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【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)屬于射頻設(shè)備控制,尤其涉及一種射頻設(shè)備及其控制方法、程序產(chǎn)品、介質(zhì)及冰箱。
技術(shù)介紹
1、與傳統(tǒng)的解凍方式相比,通過射頻設(shè)備對(duì)物體(比如食物)進(jìn)行解凍具有解凍效率高,解凍效果均勻,使用方便衛(wèi)生等優(yōu)點(diǎn)。然而,在利用射頻對(duì)物體進(jìn)行解凍或加熱的過程中,射頻設(shè)備會(huì)因?yàn)槲矬w溫度的變化而出現(xiàn)阻抗失配的情況,從而影響射頻設(shè)備的工作效率。基于此,如何提高射頻設(shè)備的工作效率是亟待解決的技術(shù)問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)的實(shí)施例提供了一種射頻設(shè)備及其控制方法、程序產(chǎn)品、介質(zhì)及冰箱,進(jìn)而能夠提高射頻設(shè)備的工作效率。
2、本申請(qǐng)的其它特性和優(yōu)點(diǎn)將通過下面的詳細(xì)描述變得顯然,或部分地通過本申請(qǐng)的實(shí)踐而習(xí)得。
3、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面,提供了一種射頻設(shè)備控制方法,所述射頻設(shè)備包括頻率發(fā)生裝置和功率放大裝置,所述頻率發(fā)生裝置用于調(diào)制射頻頻率,所述功率放大裝置用于按照所述頻率發(fā)生裝置調(diào)制的射頻頻率向負(fù)載輸出射頻功率,所述方法包括:在所述射頻設(shè)備對(duì)目標(biāo)物體進(jìn)行解凍或加熱的過程中,通過調(diào)節(jié)所述頻率發(fā)生裝置的射頻頻率對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配。
4、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,基于前述方案,所述通過調(diào)節(jié)所述頻率發(fā)生裝置的射頻頻率對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:控制所述功率放大裝置按照當(dāng)前射頻頻率向所述負(fù)載輸出射頻功率,并確定第一反射系數(shù),其中,反射系數(shù)用于表征所述射頻功率的損耗程度;在所述當(dāng)前射頻頻率的基礎(chǔ)上,按照目標(biāo)調(diào)節(jié)方向調(diào)節(jié)所述射頻頻率,得到第一射頻頻率,其中,所述
5、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,基于前述方案,所述基于所述第二反射系數(shù)和所述第一反射系數(shù)的比對(duì)結(jié)果對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:如果所述第二反射系數(shù)小于所述第一反射系數(shù),則將所述第一射頻頻率確定為滿足所述射頻設(shè)備阻抗匹配的新的當(dāng)前射頻頻率,并繼續(xù)通過調(diào)節(jié)所述頻率發(fā)生裝置的射頻頻率對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配。
6、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,基于前述方案,所述基于所述第二反射系數(shù)和所述第一反射系數(shù)的比對(duì)結(jié)果對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:如果所述第二反射系數(shù)大于或等于所述第一反射系數(shù),在所述當(dāng)前射頻頻率的基礎(chǔ)上,按照與所述目標(biāo)調(diào)節(jié)方向相反的調(diào)節(jié)方向調(diào)節(jié)所述射頻頻率,得到第二射頻頻率;控制所述功率放大裝置按照所述第二射頻頻率向所述負(fù)載輸出射頻功率,并確定第三反射系數(shù);基于所述第三反射系數(shù)和所述第一反射系數(shù)的比對(duì)結(jié)果對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配。
7、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,基于前述方案,所述基于所述第三反射系數(shù)和所述第一反射系數(shù)的比對(duì)結(jié)果對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:如果所述第三反射系數(shù)小于所述第一反射系數(shù),則將所述第二射頻頻率確定為滿足所述射頻設(shè)備阻抗匹配的新的當(dāng)前射頻頻率,并繼續(xù)通過調(diào)節(jié)所述頻率發(fā)生裝置的射頻頻率對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配。
8、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,基于前述方案,所述基于所述第三反射系數(shù)和所述第一反射系數(shù)的比對(duì)結(jié)果對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:如果所述第三反射系數(shù)大于或等于所述第一反射系數(shù),則確定所述當(dāng)前射頻頻率滿足所述射頻設(shè)備阻抗匹配,并繼續(xù)通過調(diào)節(jié)所述頻率發(fā)生裝置的射頻頻率對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配。
