【技術實現步驟摘要】
本申請涉及計算光刻學中的反演光刻和光學臨近校正，特別是涉及一種基于自適應閾值正則化的反演光刻方法和系統。
技術介紹
1、在半導體制造技術的飛速發展中，集成電路的設計日益復雜，其掩模版圖數據量激增至億級。在這一背景下，掩模二值化的作用尤為顯著，它確保了光刻過程中圖案能以極高的精確度從掩模轉移到硅片，這一步驟對于精確復制集成電路中的微觀特征至關重要。此外，使用電子束光刻機制造掩模決定了光學臨近校正需要輸出二值化掩模到掩模數據準備流程。因此，掩模二值化不僅是提升生產效率、確保產品質量、保證可制造性的關鍵，也是推動半導體行業技術創新的重要驅動力。
2、在掩模二值化的過程中，涉及到了將灰度值掩模轉換為僅包含完全透明和完全不透明兩種狀態的二值形式。這一轉換對于滿足工業生產中的標準至關重要。然而，目前傳統的掩模二值化技術，都依賴于單一閾值方法，從而導致掩模制造的精度較低，最終得到的掩模成像不準確。
技術實現思路
1、本申請的目的是提供一種基于自適應閾值正則化的反演光刻方法和系統，可以提高掩模成像的精度。
2、為實現上述目的，本申請提供了如下方案。
3、第一方面，本申請提供了一種基于自適應閾值正則化的反演光刻方法，所述基于自適應閾值正則化的反演光刻方法包括以下步驟。
4、獲取初始掩模圖像；所述初始掩模圖像為對目標掩模進行初始化后得到的掩模圖像，所述目標掩模為待處理的掩模。
5、采用ctm算法對所述初始掩模圖像進行優化處理，得到包含sraf
6、根據所述包含srafs的灰度值掩模中各個區域的灰度值，對所述包含srafs的灰度值掩模進行區域劃分，得到區域劃分后的灰度值掩模。
7、采用自適應閾值正則化算法，對所述區域劃分后的灰度值掩模中的各個區域進行動態閾值調整優化，得到包含srafs的二值化掩模；所述動態閾值調整優化指的是通過自適應調整參數a的方式，調整所述區域劃分后的灰度值掩模中各個區域對應的閾值，從而確定每個區域的最佳閾值；所述參數a指的是所述自適應閾值正則化算法中正則化函數中的一個參數。
8、第二方面，本申請提供了一種基于自適應閾值正則化的反演光刻系統，包括：存儲器、處理器以及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序以實現第一方面所述的基于自適應閾值正則化的反演光刻方法。
9、根據本申請提供的具體實施例，本申請公開了以下技術效果。
10、本申請提供了一種基于自適應閾值正則化的反演光刻方法和系統，通過ctm算法對初始掩模圖像進行優化得到包含srafs的灰度值掩模，這種基于ctm算法的優化過程，可以初步保證掩模成像的準確性。通過對包含srafs的灰度值掩模進行區域劃分，以便于對包含srafs的灰度值掩模中各個區域進行閾值調整，通過引入正則化函數中的參數a，采用自適應調整參數a的方式來調整區域劃分后的灰度值掩模中各個區域對應的閾值，從而確定出每個區域的最佳閾值，進而最終得到更加準確、可靠的包含srafs的二值化掩模，通過該方法可以提高每個區域的細節，從而反映整體掩模的特征，提高掩模成像的精度。
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1.一種基于自適應閾值正則化的反演光刻方法，其特征在于，所述基于自適應閾值正則化的反演光刻方法包括：
2.根據權利要求1所述的基于自適應閾值正則化的反演光刻方法，其特征在于，獲取初始掩模圖像，具體包括：
3.根據權利要求1所述的基于自適應閾值正則化的反演光刻方法，其特征在于，采用CTM算法對所述初始掩模圖像進行優化處理，得到包含SRAFs的灰度值掩模，具體包括：
4.根據權利要求1所述的基于自適應閾值正則化的反演光刻方法，其特征在于，所述CTM算法的損失函數為模式誤差。
5.根據權利要求4所述的基于自適應閾值正則化的反演光刻方法，其特征在于，所述損失函數的表達式為：
6.根據權利要求1所述的基于自適應閾值正則化的反演光刻方法，其特征在于，采用自適應閾值正則化算法，對所述區域劃分后的灰度值掩模中的各個區域進行動態閾值調整優化，得到包含SRAFs的二值化掩模，具體包括：
7.一種基于自適應閾值正則化的反演光刻系統，包括：存儲器、處理器以及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述
...【技術特征摘要】
1.一種基于自適應閾值正則化的反演光刻方法，其特征在于，所述基于自適應閾值正則化的反演光刻方法包括：
2.根據權利要求1所述的基于自適應閾值正則化的反演光刻方法，其特征在于，獲取初始掩模圖像，具體包括：
3.根據權利要求1所述的基于自適應閾值正則化的反演光刻方法，其特征在于，采用ctm算法對所述初始掩模圖像進行優化處理，得到包含srafs的灰度值掩模，具體包括：
4.根據權利要求1所述的基于自適應閾值正則化的反演光刻方法，其特征在于，所述ctm算法的損失函數為模式誤差。
5.根據權利要...
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