【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造，尤其涉及一種適用于高壓器件的硅片及其制造方法。
技術介紹
1、高壓(hv)器件主要應用于屏幕驅動芯片中，高壓器件在工作時需要滿足200v以上的操作電壓，因此，對高壓器件的性能要求較高。
2、當前通過直拉法和區熔法得到的單晶晶圓，經過切片、打磨、拋光等工藝處理之后得到的硅片電阻率一致性較差，在所述硅片中存在摻雜濃度均勻性較差，存在較大的摻雜梯度或者較大的局部缺陷，從而導致采用所述硅片制造得到的器件(尤其是高壓器件或者高功率器件)電流可能分布不均勻，特別是當器件處于雪崩擊穿時對器件的影響很大。
3、因此，如何提高硅片電阻率的一致性，減少硅片內部的缺陷，從而改善由所述硅片制造得到的高壓器件的性能，是當前亟待解決的技術問題。
技術實現思路
1、本專利技術提供一種適用于高壓器件的硅片及其制造方法，用于提高硅片電阻率的一致性，減少硅片內部的缺陷，從而改善由所述硅片制造得到的高壓器件的性能。
2、根據一些實施例，本專利技術提供了一種適用于高壓器件的硅片的制造方法，包括如下步驟：
3、提供支撐晶圓，所述支撐晶圓包括沿第一方向相對分布的第一表面和第二表面；
4、于所述支撐晶圓的所述第一表面形成外延堆疊層，并去除所述支撐晶圓，所述外延堆疊層包括沿所述第一方向依次堆疊的多個外延硅層，多個所述外延硅層是通過多次外延生長工藝依次生長形成，且以所述外延堆疊層作為硅片。
5、在一些實施例中，所述外延堆疊層中多個所述
6、所述外延堆疊層中至少存在兩個所述外延硅層的厚度不同。
7、在一些實施例中，于所述支撐晶圓的所述第一表面形成外延堆疊層的具體步驟包括：
8、根據所述外延堆疊層的預設厚度獲取所述外延堆疊層中所述外延硅層的層數，作為預設層數；
9、采用多次外延生長工藝一一形成所述預設層數的所述外延硅層。
10、在一些實施例中，根據所述外延堆疊層的預設厚度獲取所述外延堆疊層中所述外延硅層的層數的具體步驟包括：
11、采用如下公式計算得到所述外延堆疊層中所述外延硅層的層數n：
12、n＝(t+r)/d
13、式中，t為所述外延堆疊層的預設厚度，d為外延生長工藝生長形成的單個外延硅層的厚度，r為固定的補償厚度。
14、在一些實施例中，采于所述支撐晶圓的所述第一表面形成外延堆疊層，并去除所述支撐晶圓的具體步驟包括：
15、執行多次如下循環步驟，直至形成所述預設層數的所述外延硅層，所述循環步驟包括：
16、采用一次外延生長工藝形成位于所述支撐晶圓的所述第一表面上方的一層所述外延硅層；
17、去除部分的所述支撐晶圓。
18、在一些實施例中，每次所述循環步驟中去除的所述支撐晶圓的厚度與形成的所述外延硅層的厚度相同。
19、在一些實施例中，于所述支撐晶圓的所述第一表面形成外延堆疊層，并去除所述支撐晶圓的具體步驟包括：
20、采用多次外延生長工藝一一形成多個所述外延硅層，并以全部的所述外延硅層共同作為所述外延堆疊層；
21、去除所述外延堆疊層下方的所述支撐晶圓。
22、在一些實施例中，于所述支撐晶圓的所述第一表面形成外延堆疊層，并去除所述支撐晶圓之后，還包括如下步驟：
23、去除部分的所述外延堆疊層，以調整所述外延堆疊層的厚度。
24、根據另一些實施例，本專利技術還提供了一種適用于高壓器件的硅片，包括：
25、外延堆疊層，包括依次堆疊的多個外延硅層，多個所述外延硅層是通過多次外延生長工藝依次生長形成。
26、在一些實施例中，所述外延堆疊層中多個所述外延硅層的厚度均相同；或者，
27、所述外延堆疊層中至少存在兩個所述外延硅層的厚度不同。
28、本專利技術提供的適用于高壓器件的硅片及其制造方法，通過于支撐晶圓的第一表面形成外延堆疊層，所述外延堆疊層包括沿所述第一方向依次堆疊的多個外延硅層，多個所述外延硅層是通過多次外延生長工藝依次生長形成，在去除所述支撐晶圓之后僅以所述外延堆疊層作為硅片，由于外延生長工藝生長形成的所述外延硅層電阻率均勻性較好，不僅缺陷較少，而且具有高阻、氧含量低的特點，從而能夠提高硅片整體的電阻率均勻性，減少硅片內部的缺陷，從而改善由所述硅片制造得到的高壓器件的性能。本專利技術通過多次外延生長工藝來形成所述外延堆疊層，從而能夠更好的調整每一層所述外延硅層的質量和厚度，從而更好的調整整個所述外延堆疊層的厚度和質量，以進一步改善所述硅片的質量，使得硅片電阻率一致性進一步得到提高。
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1.一種適用于高壓器件的硅片的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的適用于高壓器件的硅片的制造方法，其特征在于，所述外延堆疊層中多個所述外延硅層的厚度均相同；或者，
3.根據權利要求1所述的適用于高壓器件的硅片的制造方法，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的適用于高壓器件的硅片的制造方法，其特征在于，根據所述外延堆疊層的預設厚度獲取所述外延堆疊層中所述外延硅層的層數的具體步驟包括：
5.根據權利要求4所述的適用于高壓器件的硅片的制造方法，其特征在于，于所述支撐晶圓的所述第一表面形成外延堆疊層，并去除所述支撐晶圓的具體步驟包括：
6.根據權利要求5所述的適用于高壓器件的硅片的制造方法，其特征在于，每次所述循環步驟中去除的所述支撐晶圓的厚度與形成的所述外延硅層的厚度相同。
7.根據權利要求1所述的適用于高壓器件的硅片的制造方法，其特征在于，于所述支撐晶圓的所述第一表面形成外延堆疊層，并去除所述支撐晶圓的具體步驟包括：
8.根據權利要求1所述的適用于高壓器件的硅片的制造方法，其
9.一種適用于高壓器件的硅片，其特征在于，包括：
10.根據權利要求9所述的適用于高壓器件的硅片，其特征在于，所述外延堆疊層中多個所述外延硅層的厚度均相同；或者，
...【技術特征摘要】
1.一種適用于高壓器件的硅片的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的適用于高壓器件的硅片的制造方法，其特征在于，所述外延堆疊層中多個所述外延硅層的厚度均相同；或者，
3.根據權利要求1所述的適用于高壓器件的硅片的制造方法，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的適用于高壓器件的硅片的制造方法，其特征在于，根據所述外延堆疊層的預設厚度獲取所述外延堆疊層中所述外延硅層的層數的具體步驟包括：
5.根據權利要求4所述的適用于高壓器件的硅片的制造方法，其特征在于，于所述支撐晶圓的所述第一表面形成外延堆疊層，并去除所述支撐晶圓的具體步驟包括：
6.根據權利要求5...
【專利技術屬性】
技術研發人員：吳慶東，張昱，汪金梅，李煒，李曉標，黃俊，
申請(專利權)人：上海新傲科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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