9、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,基于前述方案,其特征在于,所述方法還包括:在控制所述功率放大裝置按照射頻頻率向所述負(fù)載輸出射頻功率設(shè)定時(shí)長(zhǎng)之后,確定反射系數(shù)。
10、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,基于前述方案,所述通過調(diào)節(jié)所述頻率發(fā)生裝置的射頻頻率對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:如果檢測(cè)到所述射頻設(shè)備阻抗失配,則調(diào)節(jié)所述射頻頻率,以滿足所述射頻設(shè)備阻抗匹配。
11、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,基于前述方案,所述方法還包括:在所述射頻設(shè)備對(duì)所述目標(biāo)物體進(jìn)行解凍或加熱的過程中,確定反射系數(shù),其中,所述反射系數(shù)用于表征所述射頻功率的損耗程度;如果所述反射系數(shù)大于預(yù)設(shè)反射系數(shù)閾值,則確定所述射頻設(shè)備阻抗失配。
12、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,基于前述方案,所述調(diào)節(jié)所述射頻頻率,包括:調(diào)小或者調(diào)大所述調(diào)節(jié)所述射頻頻率;在調(diào)小所述射頻頻率的過程中,如果所述反射系數(shù)增大,則調(diào)大所述射頻頻率;如果所述反射系數(shù)降低且大于所述預(yù)設(shè)反射系數(shù)閾值,則繼續(xù)調(diào)小所述射頻頻率,直至所述反射系數(shù)小于或等于所述預(yù)設(shè)反射系數(shù)閾值;在調(diào)大所述射頻頻率的過程中,如果所述反射系數(shù)增大,則調(diào)小所述射頻頻率;如果所述反射系數(shù)降低且大于所述預(yù)設(shè)反射系數(shù)閾值,則繼續(xù)調(diào)大所述射頻頻率,直至所述反射系數(shù)小于或等于所述預(yù)設(shè)反射系數(shù)閾值。
13、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,基于前述方案,其特征在于,所述調(diào)節(jié)所述射頻頻率,包括:按照預(yù)設(shè)頻率幅值,調(diào)節(jié)所述射頻頻率。
14、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,基于前述方案,其特征在于,通過如下步驟確定反射系數(shù):獲取由所述負(fù)載向所述功率放大裝置輸出的反射功率;將所述反射功率確定為所述反射系數(shù);或者計(jì)算所述反射功率與所述射頻功率之間的比值,并將所述比值確定為所述反射系數(shù)。
15、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第二方面,提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)指令,該計(jì)算機(jī)指令存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中,且適于由處理器讀取并執(zhí)行,以使得具有所述處理器的計(jì)算機(jī)設(shè)備執(zhí)行以實(shí)現(xiàn)如上述第一方面任一項(xiàng)實(shí)施例所述的方法所執(zhí)行的操作。
16、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第三方面,提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)有至少一條計(jì)算機(jī)程序指令,所述至少一條計(jì)算機(jī)程序指令由處理器加載并執(zhí)行以實(shí)現(xiàn)如上述第一方面任一項(xiàng)實(shí)施例所述的方法所執(zhí)行的操作。
17、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第四方面,提供了一種射頻設(shè)備,所述射頻設(shè)備包括:頻率發(fā)生裝置,所述頻率發(fā)生裝置用于調(diào)制射頻頻率;功率放大裝置,所述功率放大裝置用于按照所述頻率發(fā)生裝置調(diào)制的射頻頻率向負(fù)載輸出射頻功率;阻抗匹配控制裝置,所述阻抗匹配控制裝置包括一個(gè)或多個(gè)處理器和一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器,所述一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有至少一條程序代碼,所述至少一條程序代碼由所述一個(gè)或多個(gè)處理器加載并執(zhí)行以實(shí)現(xiàn)如上述第一方面任一項(xiàng)實(shí)施例所述的方法。
18、在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,基于前述方案,所述射頻設(shè)備還包括:可調(diào)電源,所述可調(diào)電源用于為所述功率放大裝置輸出可調(diào)電壓,以輸入可調(diào)射頻功率;功率閉環(huán)控制裝置,所述功率閉環(huán)控制裝置用于向所述可調(diào)電源和所述功率放大裝置輸出控制信號(hào)以實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出所述射頻功率的閉環(huán)控制功能;解凍或加熱過程控制裝置,所述解凍或加熱過程控制裝置用于控制射頻功率曲線和射頻功率輸出時(shí)間;物體容納裝置,所述物體容納裝置用于容納待解凍或者待加熱的目標(biāo)物體。
