【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于檢測，具體涉及測試吸附穩定性，尤其涉及碳化硅晶圓載臺檢測裝置及其檢測方法。
技術介紹
1、在半導體碳化硅襯底行業，傳統的加工方法需要對晶圓進行研磨減薄；因此，需要吸真空載臺對晶圓進行限位固定。
2、在相關技術中，晶圓水平放置在吸真空載臺上后，對晶圓底壁進行負壓吸附，但是由于晶圓的底壁光滑度不一致，晶圓放置在載臺上后，會出現吸真空載臺對晶圓負壓吸附力不足，晶圓固定穩定性不佳的情況，導致晶圓在研磨過程中相對吸真空載臺移動的情況。
3、而傳統的吸真空載臺缺乏對晶圓是否被吸附固定的有效檢測手段。
4、因此，如何檢測晶圓是否被吸真空載臺負壓吸附穩定，是本領域亟需解決的技術問題。
5、需要說明的是，本
技術介紹
部分中公開的以上信息僅用于理解本申請構思的
技術介紹
，因此，并不認為上述描述構成現有技術的信息。
技術實現思路
1、本公開實施例至少提供了一種碳化硅晶圓載臺檢測裝置及其檢測方法。
2、第一方面，本公開實施例提供了碳化硅晶圓載臺檢測裝置，包括：
3、承載臺，其底壁開設有若干吸附孔；
4、至少兩個檢測組件，所述檢測組件滑動設置在所述承載臺內底壁的環槽內，且位于晶圓圓周邊緣處；
5、噴淋組件，其設置在承載臺外壁，且一個噴淋組件對應一個檢測組件；
6、其中，晶圓底壁與承載臺內底壁抵接后，噴淋組件向檢測組件外壁噴水，以檢測晶圓是否被承載臺吸附穩定；
7、若晶圓被吸附不穩
8、在一種可選的實施方式中，所述檢測組件包括：固定架，其適于在環槽內周向滑動；
9、調節塊，其滑動設置在所述固定架內；
10、限位條，其設置在所述調節塊上，所述限位條側壁適于與晶圓外壁抵接；
11、其中，晶圓底壁與承載臺的內底壁抵接時，各限位條內壁與晶圓外壁之間設有間隙；
12、一個限位條被推動向晶圓的軸心方向移動時，限位條在向內滑動擠壓晶圓外壁，以檢測晶圓是否被吸附穩定。
13、在一種可選的實施方式中，所述固定架內壁兩側對稱開設有兩滑動槽，每個所述滑動槽的內底部設置有一直線齒條；
14、所述調節塊外壁兩側對稱設置有兩齒輪，所述齒輪與所述直線齒條互相嚙合；
15、其中，調節塊向承載臺軸心方向移動時，所述限位條適于以齒輪為軸翻轉向晶圓外壁。
16、在一種可選的實施方式中，所述調節塊的水平高度大于所述固定架，以使所述限位條底壁與固定架上表面之間設有間隙；
17、其中，調節塊沿承載臺徑向移動時，所述限位條適于相對所述固定架向內或向外翻轉。
18、在一種可選的實施方式中，所述環槽內底壁轉動設置有一定位環，各固定架等間距設置在所述定位環上。
19、在一種可選的實施方式中，所述限位條為與晶圓外壁相適配的圓弧狀，且所述限位條的水平高度大于晶圓的水平高度。
20、在一種可選的實施方式中，噴淋裝置向限位條端壁噴水時，水流適于推動所述限位條，以使所述定位環在所述環槽內圓周滑動；
21、噴淋裝置向限位條外壁噴水時，水流推動所述限位條，以使所述調節塊沿所述承載臺徑向滑動。
22、在一種可選的實施方式中，所述噴淋裝置包括：固定管，其豎直設置在承載臺外壁，且內部中空；
23、轉向頭，其轉動設置在固定管的外壁上端；
24、噴淋頭，其設置在轉向頭外壁，且與固定管內部連通。
25、在一種可選的實施方式中，承載臺，其底壁開設有若干吸附孔；
26、定位環，其轉動設置在所述承載臺內底壁的環槽內；
27、至少兩個檢測組件，所述檢測組件設置在所述定位環上，且其位于晶圓圓周邊緣處；
28、噴淋組件，其設置在承載臺外壁，且一個噴淋組件對應一個檢測組件；
29、所述檢測組件包括：固定架，其設置在定位環上端，且適于在環槽內周向滑動；
30、調節塊，其滑動設置在所述固定架內；
31、限位條，其設置在所述調節塊上，所述限位條側壁適于與晶圓外壁抵接；
32、其中，晶圓底壁與承載臺內底壁抵接后，噴淋組件向限位條外壁噴水，以檢測晶圓是否被承載臺吸附穩定；
33、若晶圓被吸附不穩定，一個檢測組件在徑向滑動時自上向下擠壓晶圓外壁，其他檢測組件在徑向滑動時自下向上頂推晶圓遠離承載臺。
34、在一種可選的實施方式中，所述固定架內壁兩側對稱開設有兩滑動槽，每個所述滑動槽的內底部設置有一直線齒條；
35、所述調節塊外壁兩側對稱設置有兩齒輪，所述齒輪與所述直線齒條互相嚙合；
36、其中，調節塊向承載臺軸心方向移動時，所述限位條適于以齒輪為軸翻轉向晶圓外壁。
37、在一種可選的實施方式中，所述調節塊的水平高度大于所述固定架，以使所述限位條底壁與固定架上表面之間設有間隙；
38、其中，調節塊沿承載臺徑向移動時，所述限位條適于相對所述固定架向內或向外翻轉。
39、第二方面，本公開實施例還提供一種檢測裝置的檢測方法，所述檢測方法包括：
