【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體器件領域，具體而言，涉及一種mosfet器件的元胞結構、制備方法、mosfet器件和mosfet器件的版圖。
技術介紹
1、常規的平面柵場效應晶體管（mosfet，metai-oxide-semiconductor?field-effect?transistor，簡稱mos）器件的溝道寬度僅在部分有源區的表面分布，mos器件的正向導通特性差。另外，柵極通過溝道對漏極電流的控制能力，取決于柵極電壓、柵極電容、以及阱區的摻雜濃度等，而常規的平面柵效應晶體管柵極電壓在溝道處的作用，會由于阱區摻雜不同導致溝道處電勢的變化不同，導致柵極控制能力降低，進而導通特性變差。
技術實現思路
1、本申請提供一種mosfet器件的元胞結構、制備方法、mosfet器件和mosfet器件的版圖，以解決相關技術中mos器件的柵極電壓控制能力降低且溝道寬度不足，進而導致mos器件的正向導通特性差的問題。
2、根據本申請的一個方面，提供了一種mosfet器件的元胞結構，包括：襯底，具有第一摻雜類型；第一外延層，位于襯底的一側，第一外延層在背離襯底的一側具有第一表面，第一外延層具有第一摻雜類型；第一摻雜區，位于第一外延層中，第一摻雜區由第一表面向襯底方向離子注入形成，第一表面具有未形成第一摻雜區的多個間隔區域，第一摻雜區位于任意相鄰兩個間隔區域之間，第一摻雜區具有第二摻雜類型；第二外延層，位于第一表面上，第二外延層至少覆蓋部分第一摻雜區，第二外延層具有第二摻雜類型，第二外延層的摻雜濃度低
3、根據本申請的另一個方面，提供了一種mosfet器件的元胞結構的制備方法，包括：提供襯底，襯底具有第一摻雜類型；在襯底的一側形成第一外延層，第一外延層在背離襯底的一側具有第一表面，第一外延層具有第一摻雜類型；在第一外延層中離子注入形成第一摻雜區，第一表面具有未形成第一摻雜區的多個間隔區域，第一摻雜區位于任意相鄰兩個間隔區域之間，第一摻雜區具有第二摻雜類型；在第一表面上形成第二外延層，第二外延層至少覆蓋部分第一摻雜區，第二外延層具有第二摻雜類型，第二外延層的摻雜濃度低于第一摻雜區的摻雜濃度，第一摻雜區或第二外延層具有多個凸起部。
4、根據本申請的另一個方面，提供了一種mosfet器件，包括至少一個的mosfet器件的元胞結構。
5、根據本申請的另一個方面，提供了一種mosfet器件的版圖，包括至少一個的mosfet器件的元胞結構。
6、通過本申請提供的一種mosfet器件的元胞結構，包括襯底、第一外延層、第一摻雜區和第二外延層，其中，在第一外延層上形成第一摻雜區和第二外延層，在第一外延層上離子注入形成第一摻雜區，再在第一摻雜區上外延形成第二外延層，上述第一摻雜區或者第二外延層具有多個凸起部，且第二外延層的摻雜濃度低于第一摻雜區的摻雜濃度，優化了溝道下方摻雜配置，改善了轉移特性，提高了柵控能力，另外，增加了垂直于元胞區表面的溝道寬度，進而改善了mos器件的正向導通特性差的問題。解決了相關技術中mos器件的轉移特性差且溝道不足，進而導致mos器件的正向導通特性差的問題。
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1.一種MOSFET器件的元胞結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的元胞結構，其特征在于，所述元胞結構還包括柵極結構，所述柵極結構位于所述第二外延層背離所述襯底的一側，所述柵極結構包括第一部分和第二部分，所述第一部分突出于所述凸起部，所述第二部分位于相鄰所述凸起部之間。
3.根據權利要求2所述的元胞結構，其特征在于，所述第一摻雜區在所述第一表面中具有第一投影，所述柵極結構在所述第一表面上的投影位于所述第一投影中。
4.根據權利要求2所述的元胞結構，其特征在于，所述元胞結構還包括多個JFET區，至少部分所述JFET區一一對應的位于所述間隔區域中，部分所述第二部分位于所述JFET區背離所述第一摻雜區的一側。
