【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體領域，尤其涉及一種電阻版圖結構。
技術介紹
1、一般的薄膜電阻版圖包括矩形電阻以及位于矩形電阻內的接觸結構。低阻的接觸結構材料能將其與下面的材料短接成一個整體，從而電流從接觸結構內邊沿流出，向著矩形電阻區域的一側。隨著半導體尺寸的不斷縮小，在矩形電阻寬度很小的情況下，接觸結構無法順利放入電阻內部。
2、因此，如何改進薄膜電阻版圖，使接觸結構順利放入電阻內部，是目前需要解決的問題。
技術實現思路
1、本專利技術所要解決的技術問題是如何改進薄膜電阻版圖，使接觸結構順利放入電阻內部，提供一種電阻版圖結構。
2、為了解決上述問題，本專利技術提供了一種電阻版圖結構，包括：薄膜電阻，包括一電阻本體和位于所述電阻本體兩端的突出部，所述電阻本體沿第一方向延伸，所述突出部位于所述電阻本體沿所述第一方向的兩端，在第二方向上、所述突出部的寬度大于所述電阻本體的寬度，以均勻所述薄膜電阻的阻值，所述第二方向與所述第一方向形成夾角；接觸結構，位于所述突出部內。
3、在一些實施例中，所述薄膜電阻為多個，多個所述薄膜電阻沿所述第二方向排布。
4、在一些實施例中，多個所述薄膜電阻沿所述第二方向交錯排布。
5、在一些實施例中，所述電阻本體與所述突出部形成骨頭狀。
6、在一些實施例中，在所述第一方向上、所述電阻本體的長度大于所述突出部的長度。
7、在一些實施例中，所述電阻本體的形狀為矩形。
8、在一些實施
9、在一些實施例中，還包括襯底，所述薄膜電阻及所述接觸結構位于襯底表面。
10、在一些實施例中，所述接觸結構的材料為鎢。
11、在一些實施例中，所述薄膜電阻的厚度小于或等于40nm。
12、上述技術方案通過將電阻兩端設計成狗骨頭的形狀來增加電阻兩端，從而使電阻的非均勻電流誤差減小，減弱電流的不均勻效應，且也能進一步優化設計成交錯匹配的布局構圖，以節省布局空間。本專利技術提供的電阻版圖結構的薄膜電阻比一般的薄膜電阻能充電速度更快，電流更大，整體上提高了約10％。基于此，對于薄膜電阻這一無源器件，能較好地降低電流的不均勻效應，使電阻的非均勻電流誤差減小，提高薄膜電阻的應用范圍，最終得到的期望薄膜電阻在制造過程中受到工藝影響變小，提高了薄膜電阻精度可靠性。
13、應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本專利技術。對于相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術、方法和設備應當被視為授權說明書的一部分。
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1.一種電阻版圖結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的電阻版圖結構，其特征在于，所述薄膜電阻為多個，多個所述薄膜電阻沿所述第二方向排布。
3.根據權利要求2所述的電阻版圖結構，其特征在于，多個所述薄膜電阻沿所述第二方向交錯排布。
4.根據權利要求1所述的電阻版圖結構，其特征在于，所述電阻本體與所述突出部形成骨頭狀。
5.根據權利要求1所述的電阻版圖結構，其特征在于，在所述第一方向上、所述電阻本體的長度大于所述突出部的長度。
6.根據權利要求1所述的電阻版圖結構，其特征在于，所述電阻本體的形狀為矩形。
7.根據權利要求1所述的電阻版圖結構，其特征在于，所述接觸結構和所述突出部的形狀均為矩形，或，所述接觸結構和所述突出部的形狀均為圓形。
8.根據權利要求1所述的電阻版圖結構，其特征在于，還包括襯底，所述薄膜電阻及所述接觸結構位于襯底表面。
9.根據權利要求1所述的電阻版圖結構，其特征在于，所述接觸結構的材料為鎢。
10.根據權利要求1所述的電阻版圖結構，其特征在于，
...【技術特征摘要】
1.一種電阻版圖結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的電阻版圖結構，其特征在于，所述薄膜電阻為多個，多個所述薄膜電阻沿所述第二方向排布。
3.根據權利要求2所述的電阻版圖結構，其特征在于，多個所述薄膜電阻沿所述第二方向交錯排布。
4.根據權利要求1所述的電阻版圖結構，其特征在于，所述電阻本體與所述突出部形成骨頭狀。
5.根據權利要求1所述的電阻版圖結構，其特征在于，在所述第一方向上、所述電阻本體的長度大于所述突出部的長度。
6.根據權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：徐福利，周子游，李柳，
申請(專利權)人：上海積塔半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
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