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【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及拋光方法,具體涉及一種復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法。
技術(shù)介紹
1、化學(xué)鍍鎳磷合金具有均勻、致密、可切削性好、可拋光性好、硬度高、耐腐蝕性好、耐磨性好等良好的性能,是優(yōu)秀的反射鏡改性材。目前通常在鋁合金反射鏡上鍍鎳磷合金改性層,能改善表面缺陷,并通過(guò)拋光可達(dá)到很低的表面粗糙度,已被廣泛應(yīng)用于光學(xué)、軍工、航空航天等領(lǐng)域,具備有極高的應(yīng)用價(jià)值。
2、基于鎳磷合金鍍層良好的可切削性,可使用單點(diǎn)金剛石車(chē)削工藝加工各種光學(xué)微結(jié)構(gòu),以滿(mǎn)足各種不同的光學(xué)使用需求,如光柵微結(jié)構(gòu)。光柵是重要的光學(xué)微結(jié)構(gòu),可有效篩選不同波長(zhǎng)的光,被廣泛應(yīng)用于光學(xué)反射鏡中。經(jīng)過(guò)車(chē)削后的鎳磷合金表面能夠滿(mǎn)足一般紅外系統(tǒng)的成像要求,但受限于車(chē)削加工的成形機(jī)理,加工后會(huì)使鎳磷合金表面殘留螺旋狀切削刀痕,這些刀痕會(huì)導(dǎo)致衍射效應(yīng)與雜散光增多,增加光通量損失,降低反射率和圖像質(zhì)量,無(wú)法滿(mǎn)足短波長(zhǎng)、更高成像質(zhì)量要求的光學(xué)系統(tǒng),需拋光去除。為了滿(mǎn)足更高的使用需求,對(duì)單點(diǎn)金剛石車(chē)削后的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行光學(xué)拋光,在提高表面質(zhì)量、去除殘留刀痕的同時(shí),還需兼顧光柵微結(jié)構(gòu)的形狀,其必要條件為中頻粗糙度(msfr,空間周期1mm~1μm)rms<1nm。因此,在鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行保形拋光仍然是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的問(wèn)題。
3、目前,已有多種拋光技術(shù)用于去除鎳磷合金車(chē)削后的殘留刀痕,如磁流變拋光,離子束拋光和化學(xué)機(jī)械拋光等。磁流變拋光是在特定的磁場(chǎng)條件下,由拋光輪帶動(dòng)可控磁流體去除光學(xué)表面材料的拋光方法。離子束拋光是采用高能離子,在真空狀態(tài)下轟擊
4、磁流變拋光具有穩(wěn)定的去除函數(shù)和高拋光效率,然而,磁流變拋光后對(duì)微結(jié)構(gòu)形狀破壞較大,保形能力較差,且容易入拋光的周期性痕跡,改善表面質(zhì)量的能力不足,平滑能力有限。離子束拋光能夠在不引入任何外部污染的情況下在原子水平上實(shí)現(xiàn)材料的精確去除,保形能力優(yōu)秀。但離子束拋光機(jī)價(jià)格昂貴,需要在真空環(huán)境中進(jìn)行,拋光率低,且真空腔體對(duì)工件的拋光尺寸有一定的限制。化學(xué)機(jī)械拋光是一種結(jié)合化學(xué)改性和磨料去除的表面拋光方法,保形能力較好,可實(shí)現(xiàn)全局平坦化,成本低,拋光效率適中,因此被廣泛應(yīng)用于行業(yè)當(dāng)中,是鎳磷反射鏡工業(yè)化、規(guī)模化生產(chǎn)的重要拋光技術(shù)。
5、對(duì)于化學(xué)機(jī)械拋光,隨著行業(yè)對(duì)拋光效率和表面質(zhì)量的要求不斷提高,在許多情況下,使用單一磨料來(lái)滿(mǎn)足這些要求變得越來(lái)越困難。解決上述問(wèn)題的路徑之一是磨料的復(fù)合,即磨料同時(shí)具有兩種或兩種以上的成分。由于復(fù)合磨料中不同類(lèi)型的磨料具有不同的物理化學(xué)性能,可以充分發(fā)揮每種磨料的優(yōu)點(diǎn),從而提高拋光效率與拋光效果。同時(shí),查閱相關(guān)文獻(xiàn),目前對(duì)于鎳磷合金微結(jié)構(gòu)的保形拋光的研究很少,因此急需開(kāi)展系統(tǒng)的保形拋光研究。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專(zhuān)利技術(shù)的目的在于克服上述存在的問(wèn)題,提供一種復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,該保形拋光方法通過(guò)不同硬度的磨料結(jié)合不同硬度的拋光墊,在去除殘留刀痕、降低表面粗糙度的同時(shí),兼顧微結(jié)構(gòu)的形狀,實(shí)現(xiàn)保形拋光。
