【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，尤其涉及一種半導體器件及其制造方法、存儲系統。
技術介紹
1、近年來，存儲器的發展尤為迅速。存儲器的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫等優點，因而在微機、自動化控制等多項領域得到了廣泛的應用。
2、隨著存儲器的制造工藝難度越來越大，如何降低存儲器的制造難度成為亟待解決的問題。
技術實現思路
1、本申請的目的在于提供一種半導體器件及其制造方法、存儲系統，以降低半導體器件的制造難度。
2、第一方面，本申請提供一種半導體器件，所述半導體器件包括：
3、存儲陣列結構，包括存儲陣列；
4、高壓器件集成結構，包括所述存儲陣列的高壓器件外圍電路，所述高壓器件外圍電路包括多個高壓半導體器件；以及
5、低壓器件集成結構，包括所述存儲陣列的低壓器件外圍電路，所述低壓器件外圍電路包括多個低壓半導體器件；
6、其中，在第一方向上，所述存儲陣列結構位于所述高壓器件集成結構與所述低壓器件集成結構之間，并與所述高壓器件集成結構以及所述低壓器件集成結構連接。
7、在一些實施例中，所述存儲陣列結構包括存儲區，所述存儲陣列結構包括：
8、沿所述第一方向堆疊的堆疊結構；以及
9、多個溝道結構，位于所述存儲區，并沿所述第一方向貫穿所述堆疊結構，所述溝道結構包括在所述第一方向上位于所述堆疊結構的相對兩側的第一溝道連接端和第二溝道連接端，所述第一
10、所述高壓器件外圍電路與所述第一溝道連接端連接；
11、所述低壓器件外圍電路與所述第二溝道連接端連接。
12、在一些實施例中，所述存儲陣列結構還包括：
13、共源極，在所述第一方向上位于所述堆疊結構遠離所述高壓器件集成結構的一側，且多個所述溝道結構的所述第二溝道連接端延伸至所述共源極中，所述共源極與所述低壓器件外圍電路連接。
14、在一些實施例中，所述存儲陣列結構還包括：
15、連接導線，位于所述共源極遠離所述堆疊結構的一側，且連接所述共源極以及所述低壓器件外圍電路。
16、在一些實施例中，所述存儲陣列結構還包括第一鍵合層，位于所述連接導線遠離所述堆疊結構的一側，且包括與所述連接導線連接的第一鍵合觸點；
17、所述低壓器件集成結構還包括第二鍵合層，第二鍵合層包括與所述低壓器件外圍電路連接的第二鍵合觸點，所述第二鍵合觸點與所述第一鍵合觸點鍵合。
18、在一些實施例中，所述存儲陣列結構還包括：
19、第一貫穿陣列連接觸點，沿所述第一方向延伸，并連接所述高壓器件外圍電路和所述低壓器件外圍電路。
20、在一些實施例中，所述存儲陣列結構還包括在第二方向上與所述存儲區相鄰的外圍區和臺階區，所述第二方向與所述第一方向相交；
21、所述第一貫穿陣列連接觸點位于所外圍區和/或所述臺階區。
22、在一些實施例中，所述存儲陣列結構還包括：
23、第三鍵合層，位于所述堆疊結構與所述高壓器件集成結構之間，且包括與所述第一溝道連接端連接的第三鍵合觸點；
24、所述高壓器件集成結構還包括第四鍵合層，所述第四鍵合層包括與所述高壓器件外圍電路連接的第四鍵合觸點，所述第四鍵合觸點與所述第三鍵合觸點鍵合。
25、在一些實施例中，所述存儲陣列結構還包括在第二方向上與所述存儲區相鄰的臺階區，所述第二方向與所述第一方向相交；
26、所述堆疊結構包括沿所述第一方向間隔的多個所述柵極層，多個所述柵極層在所述臺階區分別形成多個臺階面；
27、所述存儲陣列結構還包括：多個柵極接觸結構，位于所述臺階區，且分別與多個所述柵極層連接，多個所述柵極接觸結構具有靠近所述高壓器件集成結構的第一接觸端，多個柵極接觸結構的所述第一接觸端與所述高壓器件外圍電路連接。
28、在一些實施例中，所述存儲陣列結構還包括：隔離層，所述隔離層的至少部分位于所述臺階區，且在所述第一方向上所述隔離層位于所述堆疊結構遠離所述高壓器件集成結構的一側；
29、其中，在所述第一方向上所述柵極接觸結構還具有與所述第一接觸端相對設置的第二接觸端，在所述第一方向上所述第二接觸端突出于所述堆疊結構并延伸至所述隔離層中。
30、在一些實施例中，所述存儲陣列結構還包括外圍區，所述存儲陣列結構還包括：
31、第二貫穿陣列連接觸點，位于所述外圍區，并沿所述第一方向延伸；
32、所述低壓器件集成結構包括焊盤部，第二貫穿陣列連接觸點連接所述焊盤部和所述高壓器件外圍電路；或，
33、所述高壓器件集成結構包括焊盤部，第二貫穿陣列連接觸點連接所述焊盤部和所述低壓器件外圍電路。
34、在一些實施例中，所述高壓半導體器件包括第一晶體管，所述第一晶體管包括第一柵極絕緣層；
35、所述低壓半導體器件包括第二晶體管，所述第二晶體管包括所述第二柵極絕緣層，所述第二柵極絕緣層的厚度小于所述第一柵極絕緣層的厚度。
36、第二方面，本申請提供一種半導體器件的制造方法，所述方法包括：
37、于第一半導體層上形成存儲陣列；
38、于第二半導體層上形成所述存儲陣列的高壓器件外圍電路，所述高壓器件外圍電路包括多個高壓半導體器件；
39、在所述第一方向上將所述高壓器件外圍電路設置于所述第二半導體層與所述存儲陣列之間，使所述第一半導體層位于所述存儲陣列遠離所述第二半導體層的一側，并連接所述存儲陣列與所述高壓器件外圍電路；
40、于第三半導體層上形成所述存儲陣列的低壓器件外圍電路，所述低壓器件外圍電路包括多個低壓半導體器件；
41、去除所述第一半導體層的至少部分；以及
42、在所述第一方向上將所述低壓器件外圍電路設置于所述第三半導體層與所述存儲陣列之間，并連接所述存儲陣列與所述低壓器件外圍電路。
43、在一些實施例中，所述于第一半導體層上形成存儲陣列包括：
44、所述于第一半導體層上形成存儲陣列包括：
45、于所述第一半導體層上形成沿所述第一方向堆疊的堆疊層，所述堆疊層包括沿所述第一方向間隔的多個犧牲層；
46、于所述第一半導體層的第一區域形成沿所述第一方向貫穿所述堆疊層的溝道結構，所述溝道結構包括在所述第一方向上位于所述堆疊層的相對兩側的第一溝道連接端和第二溝道連接端，所述第二溝道連接端延伸至所述第一半導體層中；以及
47、將所述堆疊層的多個犧牲層替換為多個柵極層，以形成堆疊結構，所述溝道結構的所述第一溝道連接端和所述第二溝道連接端在所述第一方向上位于所述堆疊結構的相對兩側；
48、所述連接所述存儲陣列與所述高壓器件外圍電路包括：...
【技術保護點】
1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構包括存儲區，所述存儲陣列結構包括：
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括：
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括：
