【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【】本專利技術(shù)屬于聲電轉(zhuǎn)換，尤其涉及對電極結(jié)構(gòu)及雙膜片mems麥克風(fēng)。
技術(shù)介紹
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技術(shù)介紹
1、mems傳感器是基于mems(微型機電系統(tǒng))技術(shù)的發(fā)展的成果，其在應(yīng)用領(lǐng)域上比較廣泛，例如mems麥克風(fēng)；相對于其他類型的傳感器件，mems傳感器具有體積小、頻響特性好等優(yōu)點。
2、雙膜片麥克風(fēng)是眾所周知的，其包括間隔設(shè)置以形成電容的兩個電極膜片，兩個電極膜片之間具有空腔，工作時兩電極膜片之間的間距會改變而使電容大小改變，從而將聲波信號轉(zhuǎn)化為電信號。在相關(guān)技術(shù)中，雙膜片麥克風(fēng)中的電極膜片均為平面狀，且會在兩電極膜片之間的間隔內(nèi)設(shè)置對電極從而提升信噪比。然而，相關(guān)技術(shù)中的結(jié)構(gòu)對聲壓不夠敏感，靈敏度不高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
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技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種對電極結(jié)構(gòu)及雙膜片mems麥克風(fēng)，能夠適配波紋隔膜的雙膜片mems麥克風(fēng)，獲得對聲壓更敏感的結(jié)構(gòu)。
2、本專利技術(shù)的技術(shù)方案如下：提供一種對電極結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于雙膜片mems麥克風(fēng)，所述對電極結(jié)構(gòu)包括自內(nèi)朝外間隔設(shè)置的多個周向梁以及連接于所述周向梁且自內(nèi)朝外延伸的多個徑向梁，所述周向梁環(huán)繞所述對電極結(jié)構(gòu)的中心延伸，各所述徑向梁環(huán)繞所述對電極結(jié)構(gòu)的中心間隔排布，內(nèi)外相鄰的兩所述周向梁之間形成環(huán)繞所述對電極結(jié)構(gòu)的中心延伸的過孔。
3、進一步地，所述徑向梁自所述對電極結(jié)構(gòu)的邊緣延伸至中心區(qū)域。
4、進一步地，所述徑向梁包括內(nèi)端延伸至連接于最內(nèi)圈的周向梁且
5、進一步地，所述徑向梁還包括內(nèi)端連接于最內(nèi)圈和最外圈之間的周向梁且最外端延伸至最外圈的周向梁的外側(cè)的第二子梁。
6、進一步地，所述周向梁為完整的環(huán)狀或者開環(huán)狀。
7、進一步地，所述周向梁的輪廓形狀為圓形或者正多邊形。
8、進一步地，各所述周向梁的寬度相等，各相鄰的周向梁之間的間距相等；
9、或者，至少部分所述周向梁的寬度和其余周向梁的寬度不相等，各相鄰的周向梁之間的間距不相等。
10、進一步地，各所述徑向梁環(huán)繞所述對電極結(jié)構(gòu)的中心等角度間隔排布。
11、進一步地，所述徑向梁的寬度在其延伸方向的各處均相等；
12、或者，所述徑向梁的寬度自內(nèi)朝外逐漸增大。
13、進一步地，所述周向梁和所述徑向梁均設(shè)有在厚度方向貫通的穿孔。
14、進一步地，所述穿孔沿著所述周向梁的延伸方向排列，且各所述穿孔分布于所述周向梁的靠近內(nèi)側(cè)邊緣處和靠近外側(cè)邊緣處。
15、進一步地，所述周向梁和所述徑向梁的表面設(shè)有凹槽，所述穿孔位于所述凹槽外。
16、進一步地，所述周向梁和所述徑向梁均具有導(dǎo)電性。
17、進一步地，所述周向梁和所述徑向梁均包括疊合的至少兩層，且至少一層絕緣。
18、進一步地，提供一種雙膜片mems麥克風(fēng)，包括具有背腔的基體和連接于所述基體且覆蓋所述背腔的電容系統(tǒng)，所述電容系統(tǒng)包括間隔設(shè)置的第一電極膜片和第二電極膜片，所述第一電極膜片和所述第二電極膜片之間形成收容腔，所述第一電極膜片和所述第二電極膜片在徑向方向上的截面形狀均為波紋狀，所述第一電極膜片的波峰和所述第二電極膜片的波谷連接形成支撐體，所述電容系統(tǒng)還包括連接于所述基體且懸置于所述收容腔內(nèi)的如上任一項所述的對電極結(jié)構(gòu)，所述支撐體穿過所述過孔且和所述過孔的邊緣具有間隔。
19、進一步地，所述對電極結(jié)構(gòu)周圍的環(huán)境壓力小于0.5個環(huán)境大氣壓。
20、進一步地，所述對電極結(jié)構(gòu)周圍的環(huán)境壓力小于0.1個環(huán)境大氣壓。
21、本專利技術(shù)的有益效果在于：在本方案中，對電極結(jié)構(gòu)可以用于雙膜片mems麥克風(fēng)中，并且懸置于兩個電極膜片之間，其中設(shè)置的過孔環(huán)繞對電極結(jié)構(gòu)的中心延伸，兩個電極膜片之間的支撐體可以穿過過孔而不與對電極結(jié)構(gòu)接觸，如此，兩個電極膜片可以實現(xiàn)雙波紋隔膜結(jié)構(gòu)，對聲壓更為敏感，能夠顯著提升靈敏度性能。
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1.一種對電極結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于雙膜片MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述對電極結(jié)構(gòu)包括自內(nèi)朝外間隔設(shè)置的多個周向梁以及連接于所述周向梁且自內(nèi)朝外延伸的多個徑向梁，所述周向梁環(huán)繞所述對電極結(jié)構(gòu)的中心延伸，各所述徑向梁環(huán)繞所述對電極結(jié)構(gòu)的中心間隔排布，內(nèi)外相鄰的兩所述周向梁之間形成環(huán)繞所述對電極結(jié)構(gòu)的中心延伸的過孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述徑向梁自所述對電極結(jié)構(gòu)的邊緣延伸至中心區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述徑向梁包括內(nèi)端延伸至連接于最內(nèi)圈的周向梁且最外端延伸至最外圈的周向梁的外側(cè)的第一子梁。