【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光通信，尤其涉及到一種半導體激光器最優老化條件的確定方法、裝置及設備。
技術介紹
1、激光器芯片亦稱激光芯片，其可靠性是一項十分關鍵的指標，無論是小功率的激光發射器還是要求較高的激光通信芯片，都需要進行芯片的老化和可靠性的測試，因此老化是激光器產品篩選的一道重要工序，篩選出那些壽命可能較短的產品，使剩下的大量的激光器都具有滿意的可接受的可靠性。
2、芯片的老化需要在最優的老化條件下，才能既能夠有效剔除早期失效樣品，又不會對芯片造成額外損傷，然而由于施加驅動電流導致的芯片結溫變化，會帶來干擾，導致半導體激光器最優老化條件難以準確的確定，目前，亟需一種能夠準確的確定半導體激光器最優老化條件的方法。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術提供了一種半導體激光器最優老化條件的確定方法、裝置及設備，可解決目前未排除由于施加驅動電流導致的芯片結溫變化帶來的干擾，導致半導體激光器最優老化條件的確定不準確的技術問題。
2、根據本專利技術的第一個方面，提供了一種半導體激光器最優老化條件的確定方法，所述方法包括：
3、獲取待測試半導體激光器芯片，基于所述待測試半導體激光器芯片的閾值電流測試不同溫度下的第一波長值以及飽和光功率對應的飽和電流；
4、將所述待測試半導體激光器芯片封裝成組件，測試所述組件在預設固定環境溫度下，不同驅動電流下的第二波長值；
5、根據所述第一波長值、所述第二波長值、所述飽和電流與所述驅動電流確定所述預設固定
6、基于所述預設固定環境溫度與所述極限老化電流進行老化試驗，得到最優老化條件。
7、優選的，所述根據所述第一波長值、所述第二波長值、所述飽和電流與所述驅動電流確定所述預設固定環境溫度下的極限老化電流，包括：
8、確定所述第一波長值與所述第二波長值相等，且所述飽和電流與所述驅動電流相等時的目標電流，將所述目標電流作為所述預設固定環境溫度下的極限老化電流。
9、優選的，所述確定所述第一波長值與所述第二波長值相等，且所述飽和電流與所述驅動電流相等時的目標電流，包括：
10、構建所述第一波長值與所述飽和電流的第一擬合曲線；
11、構建所述第二波長值與所述驅動電流的第二擬合曲線；
12、擬合所述第一擬合曲線與所述第二擬合曲線相交的點，得到所述第一波長值與所述第二波長值相等，且所述飽和電流與所述驅動電流相等時的目標電流。
13、優選的，所述基于所述預設固定環境溫度與所述極限老化電流進行老化試驗，得到最優老化條件，包括：
14、獲取第二預設數量的待老化試驗芯片；
15、獲取預設步距，基于所述極限老化電流，按照所述預設步距設置不同的試驗驅動電流；
16、獲取預設老化時間、預設拓展老化時間以及高溫工作壽命測試時間，分別在所述預設老化時間、所述預設拓展老化時間以及所述高溫工作壽命測試時間下，基于所述預設固定環境溫度以及所述試驗驅動電流對所有所述待老化試驗芯片進行老化試驗，對應得到第一失效數量、新增失效數量以及第二失效數量；
17、根據所述新增失效數量以及所述第二失效數量確定最優老化條件。
18、優選的，所述獲取待測試半導體激光器芯片，基于所述待測試半導體激光器芯片的閾值電流測試不同溫度下的第一波長值以及飽和光功率對應的飽和電流，包括：
19、獲取第一預設數量的待測試半導體激光器芯片；
20、計算所述待測試半導體激光器芯片的閾值電流與預設電流的和，得到初始光譜值，在所述初始光譜值下，測試每個所述待測試半導體激光器芯片在不同溫度下的第一初始波長值以及飽和光功率對應的初始飽和電流；
21、計算所述第一初始波長值的平均，得到第一波長值；
22、計算所述初始飽和電流的平均，得到飽和電流。
23、優選的，所述將所述待測試半導體激光器芯片封裝成組件，測試所述組件在預設固定環境溫度下，不同驅動電流下的第二波長值，包括：
24、將一個所述待測試半導體激光器芯片封裝成一個組件，測試每個所述組件在預設固定環境溫度下，不同驅動電流下的第二初始波長值；
25、計算所述第二初始波長值的平均，得到第二波長值。
26、優選的，在所述測試所述組件在預設固定環境溫度下，不同驅動電流下的第二波長值之前，所述方法還包括：
27、設置起始驅動電流、終止驅動電流和驅動電流步進，得到不同的驅動電流。
28、根據本專利技術的第二個方面，提供了一種半導體激光器最優老化條件的確定裝置，所述裝置包括：
29、第一測試模塊，用于獲取待測試半導體激光器芯片，基于所述待測試半導體激光器芯片的閾值電流測試不同溫度下的第一波長值以及飽和光功率對應的飽和電流；
30、第二測試模塊，用于將所述待測試半導體激光器芯片封裝成組件，測試所述組件在預設固定環境溫度下，不同驅動電流下的第二波長值；
31、確定模塊，用于根據所述第一波長值、所述第二波長值、所述飽和電流與所述驅動電流確定所述預設固定環境溫度下的極限老化電流；
32、試驗模塊，用于基于所述預設固定環境溫度與所述極限老化電流進行老化試驗，得到最優老化條件。
33、依據本申請第三個方面，提供了一種存儲介質，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現上述半導體激光器最優老化條件的確定方法。