40、晶圓水平放置在承載臺上后，吸附孔負壓吸附以限位晶圓；
41、噴淋組件向一個檢測組件外壁噴水，檢測組件沿承載臺徑向方向向內移動以檢測晶圓被負壓吸附的穩定性；
42、若晶圓被吸附不穩定，一個檢測組件在徑向滑動時自上向下擠壓晶圓外壁，且同步推動晶圓水平滑動，其他檢測組件在徑向滑動時自下向上頂推晶圓遠離承載臺；
43、拖晶圓被吸附限位，一個檢測組件在徑向滑動時無法推動晶圓相對承載臺水平滑動。
44、本專利技術的有益效果是，本專利技術的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，通過檢測組件與噴淋組件的配合，晶圓被吸附孔吸附固定后，噴淋組件向檢測組件外壁噴水，以推動檢測組件水平移動，通過檢測組件是否能夠推動晶圓同步水平移動來檢查晶圓被負壓吸附時的穩定性。若晶圓被吸附不穩定，一個檢測組件在徑向滑動時自上向下擠壓晶圓外壁，其他檢測組件在徑向滑動時自下向上頂推晶圓遠離承載臺。避免了晶圓被加工打磨的過程中，由于吸附不穩定而導致的晶圓隨打磨盤同步轉動的情況發生，提高了打磨效率。
45、本專利技術的其他特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本專利技術的目的和其他優點在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。
46、為使本專利技術的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，本文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。
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1.一種碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
3.如權利要求2所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
4.如權利要求2所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
5.如權利要求2所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
6.如權利要求2所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
7.如權利要求5或6所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
8.如權利要求2所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
9.一種碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，包括：
10.如權利要求9所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
11.如權利要求10所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
12.一種檢測裝置的檢測方法，其特征在于，采用如權利要求1-8任一所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，所述檢測方法包括：
【技術特征摘要】
1.一種碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
3.如權利要求2所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
4.如權利要求2所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
5.如權利要求2所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
6.如權利要求2所述的碳化硅晶圓載臺檢測裝置，其特征在于，
7.如權利要求5或6所述的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張慶云，饒佳鵬，楊加海，鄭紅軍，陸敏，
申請(專利權)人：常州臻晶半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
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