【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體激光器領域，尤其涉及一種半導體激光器芯片及其制備方法。
技術介紹
1、半導體激光器具有體積小、轉換效率高、可靠性高、能直接調制以及容易與其它半導體器件集成的特點，是通信系統的核心器件。在半導體激光器領域內，由于在平行于結的方向的光限制和電流限制的作用，脊形波導結構被廣泛地應用于各種半導體激光器。
2、在光通訊領域中，可靠性的好壞是產品的一項非常重要的指標，一些產品的可靠性一直存在失效或者緩退等問題，這會直接影響產品后續的開發。現有半導體激光器工作時，激光器的發射前端面光功率密度不斷增大，載流子注入發射前端面，發射前端面的溫度將會升高，使光吸收增加，溫度進一步升高至大于閾值時，將導致器件容易發生緩退或者損毀失效。
技術實現思路
1、有鑒于此，為解決上述至少一項技術問題，本專利技術實施例提供一種半導體激光器芯片及其制備方法。
2、為達到上述目的，本專利技術主要提供如下技術方案：
3、一方面，本專利技術實施例提供一種半導體激光器芯片，包括：
4、芯片主體(100)，芯片主體包括脊波導結構(110)，脊波導結構(110)上注入離子而形成離子注入區(200)。
5、其中，脊波導結構(110)上表面生長有薄膜(300)，薄膜(300)上開設有窗口(301)，通過窗口(301)注入離子而在脊波導結構(110)上形成離子注入區(200)。
6、其中，薄膜(300)為氧化硅薄膜，或者薄膜(300)為碳化硅薄膜
7、其中，離子注入區(200)距離芯片主體(100)的發射前端面的距離大于等于45um，且小于等于55um。
8、其中，離子為磷離子、硼離子或者氫離子。
9、其中，離子注入區(200)的深度大于等于0.5um，小于等于1um。
10、其中，離子注入區(200)在平行于脊波導結構(110)的延伸方向上的長度大于等于18um，且小于等于22um。
11、其中，離子注入區(200)在垂直于脊波導結構(110)的延伸方向上的寬度大于等于8um，且小于等于12um。
12、另一方面，本專利技術還提供一種半導體激光器芯片的制備方法，包括：
13、提供一襯底，并在襯底上依次外延生長各生長層；
14、腐蝕形成脊波導結構；
15、在脊波導結構上注入離子而形成離子注入區。
16、其中，腐蝕形成脊波導結構的步驟之后，在脊波導結構上注入離子而形成離子注入區之前，方法還包括：
17、生長一層薄膜；
18、在脊波導結構上表面的薄膜上形成窗口，去除窗口薄膜；
19、在脊波導結構上注入離子而形成離子注入區具體為：
20、通過窗口在脊波導結構上注入離子而形成離子注入區。
21、本專利技術實施例提出的一種半導體激光器芯片及其制備方法，主要通過在脊波導結構上形成離子注入區，繼而使電流不通過該區域只有光通過該區域，以此來提高產品的可靠性。現有半導體激光器工作時，激光器的發射前端面光功率密度不斷增大，載流子注入腔面，發射前端面的溫度將會升高，使光吸收增加，溫度升高至大于閾值時，將導致容易器件發生緩退或者損毀失效。本申請中，采用離子注入的方式在脊波導結構上形成離子注入區，繼而可以實現減少或者阻隔載流子通過離子注入區，限制載流子注入發射前端面，減少發射前端面處的載流子濃度，降低發射前端面處的溫度，繼而保證芯片的可靠性。
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1.一種半導體激光器芯片，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片，其特征在于，
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7.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片，其特征在于，
8.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片，其特征在于，
9.一種半導體激光器芯片的制備方法，其特征在于，包括：
10.根據權利要求9所述的半導體激光器芯片的制備方法，其特征在于，所述腐蝕形成脊波導結構的步驟之后，所述在脊波導結構上注入離子而形成離子注入區之前，方法還包括：
【技術特征摘要】
1.一種半導體激光器芯片，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片，其特征在于，
6.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片，其特征在于...
【專利技術屬性】
技術研發人員：方子明，劉巍，劉應軍，
申請(專利權)人：武漢敏芯半導體股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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