19、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第五方面,提供了一種冰箱,所述冰箱包括如上述第四方面所述的射頻設(shè)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種射頻設(shè)備控制方法,其特征在于,所述射頻設(shè)備包括頻率發(fā)生裝置和功率放大裝置,所述頻率發(fā)生裝置用于調(diào)制射頻頻率,所述功率放大裝置用于按照所述頻率發(fā)生裝置調(diào)制的射頻頻率向負(fù)載輸出射頻功率,所述方法包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述通過調(diào)節(jié)所述頻率發(fā)生裝置的射頻頻率對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于所述第二反射系數(shù)和所述第一反射系數(shù)的比對(duì)結(jié)果對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于所述第二反射系數(shù)和所述第一反射系數(shù)的比對(duì)結(jié)果對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述基于所述第三反射系數(shù)和所述第一反射系數(shù)的比對(duì)結(jié)果對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述基于所述第三反射系數(shù)和所述第一反射系數(shù)的比對(duì)結(jié)果對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:
7.根據(jù)權(quán)利要求2至6任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,所述調(diào)節(jié)所述射頻頻率,包括:
11.根據(jù)權(quán)利要求2至6、8至10任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述調(diào)節(jié)所述射頻頻率,包括:
12.根據(jù)權(quán)利要求2至6、9至10任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,通過如下步驟確定反射系數(shù):
13.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,其特征在于,所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)指令,該計(jì)算機(jī)指令存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中,且適于由處理器讀取并執(zhí)行,以使得具有所述處理器的計(jì)算機(jī)設(shè)備執(zhí)行如權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法。
14.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其特征在于,所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)有至少一條程序代碼,所述至少一條程序代碼由處理器加載并執(zhí)行以實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的方法所執(zhí)行的操作。
15.一種射頻設(shè)備,其特征在于,所述射頻設(shè)備包括:
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的射頻設(shè)備,其特征在于,所述射頻設(shè)備還包括:
17.一種冰箱,其特征在于,所述冰箱包括如權(quán)利要求15或16所述的射頻設(shè)備。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種射頻設(shè)備控制方法,其特征在于,所述射頻設(shè)備包括頻率發(fā)生裝置和功率放大裝置,所述頻率發(fā)生裝置用于調(diào)制射頻頻率,所述功率放大裝置用于按照所述頻率發(fā)生裝置調(diào)制的射頻頻率向負(fù)載輸出射頻功率,所述方法包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述通過調(diào)節(jié)所述頻率發(fā)生裝置的射頻頻率對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于所述第二反射系數(shù)和所述第一反射系數(shù)的比對(duì)結(jié)果對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于所述第二反射系數(shù)和所述第一反射系數(shù)的比對(duì)結(jié)果對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述基于所述第三反射系數(shù)和所述第一反射系數(shù)的比對(duì)結(jié)果對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述基于所述第三反射系數(shù)和所述第一反射系數(shù)的比對(duì)結(jié)果對(duì)所述射頻設(shè)備進(jìn)行阻抗匹配,包括:
7.根據(jù)權(quán)利要求2至6任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述通過調(diào)節(jié)所述頻率發(fā)生裝置的射頻...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:黃永健,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:廣東美的制冷設(shè)備有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:
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