【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及超寬帶和太赫茲領域，具體是一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源。
技術介紹
1、在研究開關電弧放電實驗中，觀察到有超寬帶微波輻射現象的產生。在平面二極管中進行實驗后發現：當平面真空二極管擊穿后也會輻射出超寬帶微波。通過使用等離子體提高微波設備效率、功率、頻寬和頻率調諧的特點制成的多種等離子體填充器件在近些年取得了很大進展，例如等離子體填充的波導管、行波管、等離子體波管及等離子體輔助慢波振蕩器等等。二極管在放電過程中形成的等離子體，是產生超寬帶微波輻射的主要原因。
2、現有的裝置激發的等離子體不能有效的調諧和控制頻率，影響在超寬帶和太赫茲技術的研究。
技術實現思路
1、對于現有技術中存在的上述的問題，本專利技術的目的在于提供一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源，以解決上述
技術介紹
中提出的問題。
2、為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案：
3、一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源，包括總控系統、主機系統和電源系統，總控系統與主機系統通信連接，總控系統、主機系統都和電源系統通電連接；
4、主機系統包括成型區和輻射接收區，成型區上設有金屬圓柱外電極和金屬圓柱內電極，金屬圓柱外電極和金屬圓柱內電極之間設有緊湊環等離子體，金屬圓柱外電極上設有多組進氣窗口；
5、金屬圓柱外電極通過導線與電源系統一側連接，電源系統另一端與金屬圓環蓋板連接，金屬圓環蓋板與金屬環板法蘭通過用
6、作為本專利技術進一步的方案：所述的金屬圓環蓋板接地。
7、作為本專利技術進一步的方案：所述的輻射接收區上設有雙脊喇叭天線。
8、作為本專利技術進一步的方案：所述的金屬圓柱外電極設置在主機裝置的最外層。
9、作為本專利技術進一步的方案：所述的輻射接收區與成型區之間距離相隔4m。
10、作為本專利技術進一步的方案：所述的電源系統主要由螺線管脈沖電源、氣閥脈沖電源、成型脈沖電源和本地控制器組成。
11、作為本專利技術進一步的方案：所述的螺線管脈沖電源、氣閥脈沖電源、成型脈沖電源之間并聯連接。
12、作為本專利技術進一步的方案：所述的總控系統包括控制放電系統。
13、與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：
14、本專利技術當電極充電時，氣閥釋放出工質氣體，內外電極擊穿工質氣體生成等離子體，形成超寬帶電磁波輻射，絕緣層主要由陶瓷制成，可有效避免壁材料被電離而帶入雜質。本專利技術裝置激發的等離子體具有各向異性、非均勻的性質，能有效的調諧和控制頻率。本專利技術具有超寬帶輻射、輻射功率高的優點，在超寬帶和太赫茲技術研究中具有重要的實用價值。
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1.一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源，其特征在于，包括總控系統、主機系統和電源系統(6)，總控系統與主機系統通信連接，總控系統、主機系統都和電源系統(6)通電連接；
2.根據權利要求1所述的一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源，其特征在于，所述的金屬圓環蓋板(11)接地。
3.根據權利要求2所述的一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源，其特征在于，所述的輻射接收區(7)上設有雙脊喇叭天線(8)。
4.根據權利要求3所述的一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源，其特征在于，所述的金屬圓柱外電極(2)設置在主機裝置的最外層。
5.根據權利要求4所述的一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源，其特征在于，所述的輻射接收區(7)與成型區(1)之間距離相隔4m。
6.根據權利要求5所述的一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源，其特征在于，所述的電源系統(6)主要由螺線管脈沖電源、氣閥脈沖電源、成型脈沖電源和本地控制器組成。
7.根
8.根據權利要求7所述的一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源，其特征在于，所述的總控系統包括控制放電系統。
...【技術特征摘要】
1.一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源，其特征在于，包括總控系統、主機系統和電源系統(6)，總控系統與主機系統通信連接，總控系統、主機系統都和電源系統(6)通電連接；
2.根據權利要求1所述的一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源，其特征在于，所述的金屬圓環蓋板(11)接地。
3.根據權利要求2所述的一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源，其特征在于，所述的輻射接收區(7)上設有雙脊喇叭天線(8)。
4.根據權利要求3所述的一種基于緊湊環脈沖等離子體發生器的超寬帶電磁波輻射源，其特征在于，所述的金屬圓柱外電極(2)設置在主機裝置的最外層。
【專利技術屬性】
技術研發人員：孔德峰，陳志豪，譚名異，葉揚，鐘富彬，渠承明，王曉鵬，張壽彪，嚴建文，
申請(專利權)人：合肥綜合性國家科學中心能源研究院安徽省能源實驗室，
類型：發明
國別省市：
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