【技術實現步驟摘要】
本專利技術實施例涉及半導體，尤其涉及一種半導體器件及半導體器件的制備方法。
技術介紹
1、隨著半導體技術的發展，人們對半導體器件的要求越來越高。現有的半導體器件的帽層通常都是采用mg摻雜提供較高的空穴濃度。然而在柵極加較高的正壓時，帽層的頂部區域具有較高的電場，隨著柵極電壓的逐步升高，大部分的增加的電壓落在肖特基結上，使肖特基界面處有很高的電場。半導體器件在長期高柵壓應力后，肖特基結會發生退化，導致可靠性降低。
2、現有的半導體器件在柵極電壓較高時，存在可靠性欠佳的問題。
技術實現思路
1、本專利技術實施例提供一種半導體器件及半導體器件的制備方法，以解決現有的半導體器件在柵極電壓較高時，存在可靠性欠佳的問題。
2、為實現上述技術問題，本專利技術采用以下技術方案：
3、本專利技術實施例提供了一種半導體器件，包括：
4、襯底；
5、設置于襯底一側的緩沖層；
6、設置于緩沖層遠離襯底一側的溝道層；
7、設置于溝道層遠離襯底一側的勢壘層；
8、設置于勢壘層遠離襯底一側的帽層；
9、設置于帽層遠離襯底一側的調控層，調控層在襯底的正投影至少部分覆蓋帽層在襯底的正投影，調控層用于調節帽層的電場的均勻性。
10、可選的，調控層包括第一插入層和第二插入層；
11、第一插入層設置于勢壘層遠離襯底的一側，第二插入層設置于第一插入層遠離襯底的一側；
12、第一插入
13、第二插入層用于提供勢壘，調節電場的強度，并將電場截止于第二插入層的內部；
14、第二插入層在襯底的正投影完全覆蓋第一插入層在襯底的正投影。
15、可選的，第一插入層的材料包括非故意摻雜的氮化鎵；
16、第二插入層的材料包括inxga1-xn、alyga1-yn和inxalyga1-x-yn中的至少一種，其中，0<x<1，0<y<1。
17、可選的，調控層，還包括：
18、第三插入層，第三插入層設置于第二插入層遠離襯底的一側，第三插入層用于起分壓作用；
19、第三插入層在襯底的正投影完全覆蓋第二插入層在襯底的正投影。
20、可選的，第三插入層的材料包括gan，其摻雜包括n-doped、p-doped或n?p?co-doped。
21、可選的，調控層的厚度大于或等于4?nm。
22、可選的，帽層包括p型摻雜層，p型摻雜層包括摻雜mg的gan層；
23、緩沖層的材料包括aln、gan或者algan；溝道層的材料包括gan；勢壘層的材料包括algan；
24、半導體器件還包括柵極，柵極設置于調控層遠離襯底的一側，柵極的材料包括氮化鈦或氮化鎢。
25、根據本專利技術的另一方面，本實施例提供一種半導體器件的制備方法，包括：
26、提供襯底；
27、在襯底的一側形成緩沖層；
28、在緩沖層遠離襯底的一側形成溝道層；
29、在溝道層遠離襯底的一側形成勢壘層；
30、在勢壘層遠離襯底的一側形成帽層；
31、在帽層遠離襯底一側形成調控層，所述調控層在所述襯底的正投影至少部分覆蓋所述帽層在所述襯底的正投影，調控層用于調節帽層的電場的均勻性。
32、可選的，在帽層遠離襯底一側形成調控層，包括：
33、在勢壘層遠離襯底的一側形成第一插入層，第一插入層用于降低帽層的電場強度；
34、在第一插入層遠離襯底的一側形成第二插入層；第二插入層用于提供勢壘，調節電場的強度，并將電場截止于第二插入層的內部；第二插入層在襯底的正投影完全覆蓋第一插入層在襯底的正投影。
35、可選的，在帽層遠離襯底一側形成調控層，還包括：
36、在第二插入層遠離襯底的一側形成第三插入層，第三插入層用于起分壓作用，第三插入層在襯底的正投影完全覆蓋第二插入層在襯底的正投影。
37、本專利技術實施例提供的半導體器件通過在帽層遠離襯底的一側設置調控層，使得帽層和柵極之間設置有調控層。這樣設置，實現帽層表面的晶體質量的提升，調節帽層和柵極之間的電場斜率，減小電場的尖峰，從而改善柵極電場分布，還能降低半導體器件的漏電，提高柵極的耐壓能力，提高柵極可靠性。
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1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述半導體器件，其特征在于，
3.根據權利要求2所述半導體器件，其特征在于，
4.根據權利要求2所述半導體器件，其特征在于，所述調控層，還包括：
5.根據權利要求4所述半導體器件，其特征在于，
6.根據權利要求1所述半導體器件，其特征在于，
7.根據權利要求1所述半導體器件，其特征在于，
8.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述在所述帽層遠離所述襯底一側形成調控層，包括：
10.根據權利要求9所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述在所述帽層遠離所述襯底一側形成調控層，還包括：
【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述半導體器件，其特征在于，
3.根據權利要求2所述半導體器件，其特征在于，
4.根據權利要求2所述半導體器件，其特征在于，所述調控層，還包括：
5.根據權利要求4所述半導體器件，其特征在于，
6.根據權利要求1所述半導體器件，其特征在于，
【專利技術屬性】
技術研發人員：孫濤，張雪，韋建松，
申請(專利權)人：英諾賽科珠海科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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