2、本專(zhuān)利技術(shù)的目的通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
3、一種復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,包括以下步驟:
4、(1)配置復(fù)合磨料拋光液;
5、(2)清潔工件表面,并將工件固定在拋光平臺(tái)上;
6、(3)設(shè)置螺旋加工路徑、拋光負(fù)載以及拋光時(shí)間;
7、(4)準(zhǔn)備兩種不同硬度的拋光墊,先使用硬度較高的拋光墊搭配所述復(fù)合磨料拋光液對(duì)工件進(jìn)行拋光,再使用硬度較低的拋光墊搭配所述復(fù)合磨料拋光液對(duì)工件進(jìn)行拋光;
8、所述復(fù)合磨料拋光液對(duì)鎳磷合金工件的表面產(chǎn)生輕微氧化腐蝕,形成結(jié)合力小的化學(xué)改性層;所述復(fù)合磨料拋光液包括兩種不同硬度的磨料,通過(guò)拋光墊帶動(dòng)硬度較高的磨料以速度v與負(fù)載f進(jìn)行運(yùn)動(dòng),利用硬度較高的尖銳部分去除起伏較大的殘留刀痕,即為消除中頻誤差;在去除中頻誤差后,引入起伏小且密集的損傷,形成高頻誤差;通過(guò)拋光墊帶動(dòng)硬度較低的磨料消除高頻誤差,實(shí)現(xiàn)中高頻誤差同時(shí)去除,并兼顧光柵形狀,得到光滑表面;
9、在宏觀拋光過(guò)程中,通過(guò)對(duì)拋光墊施加壓力f,利用拋光墊發(fā)生壓縮變形并同時(shí)與光柵微結(jié)構(gòu)頂部、底部接觸;拋光墊以轉(zhuǎn)速ω旋轉(zhuǎn)并以速度v向前移動(dòng),帶動(dòng)復(fù)合磨料去除化學(xué)改性層,實(shí)現(xiàn)保形拋光。
10、本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)優(yōu)選方案,其中,硬度較高的磨料的莫氏硬度在8.5~9.5之間,用于去除起伏較大的殘留刀痕,即中頻誤差;硬度較低的磨料的莫氏硬度在6.5~7.5之間,用于去除起伏小、密集的損傷,即高頻誤差。
11、本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)優(yōu)選方案,在步驟(1)中,所述復(fù)合磨料拋光液的配置方法為:
12、按順序和比例加入兩種不同硬度的磨料、分散劑丙三醇、氧化劑、純水,并進(jìn)行攪拌和震動(dòng),使各成分完全分散溶解,再通過(guò)ph調(diào)節(jié)劑將ph值調(diào)節(jié)至設(shè)定數(shù)值。
13、進(jìn)一步,所述硬度較高的磨料為al2o3,其中值粒徑為100nm~1μm。
14、進(jìn)一步,所述al2o3的百分占比為0.15wt%~0.3wt%。
15、進(jìn)一步,所述硬度較低的磨料為sio2,其中值粒徑為50nm。
16、進(jìn)一步,所述sio2的百分占比為1-2wt%。
17、進(jìn)一步,通過(guò)ph調(diào)節(jié)劑將ph值調(diào)節(jié)至小于或等于3。
18、進(jìn)一步,所述氧化劑為h2o2,其質(zhì)量百分比濃度為30%,其含量為0.8wt%~1.2wt%。
19、本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)優(yōu)選方案,在步驟(4)中,硬度較高的拋光墊的硬度為70~90shorea,硬度較低的拋光墊的硬度為40~60shorea。
20、本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)優(yōu)選方案,在步驟(4)中,所述光柵微結(jié)構(gòu)頂部轉(zhuǎn)角為應(yīng)力集中區(qū),拋光后尖銳的轉(zhuǎn)角成為圓角;受限于拋光墊的材料變形極限,拋光墊帶動(dòng)堆積的磨料對(duì)光柵底部轉(zhuǎn)角與側(cè)壁實(shí)現(xiàn)少量的材料去除,因此拋光后光柵底部轉(zhuǎn)角與側(cè)壁會(huì)殘留化學(xué)改性層,最終光柵微結(jié)構(gòu)底部轉(zhuǎn)角成為圓角;
21、光柵微結(jié)構(gòu)頂部先與拋光墊接觸,光柵頂部材料去除大于光柵底部,拋光前的光柵高度h1大于拋光后的光柵高度h2,即拋光后光柵的高度會(huì)下降。
22、本專(zhuān)利技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下有益效果:
