【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及真空計量，特別是涉及一種薄膜真空規的抗干擾性能檢測系統及方法。
技術介紹
1、電容式薄膜真空規是一種高精度、高靈敏度和高穩定性的真空氣壓測量裝置，通過測量膜片與電極之間的電容值的變化實現真空度的測量。由于電容式薄膜真空規在測量氣壓時電容變化量較小，需要幾十倍的電壓放大才能實現有效的信息采集，在真空規的使用過程中容易受到工頻信號、電磁信號等信號的干擾，從而導致真空規測量結果不準確或者讀數不穩定等問題。因此，需要在電容式薄膜真空規的設計、生產等環節對真空規的抗干擾性能進行準確的評估。
2、隨著半導體裝置的快速發展，電容式薄膜真空規的實際工作環境，存在有越來越多不同類型的半導體裝置，所產生的電磁干擾信號也更為復雜，而傳統的真空規抗干擾性能測試過程中，無法模擬出實際工作環境的復雜電磁干擾信號，進而無法對薄膜真空規在不同干擾環境下的抗干擾性能進行全面的檢測，從而導致對薄膜真空規的抗干擾性能檢測準確性較低。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術提供一種薄膜真空規的抗干擾性能檢測系統及方法，主要目的在于解決現有針對薄膜真空規的抗干擾性能檢測的準確性較低的問題。
2、依據本專利技術一個方面，提供了一種薄膜真空規的抗干擾性能檢測系統，包括：
3、電磁干擾信號發射裝置、薄膜真空規測量裝置及檢測結果生成裝置；
4、所述電磁干擾信號發射裝置，用于依照目標頻率向待測薄膜真空規的測試環境發射目標干擾信號，所述目標頻率為基于用戶設定的任意頻率；p>
5、所述薄膜真空規測量裝置，用于采集所述待測薄膜真空規在所述電磁干擾信號影響下的薄膜真空規電信號數據，所述電信號數據包括分別對應不同頻率電磁干擾信號的薄膜真空規電信號；
6、所述檢測結果生成裝置，用于依據所述薄膜真空規電信號數據生成所述待測薄膜真空規的抗干擾性能檢測結果。
7、進一步地，所述電磁干擾信號發射裝置，包括：信號發生模塊、功率放大模塊、自動阻抗匹配控制模塊及信號發射模塊；
8、所述信號發生模塊與所述功率放大模塊連接，用于依據接收到的目標頻率向所述功率放大模塊輸出初始干擾信號；
9、所述功率放大模塊通過所述自動阻抗匹配控制模塊與所述信號發射模塊連接，用于對所述初始干擾信號進行功率放大，并將功率放大后的初始干擾信號通過所述自動阻抗匹配控制模塊傳輸至所述信號發射模塊，以使所述信號發射模塊向所述待測薄膜真空規所在檢測環境發射匹配所述目標頻率的目標干擾信號；
10、所述自動阻抗匹配控制模塊，用于依據所述功率放大后的初始干擾信號與所述信號發射模塊的負載電阻進行阻抗值匹配調整，以使所述功率放大后的初始干擾信號無反射傳輸至所述信號發射模塊。
11、進一步地，所述自動阻抗匹配控制模塊，包括：電機控制子模塊、自動阻抗匹配執行子模塊及第一自動阻抗匹配網絡；
12、所述電機控制子模塊與所述自動阻抗匹配執行子模塊連接，用于生成匹配所述功率放大后的初始干擾信號的電壓信號，并將所述電壓信號輸出至所述自動阻抗匹配執行子模塊；
13、所述自動阻抗匹配執行子模塊通過所述第一自動阻抗匹配網絡與所述信號發射模塊連接，用于依據所述電壓信號調節所述第一自動阻抗匹配網絡，以使得所述第一自動阻抗匹配網絡將阻抗調節至目標阻抗值，所述目標阻抗值用于使所述功率放大后的初始干擾信號無反射傳輸至所述信號發射模塊。
14、進一步地，所述電機控制子模塊包括：控制單元、相位檢測單元、直流電機驅動單元及電容位置監測單元；
15、所述相位檢測單元的輸入端與所述功率放大模塊連接，輸出端分別與所述控制單元及所述自動阻抗匹配執行子模塊連接，用于檢測所述功率放大后的初始干擾信號的幅值及相位，并將a/d轉換后的幅值及相位輸出給所述控制單元及所述自動阻抗匹配執行子模塊；
16、所述電容位置監測單元的輸入端與所述第一自動阻抗匹配網絡連接，輸出端與所述控制單元連接，用于實時監測所述第一自動阻抗匹配網絡的電容值，并將a/d轉換后的電容值反饋給所述控制單元；
17、所述控制單元的輸出端與直流電機驅動單元連接，用于依據所述a/d轉換后的電容值、a/d轉換后的幅值及a/d轉換后的相位，生成電機控制信號，并將所述電機控制信號發送至所述直流電機驅動單元；
18、所述直流電機驅動單元，用于依據所述電機控制信號生成電壓信號，并將所述電壓信號發送至所述自動阻抗匹配執行子模塊。
19、進一步地，所述功率放大模塊包括前級信號放大單元和后級功率放大單元；
