【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種雙極型電源功率管均流電路。
技術介紹
1、在電氣化的今天，經常會用到大功率的場景。而單個功率管在這時候會表現得捉襟見肘，這時功率管并聯顯得尤為實用。在mosfet并聯電路中，若各支路的阻值相等，在相同的壓降下，每條支路的電流值理論上相等；但實際使用中的導線具有電阻，即使同批生產的mosfet也會有些許差異，此時阻值最小的支路分得的電流最大，該支路的mosfet易出現損壞。常見的解決方法是從物理特性著手，利用mosfet的正溫度特性，在電流過大升溫后，導通電阻同時升高來降低分擔的電流，但在快速變化的輸出情況下，這種均流方式效果并不好。
技術實現思路
1、為解決現有技術的缺陷，本專利技術提供一種雙極型電源功率管均流電路，包括多個功率管支路模塊；
2、所述功率管支路模塊包括：輸入端，接地端，漏極與電源連接的mosfet器件，比較器，串接于mosfet器件源極、接地端之間的第一電阻，串接于mosfet器件柵極、源極之間的第四電阻，串接于mosfet器件源極、比較器反相輸入端之間的第五電阻，串接于輸入端、比較器反相輸入端之間的第十一電阻和第六電阻，串接于mosfet器件柵極、比較器輸出端之間的第八電阻，串接于比較器同相輸入端、接地端之間的第九電阻；
3、各功率管支路模塊的輸入端并聯，各功率管支路模塊的接地端都接地，各功率管支路模塊的mosfet器件漏極并聯。
4、優選的，所述第五電阻和第六電阻的電阻值相同。
5、優選的，各功率
6、優選的，所述功率管支路模塊還包括：串接于比較器反相輸入端、輸出端之間的第一電容。
7、優選的，所述功率管支路模塊還包括：發射極與接地端連接的第一三極管，串接于mosfet器件源極、第一三極管基極之間的第二電阻，串接于第一三極管基極、接地端之間的第三電阻，發射極與比較器輸出端連接、基極與第一三極管集電極連接、集電極與比較器反相輸入端連接的第二三極管，串接于第二三極管發射極、基極之間的第七電阻。
8、優選的，所述mosfet器件為n溝道mosfet器件。
9、優選的，所述第一三極管為npn三極管。
10、優選的，所述第二三極管為pnp三極管。
11、本專利技術的優點和有益效果在于：本專利技術采用負反饋的方式獨立控制各mosfet器件，能達到精準分流的目的。
12、本專利技術雙極型電源功率管均流電路的工作原理如下：
13、向功率管支路模塊的輸入端加載設定電流；第一電阻為電流取樣電阻；第五電阻和第六電阻為比較器的分壓電阻，且第五電阻和第六電阻的電阻值相同；
14、比較器控制mosfet器件的導通程度：
15、當mosfet器件導通程度過大時，流過第一電阻的電流變大，輸入第五電阻的電壓變大，比較器反相輸入端電壓變大，比較器輸出端電壓變小，mosfet器件的導通程度變小；
16、當mosfet器件導通程度過小時，流過第一電阻的電流變小，輸入第五電阻的電壓變小，比較器反相輸入端電壓變小，比較器輸出端電壓變大，mosfet器件的導通程度變大；
17、上保證了mosfet器件的導通程度只受輸入端加載設定電流的控制。
18、各功率管支路模塊的第一電阻（電流取樣電阻）的電阻值相同；流過各功率管支路模塊的mosfet器件的電流值相同。
19、第一三極管、第二三極管組成保護電路，防止過大電流流過第一電阻（電流取樣電阻）；第二電阻、第三電阻串聯后與第一電阻并聯，當mosfet器件電流異常高時，第一電阻的電壓變高，第三電阻的電壓也變高，當第三電阻的電壓超過第一三極管的導通電壓時，第一三極管導通，帶動第二三極管導通，比較器輸出端電壓變小，降低mosfet器件的導通程度，降低流過mosfet器件的電流。
20、本專利技術還具有如下特點：
21、1、本專利技術理論上并聯mosfet器件無上限，至少可以12組并聯。
22、2、本專利技術每個支路均做了限流保護。
23、3、本專利技術利用負反饋保證各支路電流與預設值一致。
24、4、本專利技術既可以實現電流輸出，也可以實現電流灌入。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種雙極型電源功率管均流電路，其特征在于，包括多個功率管支路模塊；
2.根據權利要求1所述的雙極型電源功率管均流電路，其特征在于，所述第五電阻和第六電阻的電阻值相同。
3.根據權利要求1所述的雙極型電源功率管均流電路，其特征在于，各功率管支路模塊的第一電阻的電阻值相同。
4.根據權利要求1所述的雙極型電源功率管均流電路，其特征在于，所述功率管支路模塊還包括：串接于比較器反相輸入端、輸出端之間的第一電容。
5.根據權利要求1所述的雙極型電源功率管均流電路，其特征在于，所述功率管支路模塊還包括：發射極與接地端連接的第一三極管，串接于MOSFET器件源極、第一三極管基極之間的第二電阻，串接于第一三極管基極、接地端之間的第三電阻，發射極與比較器輸出端連接、基極與第一三極管集電極連接、集電極與比較器反相輸入端連接的第二三極管，串接于第二三極管發射極、基極之間的第七電阻。
6.根據權利要求1所述的雙極型電源功率管均流電路，其特征在于，所述MOSFET器件為N溝道MOSFET器件。
7.根據權利要求5所述的雙極型電源功
8.根據權利要求5所述的雙極型電源功率管均流電路，其特征在于，所述第二三極管為PNP三極管。
...【技術特征摘要】
1.一種雙極型電源功率管均流電路，其特征在于，包括多個功率管支路模塊；
2.根據權利要求1所述的雙極型電源功率管均流電路，其特征在于，所述第五電阻和第六電阻的電阻值相同。
3.根據權利要求1所述的雙極型電源功率管均流電路，其特征在于，各功率管支路模塊的第一電阻的電阻值相同。
4.根據權利要求1所述的雙極型電源功率管均流電路，其特征在于，所述功率管支路模塊還包括：串接于比較器反相輸入端、輸出端之間的第一電容。
5.根據權利要求1所述的雙極型電源功率管均流電路，其特征在于，所述功率管支路模塊還包括：發射極與接地端連接的第一三極管...
【專利技術屬性】
技術研發人員：徐超，
申請(專利權)人：固緯電子蘇州有限公司，
類型：發明
國別省市：
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