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述徑向梁還包括內(nèi)端連接于最內(nèi)圈和最外圈之間的周向梁且最外端延伸至最外圈的周向梁的外側(cè)的第二子梁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述周向梁為完整的環(huán)狀或者開環(huán)狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述周向梁的輪廓形狀為圓形或者正多邊形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述徑向梁環(huán)繞所述對電極結(jié)構(gòu)的中心等角度間隔排布。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)及雙膜片MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述徑向梁的寬度在其延伸方向的各處均相等；
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述周向梁和所述徑向梁均設(shè)有在厚度方向貫通的穿孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述穿孔沿著所述周向梁的延伸方向排列，且各所述穿孔分布于所述周向梁的靠近內(nèi)側(cè)邊緣處和靠近外側(cè)邊緣處。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述周向梁和所述徑向梁的表面設(shè)有凹槽，所述穿孔位于所述凹槽外。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述周向梁和所述徑向梁均具有導(dǎo)電性。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述周向梁和所述徑向梁均包括疊合的至少兩層，且至少一層絕緣。
15.一種雙膜片MEMS麥克風(fēng)，包括具有背腔的基體和連接于所述基體且覆蓋所述背腔的電容系統(tǒng)，所述電容系統(tǒng)包括間隔設(shè)置的第一電極膜片和第二電極膜片，所述第一電極膜片和所述第二電極膜片之間形成收容腔，其特征在于，所述第一電極膜片和所述第二電極膜片在徑向方向上的截面形狀均為波紋狀，所述第一電極膜片的波峰和所述第二電極膜片的波谷連接形成支撐體，所述電容系統(tǒng)還包括連接于所述基體且懸置于所述收容腔內(nèi)的如權(quán)利要求1-14任一項所述的對電極結(jié)構(gòu)，所述支撐體穿過所述過孔且和所述過孔的邊緣具有間隔。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的雙膜片MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述對電極結(jié)構(gòu)周圍的環(huán)境壓力小于0.5個環(huán)境大氣壓。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的雙膜片MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述對電極結(jié)構(gòu)周圍的環(huán)境壓力小于0.1個環(huán)境大氣壓。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種對電極結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于雙膜片mems麥克風(fēng)，其特征在于，所述對電極結(jié)構(gòu)包括自內(nèi)朝外間隔設(shè)置的多個周向梁以及連接于所述周向梁且自內(nèi)朝外延伸的多個徑向梁，所述周向梁環(huán)繞所述對電極結(jié)構(gòu)的中心延伸，各所述徑向梁環(huán)繞所述對電極結(jié)構(gòu)的中心間隔排布，內(nèi)外相鄰的兩所述周向梁之間形成環(huán)繞所述對電極結(jié)構(gòu)的中心延伸的過孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述徑向梁自所述對電極結(jié)構(gòu)的邊緣延伸至中心區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述徑向梁包括內(nèi)端延伸至連接于最內(nèi)圈的周向梁且最外端延伸至最外圈的周向梁的外側(cè)的第一子梁。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述徑向梁還包括內(nèi)端連接于最內(nèi)圈和最外圈之間的周向梁且最外端延伸至最外圈的周向梁的外側(cè)的第二子梁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述周向梁為完整的環(huán)狀或者開環(huán)狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述周向梁的輪廓形狀為圓形或者正多邊形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述周向梁的寬度相等，各相鄰的周向梁之間的間距相等；
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述徑向梁環(huán)繞所述對電極結(jié)構(gòu)的中心等角度間隔排布。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)及雙膜片mems麥克風(fēng)，其特征在于，所述徑向梁的寬度在其延伸方向的各處均相等；
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對電極結(jié)構(gòu)，其...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：科林·羅伯特·詹金斯，斯科特·萊爾·嘉吉，尤安·詹姆斯·博伊德，
申請(專利權(quán))人：瑞聲科技新加坡有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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