【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，尤其涉及一種半導體器件及其制造方法、存儲系統。
技術介紹
1、近年來，存儲器的發展尤為迅速。存儲器的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫等優點，因而在微機、自動化控制等多項領域得到了廣泛的應用。
2、隨著存儲器的布線越來越復雜，如何簡化存儲器的布線成為亟待解決的問題。
技術實現思路
1、本申請的目的在于提供一種半導體器件及其制造方法、存儲系統，以簡化半導體器件的布線。
2、第一方面，本申請提供一種半導體器件，所述半導體器件包括：
3、第一半導體結構，所述第一半導體結構包括沿第一方向鄰接的存儲區與臺階區，第一半導體結構包括：
4、沿第二方向堆疊的堆疊結構，所述堆疊結構包括沿所述第二方向間隔的多個柵極層，多個所述柵極層在所述臺階區分別形成多個臺階面，所述第二方向與所述第一方向相交；以及
5、多個柵極接觸部，位于所述臺階區中，貫穿多個所述臺階面并分別與多個所述柵極層連接，所述柵極接觸部包括在所述第二方向上位于所述堆疊結構相對兩側的第一接觸端和第二接觸端；
6、第二半導體結構，在所述第二方向上位于所述第一半導體結構的一側且靠近所述第一接觸端設置，并包括第一外圍電路，所述第一外圍電路與所述柵極接觸部的所述第一接觸端連接；以及
7、第三半導體結構，在所述第二方向上位于所述第一半導體結構遠離所述第二半導體結構的一側，且包括第二外圍電路，所述第
8、第二方面，本申請提供一種半導體器件的制造方法，所述方法包括：
9、提供第一半導體層，所述第一半導體層具有沿第一方向鄰接的第一區域與第二區域；
10、于第一半導體層上形成沿第二方向堆疊的堆疊結構，所述堆疊結構包括沿所述第二方向間隔的多個柵極層，多個所述柵極層在所述第一區域分別形成多個臺階面，所述第二方向與所述第一方向相交；
11、于所述第一區域形成多個柵極接觸部，多個柵極接觸部貫穿多個所述臺階面并分別與多個所述柵極層連接，所述柵極接觸部包括在所述第二方向上位于所述堆疊結構相對兩側的第一接觸端和第二接觸端，所述柵極接觸部的所述第二接觸端延伸至所述第一半導體層中；
12、于第二半導體層上形成第一外圍電路，在所述第二方向上將所述第一外圍電路設置于所述第二半導體層和所述堆疊結構之間，并連接所述第一外圍電路和所述柵極接觸部的所述第一接觸端；以及
13、于第三半導體層上形成第二外圍電路，在所述第二方向將所述第二外圍電路設置于堆疊結構遠離所述第二半導體層的一側，并連接所述第二外圍電路和所述柵極接觸部的所述第二接觸端。
14、第三方面，本申請提供一種存儲系統，所述存儲系統包括：
15、存儲器，包括上述任意一些實施例的半導體器件；以及
16、控制器，與所述存儲器連接，并用于控制所述存儲器。
17、在本申請的一些實施例中，多個柵極接觸部位于臺階區中，多個柵極接觸部貫穿多個臺階面并分別與多個柵極層連接，柵極接觸部包括在第二方向上位于堆疊結構相對兩側的第一接觸端和第二接觸端，第二半導體結構的第一外圍電路與柵極接觸部的第一接觸端連接，第三半導體結構的第二外圍電路與柵極接觸部的第二接觸端連接。通過這種設計，實現了柵極接觸部的雙向引出，降低連接柵極接觸部與第一外圍電路以及第二外圍電路的導線的布線集中度，進而簡化了半導體器件中的布線。
18、而且，在柵極接觸部雙向引出的基礎上，第一外圍電路與柵極接觸部的第一接觸端連接，第二外圍電路與柵極接觸部的第二接觸端連接。通過該設計，將第一外圍電路與第二外圍電路分別連接于第一半導體結構的相對兩側的同時，有利于擴大第一外圍電路與第二外圍電路的工藝窗口，進而降低第一外圍電路與第二外圍電路的工藝制造難度。
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1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，在相鄰兩個所述柵極接觸部中，一個所述柵極接觸部的所述第一接觸端與第一外圍電路連接，另一個所述柵極接觸部的所述第二接觸端與所述第二外圍電路連接。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，與同層設置的至少兩個所述柵極層分別連接的至少兩個所述柵極接觸部的所述第一接觸端與所述第一外圍電路連接；和/或，
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
10.根據權利要求1所述
11.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
12.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
13.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
14.根據權利要求13所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述連接所述第一外圍電路和所述柵極接觸部的所述第一接觸端包括：
15.根據權利要求13所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述連接所述第一外圍電路和所述柵極接觸部的所述第一接觸端包括：
16.根據權利要求13所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
17.根據權利要求13所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
18.根據權利要求17所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
19.根據權利要求18所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述于第一半導體層上形成沿第二方向堆疊的堆疊結構包括：
20.根據權利要求16或18所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
21.根據權利要求20所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
22.根據權利要求13所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述于第一半導體層上形成沿第二方向堆疊的堆疊結構包括：
23.根據權利要求22所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
24.根據權利要求19或23所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
25.根據權利要求13所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一半導體層還包括位于所述第二區域和所述第一區域之外的第三區域；所述方法還包括：
26.根據權利要求13所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
27.根據權利要求13所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
28.一種存儲系統，其特征在于，所述存儲系統包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，在相鄰兩個所述柵極接觸部中，一個所述柵極接觸部的所述第一接觸端與第一外圍電路連接，另一個所述柵極接觸部的所述第二接觸端與所述第二外圍電路連接。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，與同層設置的至少兩個所述柵極層分別連接的至少兩個所述柵極接觸部的所述第一接觸端與所述第一外圍電路連接；和/或，
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
10.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括在所述第一方向上與所述臺階區間隔設置的外圍區以及位于所述外圍區并沿所述第二方向延伸的第一貫穿陣列連接觸點；
11.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
12.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
13.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
14.根據權利要求13所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述連接所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：霍宗亮，薛磊，周文斌，徐偉，石艷偉，夏正亮，陽涵，鄒欣偉，湯召輝，吳加吉，陳成，
申請(專利權)人：長江存儲科技有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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