【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及鍍銀材料及其制造方法，特別涉及用作為車載用或民用的電氣配線中使用的連接器、開關、繼電器等的接點或端子部件的材料的鍍銀材料及其制造方法。
技術介紹
1、以往，作為連接器或開關等的接點或端子部件等的材料，使用對銅或銅合金及不銹鋼等價格比較便宜且耐腐蝕性及機械特性等優異的原材料根據電氣特性或焊接性等必要的特性實施了鍍錫、鍍銀、鍍金的鍍覆材料。
2、對銅或銅合金及不銹鋼等材料實施了鍍錫的鍍錫材料價格便宜，但在高溫環境下的耐腐蝕性差。對這些材料實施了鍍金的鍍金材料則耐腐蝕性優異、可靠性高，但成本升高。另一方面，對這些材料實施了鍍銀的鍍銀材料與鍍金材料相比價格便宜，與鍍錫材料相比則耐腐蝕性優異。
3、另外，連接器或開關等的接點或端子部件等的材料也要求與連接器的插拔或開關的滑動相伴的耐磨損性。
4、但是，鍍銀材料為軟質且容易磨損，因此，當用作為連接端子等的材料時，存在因插拔或滑動而粘滯容易產生粘滯磨損、并且在連接端子插入時表面被削去而摩擦系數變高從而使插入力變高的問題。
5、為了解決這樣的問題，已知通過在鍍銀中含有銻等元素來提高鍍銀材料的硬度的方法(例如參見專利文獻1)。
6、但是，如果像專利文獻1的方法那樣在鍍銀中含有銻等元素，則雖然銀合金化而硬度提高，但耐磨損性的提高并不足，進而期望耐磨損性優異的鍍銀材料。
7、為了解決這樣的問題，提出了一種制造耐磨損性比以往優異的鍍銀材料的方法：通過在包含氰化銀鉀或氰化銀、和氰化鉀或氰化鈉、以及苯并噻唑類或其衍生物的水
8、現有技術文獻
9、專利文獻
10、專利文獻1：日本特開2009-79250號公報(第0003～0004段)
11、專利文獻2：日本專利第6916971號公報(第0013段)
技術實現思路
1、專利技術所要解決技術問題
2、但是，由專利文獻2的方法制造的鍍銀材料在原材料上隔著基底鍍覆皮膜形成鍍銀皮膜時存在高溫高濕環境下鍍銀皮膜容易從基底鍍覆皮膜剝離的問題。
3、因此，對于由專利文獻2的方法制造的耐磨損性優異的鍍銀材料，希望提供在原材料上隔著基底鍍覆皮膜形成鍍銀皮膜時高溫高濕環境下鍍銀皮膜不易從基底鍍覆皮膜剝離、緊貼性優異的鍍銀材料。
4、因此，本專利技術鑒于這樣的以往的問題點，其目的在于提供一種在原材料上隔著基底鍍覆皮膜形成鍍銀皮膜時，高溫高濕環境下鍍銀皮膜不易從基底鍍覆皮膜剝離、緊貼性優異的鍍銀材料及其制造方法。
5、解決技術問題的手段
6、本專利技術人們為了解決上述技術問題而進行了深入研究，結果發現，如果通過在原材料上隔著基底鍍覆皮膜形成基底鍍銀皮膜之后，通過在由包含氰化銀鉀或氰化銀、和氰化鉀或氰化鈉、以及苯并噻唑類或其衍生物的水溶液構成的鍍銀液中進行電鍍而在基底鍍銀皮膜上形成由含碳和硫的銀構成的表層(含碳和硫的鍍銀皮膜)，則能夠制造出在原材料上隔著基底鍍覆皮膜形成鍍銀皮膜時高溫高濕環境下鍍銀皮膜不易從基底鍍覆皮膜剝離、緊貼性優異的鍍銀材料，從而完成了本專利技術。
7、即，本專利技術的鍍銀材料的制造方法的特征在于，通過在原材料上隔著基底鍍覆皮膜形成基底鍍銀皮膜之后，通過在由包含氰化銀鉀或氰化銀、和氰化鉀或氰化鈉、以及苯并噻唑類或其衍生物的水溶液構成的鍍銀液中進行電鍍，從而在基底鍍銀皮膜上形成由含碳和硫的銀構成的表層。
8、在該鍍銀材料的制造方法中，基底鍍銀皮膜的厚度優選為0.06～15μm。另外，苯并噻唑類優選為巰基苯并噻唑，苯并噻唑類的衍生物優選為苯并噻唑類的堿金屬鹽，堿金屬鹽優選為鈉鹽。另外，基底鍍覆皮膜優選由銅、鎳或它們的合金構成，原材料優選由銅或銅合金構成。
9、另外，本專利技術的鍍銀材料的特征在于，在原材料上隔著基底鍍覆皮膜形成基底鍍銀皮膜，在該基底鍍銀皮膜上形成由含碳和硫的銀構成的表層，基底鍍銀皮膜中的ag原子濃度高于95at％、s原子濃度低于0.6at％、c原子濃度相對于ag原子濃度的比例低于3％，由含碳和硫的銀構成的表層中的ag原子濃度為95at％以下、s原子濃度為0.6at％以上、且c原子濃度相對于ag原子濃度的比例在3％以上。在該鍍銀材料中，基底鍍銀皮膜的厚度優選為0.06～15μm。另外，鍍銀材料中的銀的平均微晶粒徑優選在100nm以下，鍍銀材料表面的維氏硬度hv優選為70～160。進而，基底鍍覆皮膜優選由銅、鎳或它們的合金構成，原材料優選由銅或銅合金構成。另外，優選來自由含碳和硫的銀構成的表層中的巰基苯并噻唑的巰基和五元環的s元素的s原子濃度的合計在0.3at％以上，來自基底鍍銀皮膜中的巰基苯并噻唑的巰基和五元環的s元素的s原子濃度的合計小于0.3at％。另外，對于由含碳和硫的銀構成的表層，通過x射線光電子能譜法測定時，由161.6～162.9ev范圍內有峰的光譜求出的s原子濃度和163.2～164.5ev范圍內有峰的光譜求出的s原子濃度的合計在0.3at％以上；對于基底鍍銀皮膜，通過x射線光電子能譜法測定時，由161.6～162.9ev范圍內有峰的光譜求出的s原子濃度和163.2～164.5ev范圍內有峰的光譜求出的原子濃度的合計優選小于0.3at％。
10、專利技術效果
11、根據本專利技術，能夠提供一種在原材料上隔著基底鍍覆皮膜形成鍍銀皮膜時高溫高濕環境下鍍銀皮膜不易從基底鍍覆皮膜剝離、緊貼性優異的鍍銀材料及其制造方法。