5.根據權利要求3所述的元胞結構，其特征在于，所述元胞結構還包括：第二摻雜區和至少一個第三摻雜區，其中：
6.根據權利要求5所述的元胞結構，其特征在于，所述第三摻雜區與所述第二摻雜區在所述第一表面上的組合投影圖案為中心對稱圖案。
7.根據權利要求5所述的元胞結構，其特征在于，所述元胞結構還包括：第
8.根據權利要求4所述的元胞結構，其特征在于，元胞結構還包括：多個第二導電層，所述第二導電層一一對應的覆蓋多個所述JFET區中的每個所述JFET區的部分區域。
9.根據權利要求5所述的元胞結構，其特征在于，所述第一摻雜區具有非均勻的摻雜濃度。
10.一種MOSFET器件的元胞結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法用于制備權利要求1至9中任一項所述的元胞結構，所述制備方法包括：
11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，在所述第一摻雜區具有多個凸起部的情況下，形成所述第二外延層的步驟包括：
12.根據權利要求11所述的制備方法，其特征在于，形成第一摻雜區的步驟包括：
13.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，在所述第二外延層具有多個凸起部的情況下，形成所述第二外延層的步驟包括：
14.根據權利要求13所述的制備方法，其特征在于，形成所述第二外延層的步驟還包括：
15.根據權利要求13所述的制備方法，其特征在于，形成所述第二外延層的步驟還包括：
16.根據權利要求11或13所述的制備方法，其特征在于，在形成所述第二外延層之后，所述制備方法還包括：
17.根據權利要求16所述的制備方法，其特征在于，在形成柵極結構的步驟之后，所述制備方法還包括：
18.根據權利要求17所述的制備方法，其特征在于，在形成隔離氧化層的步驟之后，所述制備方法還包括：
19.一種MOSFET器件，其特征在于，包括至少一個權利要求1至9中任一項所述的MOSFET器件的元胞結構。
20.一種MOSFET器件的版圖，其特征在于，包括至少一個權利要求1至9中任一項所述的MOSFET器件的元胞結構。
...【技術特征摘要】
1.一種mosfet器件的元胞結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的元胞結構，其特征在于，所述元胞結構還包括柵極結構，所述柵極結構位于所述第二外延層背離所述襯底的一側，所述柵極結構包括第一部分和第二部分，所述第一部分突出于所述凸起部，所述第二部分位于相鄰所述凸起部之間。
3.根據權利要求2所述的元胞結構，其特征在于，所述第一摻雜區在所述第一表面中具有第一投影，所述柵極結構在所述第一表面上的投影位于所述第一投影中。
4.根據權利要求2所述的元胞結構，其特征在于，所述元胞結構還包括多個jfet區，至少部分所述jfet區一一對應的位于所述間隔區域中，部分所述第二部分位于所述jfet區背離所述第一摻雜區的一側。
5.根據權利要求3所述的元胞結構，其特征在于，所述元胞結構還包括：第二摻雜區和至少一個第三摻雜區，其中：
6.根據權利要求5所述的元胞結構，其特征在于，所述第三摻雜區與所述第二摻雜區在所述第一表面上的組合投影圖案為中心對稱圖案。
7.根據權利要求5所述的元胞結構，其特征在于，所述元胞結構還包括：第一導電層，所述第一導電層覆蓋所述第三摻雜區和部分所述第二摻雜區。
8.根據權利要求4所述的元胞結構，其特征在于，元胞結構還包括：多個第二導電層，所述第二導電層一一對應的覆蓋多個所述jfet區中的每個所述jfet區的部分區域。
9.根據權利要求5所述的元胞結構，其特征在于，所述第一摻雜區具有...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李翠，金銳，和峰，劉江，葛念念，李哲洋，崔翔，葛歡，
申請(專利權)人：北京懷柔實驗室，
類型：發明
國別省市：
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