【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及濺射靶材，尤其是涉及一種氧化鋁靶材及其制備方法和應(yīng)用。
技術(shù)介紹
1、氧化鋁薄膜具有優(yōu)良絕緣性能和高透光性，常作為增透膜、干涉膜、保護(hù)膜以及鈍化膜用于光學(xué)器件、汽車、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。磁控濺射鍍膜具有效率高和成膜均勻性好等優(yōu)點(diǎn)，適用于工業(yè)生產(chǎn)上的大規(guī)模鍍膜，但其對(duì)靶材的致密度要求較高。氧化鋁熔點(diǎn)超過(guò)2000℃，采用常規(guī)的制備工藝，難以獲得高純且高致密的氧化鋁靶材。
2、因此，有必要開(kāi)發(fā)一種新型的氧化鋁靶材。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本專利技術(shù)第一方面提出一種氧化鋁靶材，本專利技術(shù)的氧化鋁靶材能夠有效提高致密度并且能夠降低燒結(jié)溫度。
2、本專利技術(shù)第二方面還提供一種氧化鋁靶材的制備方法。
3、本專利技術(shù)第三方面還提供一種氧化鋁靶材的應(yīng)用。
4、根據(jù)本專利技術(shù)的第一方面實(shí)施例提供的一種氧化鋁靶材，包括如下原料：氧化鋁和納米氫氧化鋁，其中，以氧化鋁和納米氫氧化鋁的總質(zhì)量計(jì)算，所述納米氫氧化鋁的質(zhì)量百分比為0.5％～20％。
5、根據(jù)本專利技術(shù)實(shí)施例的氧化鋁靶材，至少具有如下有益效果：
6、本專利技術(shù)以質(zhì)量百分比為0.5％～20％的納米氫氧化鋁摻入到氧化鋁中，一方面納米氫氧化鋁能夠填充到氧化鋁顆粒之間，另一方面，納米氫氧化鋁在較低溫度下分解生成高活性的納米氧化鋁，在燒結(jié)過(guò)程中促進(jìn)氧化鋁晶界的遷移，在不引入雜質(zhì)前提下，有效的降低了氧化鋁靶材的燒結(jié)溫度，同時(shí)
7、進(jìn)一步地，當(dāng)納米氫氧化鋁低于0.5％時(shí)，作用不明顯；當(dāng)納米氫氧化鋁高于20％時(shí)，靶材致密度會(huì)降低。
8、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，所述納米氫氧化鋁的質(zhì)量百分比為1％～15％。由此，能夠獲得更好的致密度。
9、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，所述納米氫氧化鋁的質(zhì)量百分比為5％～15％。由此，在致密度更高的前提下，燒結(jié)溫度也保持在較低水平。
10、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，所述納米氫氧化鋁的d90粒徑≤20nm。由此，納米氫氧化鋁具有更高的比表面積，燒結(jié)活性更強(qiáng)，能夠填充在氧化鋁顆粒之間；提高致密度。
11、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，所述氧化鋁選自α-al2o3、β-al2o3或γ-al2o3中的至少一種。進(jìn)一步地，當(dāng)所述氧化鋁選自α-al2o3時(shí)，晶粒穩(wěn)定性好。
12、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，所述氧化鋁的d90粒徑的范圍為1.0μm～10.0μm。由此，制備的氧化鋁靶材尺寸分布均勻。
13、根據(jù)本專利技術(shù)的第二方面實(shí)施例提供上述所述的氧化鋁靶材的制備方法，包括如下步驟：
14、s1、將氧化鋁、納米氫氧化鋁和分散劑混合進(jìn)行球磨得到漿料；將漿料、粘結(jié)劑和增塑劑混合得到粉體；
15、s2、將粉體進(jìn)行壓制和冷等靜壓處理得到素坯；
16、s3、將素坯進(jìn)行脫脂燒結(jié)即得氧化鋁靶材；所述燒結(jié)過(guò)程中的燒結(jié)溫度最高為1350～1550℃。
17、根據(jù)本專利技術(shù)實(shí)施例的氧化鋁靶材的制備方法，至少具有如下有益效果：
18、本專利技術(shù)的制備方法在具有較低的燒結(jié)溫度的情況下，且不引入雜質(zhì)，實(shí)現(xiàn)了高致密度；制備得到了高純且高致密度的氧化鋁靶材。
19、進(jìn)一步地，由本專利技術(shù)制備的氧化鋁靶材具有更大的尺寸。適用于工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)。
20、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，所述步驟s3中的燒結(jié)步驟為：先升溫至500℃～700℃，保溫時(shí)間2～8h；再升溫至800℃～950℃，保溫時(shí)間3～8h；再升溫至1350℃～1550℃；保溫時(shí)間6～17h。
21、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，所述步驟s3中的燒結(jié)過(guò)程中，最后一次升溫時(shí)通入氧氣。
22、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，所述氧氣的通入速度為20～50l/min。
23、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，步驟s2中，所述冷等靜壓的壓力為150mpa～220mpa。