23、1、本專(zhuān)利技術(shù)的保形拋光方法通過(guò)不同硬度的磨料結(jié)合不同硬度的拋光墊,在去除殘留刀痕、降低表面粗糙度的同時(shí),兼顧微結(jié)構(gòu)的形狀,實(shí)現(xiàn)保形拋光。
24、2、本專(zhuān)利技術(shù)適用于平面、非球面、自由曲面等各種面型與尺寸的鎳磷合金工件,可實(shí)現(xiàn)大尺寸鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光。同時(shí),除光柵微結(jié)構(gòu)外,本專(zhuān)利技術(shù)也適用于其他光學(xué)微結(jié)構(gòu)的保形拋光,如菲涅爾微結(jié)構(gòu)等。
25、3、本專(zhuān)利技術(shù)拋光時(shí)不需要真空或磁場(chǎng)等特定條件,經(jīng)濟(jì)實(shí)惠,可應(yīng)用于工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)。
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1.一種復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,硬度較高的磨料的莫氏硬度在8.5~9.5之間,用于去除殘留刀痕,即中頻誤差;硬度較低的磨料的莫氏硬度在6.5~7.5之間,用于去除引入的損傷,即高頻誤差。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,在步驟(1)中,所述復(fù)合磨料拋光液的配置方法為:
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,所述硬度較高的磨料為Al2O3,其中值粒徑為100nm~1μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,所述Al2O3的百分占比為0.15wt%~0.3wt%。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,所述硬度較低的磨料為SiO2,其中值粒徑為50nm;所述SiO2的百分占比為1-2wt%。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,所述氧化劑為H2O2,其質(zhì)量百分比濃度為30%,其含量為0.8wt%~1.2wt%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,在步驟(4)中,硬度較高的拋光墊的硬度為70~90shoreA,硬度較低的拋光墊的硬度為40~60shoreA。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,在步驟(4)中,所述光柵微結(jié)構(gòu)頂部轉(zhuǎn)角為應(yīng)力集中區(qū),拋光后尖銳的轉(zhuǎn)角成為圓角;受限于拋光墊的材料變形極限,拋光墊帶動(dòng)堆積的磨料對(duì)光柵底部轉(zhuǎn)角與側(cè)壁實(shí)現(xiàn)少量的材料去除,因此拋光后光柵底部轉(zhuǎn)角與側(cè)壁會(huì)殘留化學(xué)改性層,最終光柵微結(jié)構(gòu)底部轉(zhuǎn)角成為圓角;
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,硬度較高的磨料的莫氏硬度在8.5~9.5之間,用于去除殘留刀痕,即中頻誤差;硬度較低的磨料的莫氏硬度在6.5~7.5之間,用于去除引入的損傷,即高頻誤差。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,在步驟(1)中,所述復(fù)合磨料拋光液的配置方法為:
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,所述硬度較高的磨料為al2o3,其中值粒徑為100nm~1μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,所述al2o3的百分占比為0.15wt%~0.3wt%。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合磨料的鎳磷光柵微結(jié)構(gòu)保形拋光方法,其特征在于,所述硬度較低的磨料為sio2,其中值粒徑為50...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:鄧輝,何楚洪,何銓鵬,
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人:南方科技大學(xué),
類(lèi)型:發(fā)明
國(guó)別省市:
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