【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及晶閘管，尤其是涉及一種基于超長波尾沖擊測試的晶閘管老化特性測試裝置。
技術介紹
1、晶閘管是換流閥的核心元件，在服役期間承受長期的電、熱應力，一旦器件特性退化引發系統性失效，會嚴重影響換流閥甚至整個直流輸電工程的安全運行。因此有必要對晶閘管的老化特性進行研究，掌握其老化規律，以求在晶閘管性能衰減到無法滿足工程需求前及時完成更換。晶閘管的老化特性包括門極觸發特性、同態電壓、反向恢復特性以及泄露電阻等，而其中泄露電阻隨晶閘管使用時間的增加變化較為明顯，因此通過對泄露電阻進行測量將能有效測試晶閘管的老化特性。但是，現有技術中少有針對測量泄露電阻的晶閘管老化特性測試方法，且已有的測試方法仍存在晶閘管誤導通及損害等問題，因此，如何在不會誤導通以及損傷晶閘管的前提下完成對晶閘管老化特性的有效測試，成為本領域需要解決的問題。
技術實現思路
1、本專利技術的目的就是為了克服上述現有技術存在的誤導通以及損傷晶閘管的缺陷而提供一種基于超長波尾沖擊測試的晶閘管老化特性測試裝置。
2、本專利技術的目的可以通過以下技術方案來實現：
3、本專利技術提供一種基于超長波尾沖擊測試的晶閘管老化特性測試裝置，包括充電變壓器、整流硅堆、充電電阻、可調電容模塊和繼電器，所述充電變壓器的一端接地，另一端與所述整流硅堆的一端連接，所述整流硅堆的另一端依次串接所述充電電阻與所述可調電容模塊，所述可調電容模塊的另一端接地，所述繼電器與待測晶閘管的陽極端串接后，所述繼電器的另一端與所述待測晶閘
4、作為優選的技術方案，所述繼電器的切換電壓>10kvdc且擊穿電壓>15kvdc。
5、作為優選的技術方案，所述充電變壓器的輸出電壓范圍為0～10kv、紋波噪聲≤0.5％且電壓調整率≤0.1％。
6、作為優選的技術方案，所述整流硅堆的耐壓>50kv、通流>100ma。
7、作為優選的技術方案，所述充電電阻的阻值范圍為0.1～1mω。
8、作為優選的技術方案，所述可調電容模塊包括用于選擇容值的分接開關、第一電容、第二電容與第三電容，所述分接開關的一端與所述充電電阻連接，所述第一電容的一端、所述第二電容的一端與所述第三電容的一端均接地。
9、作為優選的技術方案，所述第一電容的容值為2mf，所述第二電容的容值為10mf，所述第三電容的容值為20mf。
10、作為優選的技術方案，所述裝置還包括用于測試所述待測晶閘管兩端電壓波形的高壓探頭與采集卡，所述高壓探頭的輸入端連接至所述待測晶閘管的一端，輸出端連接至所述采集卡。
11、作為優選的技術方案，所述高壓探頭的測量峰值>20kv。
12、作為優選的技術方案，所述采集卡的采樣頻率>40m。
13、與現有技術相比，本專利技術具有以下有益效果：
14、1、本專利技術提供的晶閘管老化特性測量裝置，通過可調電容模塊脈沖放電的波尾時間來計算晶閘管的泄露電阻，進行老化特性測試，產生的超長波尾能夠避免晶閘管誤導通，不會對晶閘管造成損傷；
15、2、本專利技術提供的晶閘管老化特性測量裝置，利用分接開關與多個電容組成可調電容模塊，也即通過極大容值可調電容放電產生超長波尾沖擊，在不會誤導通以及損傷晶閘管的前提下，獲得晶閘管兩端電壓變化，通過對波尾時間進行計算，獲得晶閘管的泄露電阻，從而實現了對晶閘管老化特性的測試；
16、3、本專利技術提供的裝置使用繼電器控制可調電容模塊放電，無需可調電感或rc串聯支路，能夠在完成測試的同時有效簡化電路，保證電路的穩定性，提高測試的效率。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種基于超長波尾沖擊測試的晶閘管老化特性測試裝置，其特征在于，包括充電變壓器、整流硅堆、充電電阻、可調電容模塊和繼電器，所述充電變壓器的一端接地，另一端與所述整流硅堆的一端連接，所述整流硅堆的另一端依次串接所述充電電阻與所述可調電容模塊，所述可調電容模塊的另一端接地，所述繼電器與待測晶閘管串接后的兩端分別連接至所述可調電容模塊的兩端。
2.根據權利要求1所述的基于超長波尾沖擊測試的晶閘管老化特性測試裝置，其特征在于，所述繼電器的切換電壓>10kVDC且擊穿電壓>15kVDC。
3.根據權利要求1所述的基于超長波尾沖擊測試的晶閘管老化特性測試裝置，其特征在于，所述充電變壓器的輸出電壓范圍為0～10kV、紋波噪聲≤0.5％且電壓調整率≤0.1％。
4.根據權利要求1所述的基于超長波尾沖擊測試的晶閘管老化特性測試裝置，其特征在于，所述整流硅堆的耐壓>50kV、通流>100mA。
5.根據權利要求1所述的基于超長波尾沖擊測試的晶閘管老化特性測試裝置，其特征在于，所述充電電阻的阻值范圍為0.1～1MΩ。
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。