34、依據本申請第四個方面，提供了一種計算機設備，包括存儲介質、處理器及存儲在存儲介質上并可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述程序時實現上述半導體激光器最優老化條件的確定方法。
35、借由上述技術方案，本專利技術提供的一種半導體激光器最優老化條件的確定方法、裝置及設備，首先，獲取待測試半導體激光器芯片，基于所述待測試半導體激光器芯片的閾值電流測試不同溫度下的第一波長值以及飽和光功率對應的飽和電流；然后，將所述待測試半導體激光器芯片封裝成組件，測試所述組件在預設固定環境溫度下，不同驅動電流下的第二波長值；接下來，根據所述第一波長值、所述第二波長值、所述飽和電流與所述驅動電流確定所述預設固定環境溫度下的極限老化電流；最后，基于所述預設固定環境溫度與所述極限老化電流進行老化試驗，得到最優老化條件。通過本專利技術的技術方案，由于當芯片的波長值相同時，芯片的結溫也相同，因此，為了排除芯片的結溫帶來的干擾，以不同條件下的芯片的波長值相同為目標，得到這個條件，根據這個條件進行老化試驗，就是最優老化條件。而為了提高確定這個條件的效率，采用控制變量法，將不同條件設置為不同的條件1與條件2，條件1：只有溫度改變，條件2：預設固定環境溫度下，只有驅動電流改變，這樣，當波長相同時，即可確定預設固定環境溫度下，唯一的目標電流，也就是極限老化電流。從而高效的排除了由于施加驅動電流導致的芯片結溫變化帶來的干擾，高效的提高了半導體激光器最本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種半導體激光器最優老化條件的確定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一波長值、所述第二波長值、所述飽和電流與所述驅動電流確定所述預設固定環境溫度下的極限老化電流，包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述確定所述第一波長值與所述第二波長值相等，且所述飽和電流與所述驅動電流相等時的目標電流，包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述預設固定環境溫度與所述極限老化電流進行老化試驗，得到最優老化條件，包括：
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取待測試半導體激光器芯片，基于所述待測試半導體激光器芯片的閾值電流測試不同溫度下的第一波長值以及飽和光功率對應的飽和電流，包括：
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述待測試半導體激光器芯片封裝成組件，測試所述組件在預設固定環境溫度下，不同驅動電流下的第二波長值，包括：
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述測試所述組件在預設固定環境溫度下，不同驅動
8.一種半導體激光器最優老化條件的確定裝置，其特征在于，所述裝置包括：
9.一種存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至7中任一項所述半導體激光器最優老化條件的確定方法。
10.一種計算機設備，包括存儲介質、處理器及存儲在存儲介質上并可在處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序時實現權利要求1至7中任一項所述半導體激光器最優老化條件的確定方法。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體激光器最優老化條件的確定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一波長值、所述第二波長值、所述飽和電流與所述驅動電流確定所述預設固定環境溫度下的極限老化電流，包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述確定所述第一波長值與所述第二波長值相等，且所述飽和電流與所述驅動電流相等時的目標電流，包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述預設固定環境溫度與所述極限老化電流進行老化試驗，得到最優老化條件，包括：
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取待測試半導體激光器芯片，基于所述待測試半導體激光器芯片的閾值電流測試不同溫度下的第一波長值以及飽和光功率對應的飽和電流，包括：
6.根據權...
【專利技術屬性】
技術研發人員：徐帥，劉巍，劉應軍，
申請(專利權)人：武漢敏芯半導體股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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