5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括第一鍵合層，位于所述連接導線遠離所述堆疊結構的一側，且包括與所述連接導線連接的第一鍵合觸點；
6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括：
7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括在第二方向上與所述存儲區相鄰的外圍區和臺階區，所述第二方向與所述第一方向相交；
8.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括：
9.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括在第二方向上與所述存儲區相鄰的臺階區，所述第二方向與所述第一方向
10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括：隔離層，所述隔離層的至少部分位于所述臺階區，且在所述第一方向上所述隔離層位于所述堆疊結構遠離所述高壓器件集成結構的一側；
11.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括外圍區，所述存儲陣列結構還包括：
12.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述高壓半導體器件包括第一晶體管，所述第一晶體管包括第一柵極絕緣層；
13.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
14.根據權利要求13所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述于第一半導體層上形成存儲陣列包括：
15.根據權利要求14所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述去除所述第一半導體層的至少部分包括：
16.根據權利要求14所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
17.根據權利要求16所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述去除所述第一半導體層的至少部分還包括：對所述第一半導體層遠離所述堆疊結構的表面進行薄化，以暴露所述共源極層；
18.根據權利要求15或17所述半導體器件的制造方法，其特征在于，形成所述共源極之后，所述方法還包括：
19.根據權利要求18所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述連接存儲陣列與低壓器件外圍電路包括：
20.根據權利要求14所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
21.根據權利要求20所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述于所述第一半導體層上形成第一貫穿陣列連接觸點包括：
22.根據權利要求14所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
23.根據權利要求14所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
24.根據權利要求23所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，于所述第二區域形成多個柵極接觸結構還包括：
25.根據權利要求14所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
26.根據權利要求13所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述于第二半導體層上形成所述存儲陣列的高壓器件外圍電路包括：
27.一種存儲系統，其特征在于，所述存儲系統包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構包括存儲區，所述存儲陣列結構包括：
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括：
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括：
5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括第一鍵合層，位于所述連接導線遠離所述堆疊結構的一側，且包括與所述連接導線連接的第一鍵合觸點；
6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括：
7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括在第二方向上與所述存儲區相鄰的外圍區和臺階區，所述第二方向與所述第一方向相交；
8.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括：
9.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括在第二方向上與所述存儲區相鄰的臺階區，所述第二方向與所述第一方向相交；
10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括：隔離層，所述隔離層的至少部分位于所述臺階區，且在所述第一方向上所述隔離層位于所述堆疊結構遠離所述高壓器件集成結構的一側；
11.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述存儲陣列結構還包括外圍區，所述存儲陣列結構還包括：
12.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述高壓半導體器件包括第一晶體管，所述第一晶體管包括第一柵極絕緣層；
13.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
...【專利技術屬性】
技術研發人員：霍宗亮，薛磊，周文斌，徐偉，石艷偉，夏正亮，陽涵，鄒欣偉，湯召輝，吳加吉，陳成，
申請(專利權)人：長江存儲科技有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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