【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請實施例涉及電源管理，具體涉及一種ldo電路、電源管理芯片、電路板和電子設備。
技術介紹
1、低壓差線性穩(wěn)壓器(low?dropout?regulator，ldo)因其簡單的電路設計、低噪聲、低成本和較小的外部組件而廣泛應用于芯片電路中，為芯片電路中的其他模塊提供穩(wěn)定電壓源。當ldo工作于高壓域時，功率管的柵源電壓vgs隨著負載電流增大而增大，當柵源電壓vgs增大到功率管過壓閾值時，如果負載電流繼續(xù)增加，此時功率管及相關電路將產(chǎn)生過壓風險，需增加限流電路以防止功率管過壓。
2、現(xiàn)有技術中，ldo限流電路的主極點和次極點頻率相近，導致限流電路不穩(wěn)定，通常通過增加密勒補償使限流電路的主極點和次極點頻率分開，以提高限流電路的穩(wěn)定性，同時還通過在ldo輸出端增加等效串聯(lián)電阻(equivalent?series?resistance，esr)構(gòu)建零點，以提高ldo主環(huán)路的穩(wěn)定性。但是當ldo驅(qū)動大電流負載時，esr電阻上會產(chǎn)生較大的壓降，降低了ldo的負載調(diào)整率。
3、因此，如何在保持ldo的穩(wěn)定性前提下，提高ldo的負載調(diào)整率是亟待解決的問題。
技術實現(xiàn)思路
1、鑒于上述問題，本申請實施例提供了一種ldo電路、電源管理芯片、電路板和電子設備，用于解決現(xiàn)有技術中存在的ldo的負載調(diào)整率較低的問題。
2、根據(jù)本申請實施例的一個方面，提供了一種低壓差線性穩(wěn)壓器ldo電路，其特征在于，包括：ldo主環(huán)路，包括功率管和誤差放大器，所述功率管具有電壓輸出端，所述
3、在一種可選的方式中，所述低阻抗單元包括一個或多個低阻抗器件；當所述功率管電流增大至第一值時，所述低阻抗單元導通，所述限流反饋電路從關斷狀態(tài)切換至道通狀態(tài)，其中，所述第一值小于所述限流閾值。
4、在一種可選的方式中，所述低阻抗器件包括金屬-氧化物半導體場效應晶體管、雙極性結(jié)型晶體管和二極管中的一種或多種。
5、在一種可選的方式中，所述功率管電流采集電路包括第一mos管、第二mos管和第三mos管；所述第一mos管的柵極與所述功率管的柵極相連，所述第一mos管的源極與所述電源端相連，所述第一mos管的漏極與所述第二mos管的漏極相連；所述第二mos管的柵極與所述第三mos管的柵極相連，所述第二mos管的源極接地；所述第三mos管的漏極與所述電流源的負極相連，所述第三mos管的源極接地。
6、在一種可選的方式中，所述低阻抗單元為第四mos管，所述限流反饋電路還包括第五mos管；所述第四mos管的柵極和漏極均與所述電流源的負極相連，所述第四mos管的源極與所述電源端相連；所述第五mos管的柵極與所述電流源的負極相連，所述第五mos管的源極與所述電源端相連，所述第五mos管的漏極與所述誤差放大器的輸出端相連。
7、在一種可選的方式中，所述限流閾值與所述參考電流、所述誤差放大器的輸出端的尾電流值、所述第一mos管與所述功率管的鏡像比例、所述第三mos管與所述第二mos管的鏡像比例以及所述第五mos管與所述第四mos管的鏡像比例相關。
8、在一種可選的方式中，所述第一mos管與所述功率管的鏡像比例為1：m，所述第三mos管與所述第二mos管的鏡像比例為1：n，所述第五mos管與所述第四mos管的鏡像比例為1：k；所述限流閾值ilimit為：ilimit＝(i1+k*iea)*m*n；其中，i1為所述參考電流，iea為所述誤差放大器的輸出端的尾電流值。
9、在一種可選的方式中，所述ldo主環(huán)路還包括第一電阻和第二電阻r2；所述誤差放大器的正相輸入端與參考電壓相連，所述誤差放大器的輸出端與所述功率管的柵極相連；所述功率管的源極與所述電源端相連，所述功率管的漏極通過所述第一電阻與所述誤差放大器的反相輸入端相連，所述功率管的漏極還依次通過所述第一電阻和所述第二電阻接地。
10、根據(jù)本申請實施例的另一方面，提供了一種電源管理芯片，包括如上實施例所述的ldo電路。
11、根據(jù)本申請實施例的另一方面，提供了一種電路板，所述電路板上設置有如上實施例所述的電源管理芯片以及片外電容，所述片外電容與所述電源管理芯片中所述功率管的電壓輸出端相連。
12、根據(jù)本申請實施例的另一方面，提供了一種電子設備，所述電子設備包括如上實施例所述的電路板。
13、本申請實施例通過在限流電路的次極點增加低阻抗通路，限流電路的次極點的輸出阻抗增大，因此增大了限流電路的次極點頻率，使限流電路的次極點的頻率遠離限流電路的主極點的頻率，無需在電路中增加密勒補償，也可以保持限流電路的穩(wěn)定。由于ldo主環(huán)路的ea輸出端并未接密勒電容，其電容很小，因此ldo主環(huán)路的次極點頻率很大，故ldo主環(huán)路的主極點)和次極點之間的頻率相差大，不需要在ea輸出端增加esr電阻構(gòu)建零點，ldo主環(huán)路依然可以保持穩(wěn)定，在保持ldo的穩(wěn)定性前提下提高了ldo的負載調(diào)整率。
14、上述說明僅是本申請實施例技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本申請實施例的技術手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本申請實施例的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉本申請的具體實施方式。
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1.一種低壓差線性穩(wěn)壓器LDO電路，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDO電路，其特征在于，所述低阻抗單元包括一個或多個低阻抗器件；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LDO電路，其特征在于，所述低阻抗器件包括金屬-氧化物半導體場效應晶體管、雙極性結(jié)型晶體管和二極管中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDO電路，其特征在于，所述功率管電流采集電路包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LDO電路，其特征在于，所述低阻抗單元為第四MOS管，所述限流反饋電路還包括第五MOS管；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LDO電路，其特征在于，所述第一MOS管與所述功率管的鏡像比例為1：m，所述第三MOS管與所述第二MOS管的鏡像比例為1：n，所述第五MOS管與所述第四MOS管的鏡像比例為1：k；
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDO電路，其特征在于，所述LDO主環(huán)路還包括第一電阻和第二電阻R2；
8.一種電源管理芯片，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～7中任一項所述的LDO電路。
...【技術特征摘要】
1.一種低壓差線性穩(wěn)壓器ldo電路，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ldo電路，其特征在于，所述低阻抗單元包括一個或多個低阻抗器件；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ldo電路，其特征在于，所述低阻抗器件包括金屬-氧化物半導體場效應晶體管、雙極性結(jié)型晶體管和二極管中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ldo電路，其特征在于，所述功率管電流采集電路包括第一mos管、第二mos管和第三mos管；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ldo電路，其特征在于，所述低阻抗單元為第四mos管，所述限流反饋電路還包括第五mos管；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ldo電路，其特...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：王倩倩，董瑞凱，陳講重，張濤，
申請(專利權(quán))人：上海艾為電子技術股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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