24、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，步驟s2中，所述冷等靜壓的時(shí)間為10min～50min。
25、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，步驟s2中，所述壓制的壓力為60mpa～180mpa。
26、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，所述分散劑包括聚乙烯吡咯烷酮。
27、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，所述粘結(jié)劑包括聚乙烯醇(pva)、聚乙烯縮丁醛(pvb)或聚乙烯吡咯烷酮(pvp)中的至少一種。由此，具有優(yōu)異的粘結(jié)效果。
28、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，所述增塑劑包括聚乙二醇、阿拉伯樹(shù)膠或1，3-丙二醇中的至少一種。由此，塑性得到增強(qiáng)。
29、根據(jù)本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，步驟s1中，所述球磨的時(shí)間為8～16h。
30、本專利技術(shù)第三方面提供一種本專利技術(shù)第一方面所述的氧化鋁靶材在磁控濺射鍍膜中的應(yīng)用。
31、由此，本專利技術(shù)的氧化鋁靶材能夠用于磁控濺射制備高質(zhì)量的氧化鋁膜。
32、本專利技術(shù)的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本專利技術(shù)而了解。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種氧化鋁靶材，其特征在于，包括如下原料：氧化鋁和納米氫氧化鋁，其中，以氧化鋁和納米氫氧化鋁的總質(zhì)量計(jì)算，所述納米氫氧化鋁的質(zhì)量百分比為0.5％～20％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋁靶材，其特征在于，所述納米氫氧化鋁的質(zhì)量百分比為1％～15％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化鋁靶材，其特征在于，所述納米氫氧化鋁的D90粒徑≤20nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化鋁靶材，其特征在于，所述氧化鋁選自α-Al2O3、β-Al2O3或γ-Al2O3中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化鋁靶材，其特征在于，所述氧化鋁的D90粒徑的范圍為1.0μm～10.0μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的氧化鋁靶材的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氧化鋁靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中的燒結(jié)步驟為：先升溫至500℃～700℃，保溫時(shí)間2～8h；再升溫至800℃～950℃，保溫時(shí)間3～8h；再升溫至1350℃～1550℃；保溫時(shí)間6～17h。
8.根據(jù)
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氧化鋁靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中的燒結(jié)過(guò)程中，最后一次升溫時(shí)通入氧氣；
10.權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的氧化鋁靶材在磁控濺射鍍膜中的應(yīng)用。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種氧化鋁靶材，其特征在于，包括如下原料：氧化鋁和納米氫氧化鋁，其中，以氧化鋁和納米氫氧化鋁的總質(zhì)量計(jì)算，所述納米氫氧化鋁的質(zhì)量百分比為0.5％～20％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋁靶材，其特征在于，所述納米氫氧化鋁的質(zhì)量百分比為1％～15％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化鋁靶材，其特征在于，所述納米氫氧化鋁的d90粒徑≤20nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化鋁靶材，其特征在于，所述氧化鋁選自α-al2o3、β-al2o3或γ-al2o3中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化鋁靶材，其特征在于，所述氧化鋁的d90粒徑的范圍為1.0μm～10.0μm。
6.根據(jù)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：徐威，葛春橋，丁金鐸，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中山智隆新材料科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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