20、所述前級信號放大單元的輸入端與所述信號發生模塊的輸出端連接，輸出端與所述后級功率放大單元的輸入端連接，用于對初始干擾信號進行功率放大及濾波，得到初始干擾信號的一次功率放大結果；
21、所述后級功率放大單元的輸出端與所述自動阻抗匹配控制模塊連接，用于對所述初始干擾信號的一次功率放大結果進行二次功率放大，并向所述自動阻抗匹配控制模塊輸出功率放大后的初始干擾信號。
22、進一步地，所述功率放大模塊還包括第二自動阻抗匹配網絡；
23、所述第二自動阻抗匹配網絡，用于對所述后級功率放大單元輸出的所述功率放大后的初始干擾信號進行濾波處理及整形處理，以輸出濾波整形后的大功率初始干擾信號；
24、所述自動阻抗匹配控制模塊，還用于依據所述濾波整形后的大功率初始干擾信號與所述信號發射模塊的負載電阻進行阻抗值匹配調整，以使所述功率放大后的初始干擾信號無反射傳輸至所述信號發射模塊。
25、進一步地，所述檢測結果生成裝置，具體用于：
26、依據所述電信號數據計算電信號波動幅度；
27、在任一頻率所述電磁干擾信號下的薄膜真空規的電信號波動幅度大于預設波動閾值時，生成指示所述待測薄膜真空規的檢測結果為異常的檢測報告；
28、在任一頻率所述電磁干擾信號下的薄膜真空規的電信號波動幅度小于或等于預設波動閾值時，生成指示所述待測薄膜真空規的檢測結果為合格的檢測報告。
29、依據本專利技術另一個方面，提供了一種薄膜真空規的抗干擾性能檢測方法，包括：
30、依照目標頻率向待測薄膜真空規的測試環境發射目標干擾信號，所述目標頻率為基于用戶設定的任意頻率；
31、采集所述待測薄膜真空規在所述電磁干擾信號影響下的薄膜真空規電信號數據，所述電信號數據包括分別對應不同頻率電磁干擾信號的薄膜真空規電信號；
32、依據所述薄膜真空規電信號數據生成所述待測薄膜真空規的抗干擾性能檢測結果。
33、根據本專利技術的又一方面，提供了一種存儲介質，所述存儲介質中存儲有至少一個可執行指令，所述可執行指令使處理器執行如上述薄膜真空規的抗干擾性能檢測系統對應的操作。
34、根據本專利技術的再一方面，提供了一種終端，包括：處理器、存儲器、通信接口和通信總線，所述處理器、所述存儲器和所述通信接口通過所述通信總線完成相互間的本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種薄膜真空規的抗干擾性能檢測系統，其特征在于，包括：電磁干擾信號發射裝置、薄膜真空規測量裝置及檢測結果生成裝置；
2.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，所述電磁干擾信號發射裝置，包括：信號發生模塊、功率放大模塊、自動阻抗匹配控制模塊及信號發射模塊；
3.根據權利要求2所述的系統，其特征在于，所述自動阻抗匹配控制模塊，包括：電機控制子模塊、自動阻抗匹配執行子模塊及第一自動阻抗匹配網絡；
4.根據權利要求3所述的系統，其特征在于，所述第一自動阻抗匹配網絡的電路結構中包括至少一個可調電容，以及與所述可調電容數量匹配的電機，所述電機控制子模塊包括：控制單元、相位檢測單元、直流電機驅動單元及電容位置監測單元；
5.根據權利要求2所述的系統，其特征在于，所述功率放大模塊包括前級信號放大單元和后級功率放大單元；
6.根據權利要求5所述的系統，其特征在于，所述功率放大模塊還包括第二自動阻抗匹配網絡；
7.根據權利要求1-6中任一項所述的系統，其特征在于，所述檢測結果生成裝置，具體用于：
8.一種薄膜真空
...【技術特征摘要】
1.一種薄膜真空規的抗干擾性能檢測系統，其特征在于，包括：電磁干擾信號發射裝置、薄膜真空規測量裝置及檢測結果生成裝置；
2.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，所述電磁干擾信號發射裝置，包括：信號發生模塊、功率放大模塊、自動阻抗匹配控制模塊及信號發射模塊；
3.根據權利要求2所述的系統，其特征在于，所述自動阻抗匹配控制模塊，包括：電機控制子模塊、自動阻抗匹配執行子模塊及第一自動阻抗匹配網絡；
4.根據權利要求3所述的系統，其特征在于，所述第一自動阻抗匹配網絡的電路結構中包括至...
【專利技術屬性】
技術研發人員：孫小孟，張心強，郜晨希，徐亞輝，蘇濤，張沙，林琳，鄭旭，閆明，劉瑞琪，李超波，
申請(專利權)人：中國科學院微電子研究所，
類型：發明
國別省市：
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