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1.一種鍍銀材料的制造方法，其通過在原材料上隔著基底鍍覆皮膜形成基底鍍銀皮膜之后在由包含氰化銀鉀或氰化銀、和氰化鉀或氰化鈉、以及苯并噻唑類或其衍生物的水溶液構成的鍍銀液中進行電鍍，從而在基底鍍銀皮膜上形成由含碳和硫的銀構成的表層。
2.如權利要求1所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，所述基底鍍銀皮膜的厚度為0.06～15μm。
3.如權利要求1所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，所述苯并噻唑類為巰基苯并噻唑。
4.如權利要求1所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，所述苯并噻唑類的衍生物為所述苯并噻唑類的堿金屬鹽。
5.如權利要求4所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，所述堿金屬鹽為鈉鹽。
6.如權利要求1所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，所述基底鍍覆皮膜由銅、鎳或它們的合金構成。
7.如權利要求1所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，所述原材料由銅或銅合金構成。
8.如權利要求1所述的鍍銀材料，其特征在于，在原材料上隔著基底鍍覆皮膜形成基底鍍銀皮膜，在該基底鍍銀皮膜上形成由含碳和硫的銀構成
9.如權利要求8所述的鍍銀材料，其特征在于，所述基底鍍銀皮膜的厚度為0.06～15μm。
10.如權利要求8所述的鍍銀材料，其特征在于，所述鍍銀材料中的銀的平均微晶粒徑在100nm以下。
11.如權利要求8所述的鍍銀材料，其特征在于，所述鍍銀材料的表面的維氏硬度HV為70～160。
12.如權利要求8所述的鍍銀材料，其特征在于，所述基底鍍覆皮膜由銅、鎳或它們的合金構成。
13.如權利要求8所述的鍍銀材料，其特征在于，所述原材料由銅或銅合金構成。
14.如權利要求8所述的鍍銀材料，其特征在于，來自所述由含碳和硫的銀構成的表層中的巰基苯并噻唑的巰基和五元環的S元素的S原子濃度的合計在0.3at％以上，來自所述基底鍍銀皮膜中的巰基苯并噻唑的巰基和五元環的S元素的S原子濃度的合計小于0.3at％。
15.如權利要求8所述的鍍銀材料，其特征在于，對于所述由含碳和硫的銀構成的表層，通過X射線光電子能譜法測定時，由161.6～162.9eV范圍內有峰的光譜求出的S原子濃度和163.2～164.5eV范圍內有峰的光譜求出的S原子濃度的合計在0.3at％以上；對于所述基底鍍銀皮膜，通過X射線光電子能譜法測定時，由161.6～162.9eV范圍內有峰的光譜求出的S原子濃度和163.2～164.5eV范圍內有峰的光譜求出的S原子濃度的合計小于0.3at％。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種鍍銀材料的制造方法，其通過在原材料上隔著基底鍍覆皮膜形成基底鍍銀皮膜之后在由包含氰化銀鉀或氰化銀、和氰化鉀或氰化鈉、以及苯并噻唑類或其衍生物的水溶液構成的鍍銀液中進行電鍍，從而在基底鍍銀皮膜上形成由含碳和硫的銀構成的表層。
2.如權利要求1所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，所述基底鍍銀皮膜的厚度為0.06～15μm。
3.如權利要求1所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，所述苯并噻唑類為巰基苯并噻唑。
4.如權利要求1所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，所述苯并噻唑類的衍生物為所述苯并噻唑類的堿金屬鹽。
5.如權利要求4所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，所述堿金屬鹽為鈉鹽。
6.如權利要求1所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，所述基底鍍覆皮膜由銅、鎳或它們的合金構成。
7.如權利要求1所述的鍍銀材料的制造方法，其特征在于，所述原材料由銅或銅合金構成。
8.如權利要求1所述的鍍銀材料，其特征在于，在原材料上隔著基底鍍覆皮膜形成基底鍍銀皮膜，在該基底鍍銀皮膜上形成由含碳和硫的銀構成的表層，基底鍍銀皮膜中的ag原子濃度高于95at％、s原子濃度低于0.6at％、且c原子濃度相對于ag原子濃度的比例低于3％，由含碳和硫的銀構成的表層中的ag原子濃度在95at％以下、s原子濃度在0.6at％以上、且c原子濃度相對于ag原子濃度的比例在3...
【專利技術屬性】
技術研發人員：船田惠理，荒井健太郎，佐藤陽介，平井悠太郎，
申請(專利權)人：同和金屬技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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