粘接，因此當粘接在芯片面上的抗靜電保護膜需要從芯片上撕掉時，其切線點面粘接的抗靜電保護膜由于其線點面形成的是自然斜面撕開切入點，因而能夠自然、順暢、不費力的將抗靜電保護膜從芯片面上撕開且不會產生靜電，確保了芯片在裝配前的安全性和性能的可靠性不會發生任何改變。5、基礎保護膜為導電保護膜的設計，是本專利技術的技術特征之五。這樣設計的目的在于：將基礎保護膜設計成導電保護膜作用：一是導電保護膜作為網格狀抗靜電保護膜的依托，能夠確保網格狀抗靜電保護膜成型的可靠性不會發生改變；二是由于基礎保護膜具有良好的導電性，又與位于其上網格狀抗靜電保護膜中的網格狀導電鏈構成靜電泄放導體，因而能夠快速將網格狀抗靜電保護膜中的靜電導出。
3、??本專利技術與
技術介紹
相比，一是抗靜電保護膜為網格狀結構時，使被包裝的芯片表面形成導電層，進而降低了芯片表面電阻率，使芯片在包裝、運輸、撕膜時所產生的靜電迅速導入泄漏，避免了靜電在芯片表面的積累，確保了芯片內部結構不被靜電損壞；二是采用多個高分子樹脂導電球依次相觸排列構成的網格狀抗靜電保護膜，使網格狀抗靜電保護膜與芯片之形成的是多點接觸，不僅接觸面小，靜電導出由于出路多、導出快，而且由多個高分子樹脂導電球構成的導電鏈路之間由于導電球與導電球之間相切形成v字凹槽相互貫通，因而空氣流通性好，確保芯片運輸過程中空氣的流通性和溫度的相對穩定性，進而確保芯片的運輸安全；三是采用由納米級高分子樹脂粉和納米級石墨烯粉、納米組鋁粉混合均勻后制成高分子樹脂導電球，由于導電球具有良好的導電性和良好的彈性，因而極大地降低了芯片在儲存、運輸中的安全性；四是高分子樹脂導電球表面為黏性粘接面，其黏性粘接面與芯片面的粘接點形成的是自然斜面撕開切入點，因而能夠自然、順暢、不費力的將抗靜電保護膜從芯片面上撕開且不會產生靜電，確保了芯片上的抗靜電保護膜在撕開時不會產生靜電；五是基礎保護膜為導電保護膜時，既能為網格狀抗靜電保護膜的依托，又能使位于其上網格狀抗靜電保護膜中的網格狀導電鏈所導出的靜電通過基礎保護膜快速泄放。
【技術保護點】
1.一種芯片彈性保護膜，其特征是由基礎保護膜和抗靜電保護膜疊加構成，所述抗靜電保護膜呈網格狀結構。
2.根據權利要求1所述的芯片彈性保護膜，其特征是：構成網格狀的抗靜電保護膜是由多個高分子樹脂導電球依次相觸排列構成。
3.根據權利要求2所述的芯片彈性保護膜，其特征是：高分子樹脂導電球由納米級高分子樹脂粉和納米級石墨烯粉混合均勻后制成。
4.根據權利要求3所述的芯片彈性保護膜，其特征是：抗靜電保護膜中的納米級石墨烯粉占30-60%。
5.根據權利要求2所述的芯片彈性保護膜，其特征是：高分子樹脂導電球由納米級高分子樹脂粉、納米級石墨烯粉和納米級鋁粉混合均勻后制成。
6.根據權利要求5所述的芯片彈性保護膜，其特征是：高分子樹脂導電球中的納米級石墨烯粉占30-50%，納米級鋁粉占有量為10-20%。
7.根據權利要求2所述的芯片彈性保護膜，其特征是：高分子樹脂導電球由納米級高分子樹脂粉、納米級石墨烯粉、納米級鋁粉和納米級銀粉混合均勻后制成。
8.根據權利要求1所述的芯片彈性保護膜，其特征是：抗靜電保護膜中
9.根據權利要求2所述的芯片彈性保護膜，其特征是：高分子樹脂導電球中的納米組高分子樹脂本身電導率大于1000S/cm。
10.根據權利要求3或5或7所述的芯片彈性保護膜，其特征是：納米組高分子樹脂是指納米級高分子膠料。
11.根據權利要求2所述的芯片彈性保護膜，其特征是：高分子樹脂導電球表面為黏性導電粘接膜。
12.根據權利要求1所述的芯片彈性保護膜，其特征是：基礎保護膜由外基礎保護膜和內基礎保護膜復合構成；內基礎保護膜為導電膜，外基礎保護膜為放電膜。
13.根據權利要求12所述的芯片彈性保護膜，其特征是：導電膜和放電膜中納米級石墨烯粉占有量30-60%。
14.根據權利要求12所述的芯片彈性保護膜，其特征是：導電膜和放電膜中納米級石墨烯粉占有量30-50%、納米級鋁粉占有量為10-20%。
15.根據權利要求12所述的芯片彈性保護膜，其特征是：導電膜和放電膜中納米級石墨烯粉占有量30-50%，納米級鋁粉占有量為10-20%，納米級銀粉占1-5%。
16.根據權利要求11所述的芯片彈性保護膜，其特征是：基礎保護膜中導電膜與抗靜電保護膜面中的多個高分子樹脂導電球面呈切線點面粘接構成。
...【技術特征摘要】
1.一種芯片彈性保護膜，其特征是由基礎保護膜和抗靜電保護膜疊加構成，所述抗靜電保護膜呈網格狀結構。
2.根據權利要求1所述的芯片彈性保護膜，其特征是：構成網格狀的抗靜電保護膜是由多個高分子樹脂導電球依次相觸排列構成。
3.根據權利要求2所述的芯片彈性保護膜，其特征是：高分子樹脂導電球由納米級高分子樹脂粉和納米級石墨烯粉混合均勻后制成。
4.根據權利要求3所述的芯片彈性保護膜，其特征是：抗靜電保護膜中的納米級石墨烯粉占30-60%。
5.根據權利要求2所述的芯片彈性保護膜，其特征是：高分子樹脂導電球由納米級高分子樹脂粉、納米級石墨烯粉和納米級鋁粉混合均勻后制成。
6.根據權利要求5所述的芯片彈性保護膜，其特征是：高分子樹脂導電球中的納米級石墨烯粉占30-50%，納米級鋁粉占有量為10-20%。
7.根據權利要求2所述的芯片彈性保護膜，其特征是：高分子樹脂導電球由納米級高分子樹脂粉、納米級石墨烯粉、納米級鋁粉和納米級銀粉混合均勻后制成。
8.根據權利要求1所述的芯片彈性保護膜，其特征是：抗靜電保護膜中的納米級石墨烯粉占30-50%，納米級鋁粉占10-20%，納米級銀粉占1-5%。
<...【專利技術屬性】
技術研發人員：沈國忠，
申請(專利權)人：杭州巨力絕緣材料有限公司，
類型：發明
國別省市：
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