【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及半導體，具體涉及一種晶圓載臺、偽片腔室及半導體工藝設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、射頻、功率等多種半導體器件的制備工藝包括金屬互聯(lián)或電極制備的制程，其中，介質(zhì)刻蝕截止層通常為金屬材料，比如ti/pt/au/al等。為保證介質(zhì)刻蝕干凈確保導通性，不可避免的會對底部金屬產(chǎn)生過刻，刻蝕產(chǎn)生的金屬顆粒會在介質(zhì)窗(window)上沉積。金屬沉積在window上將會屏蔽icp線圈耦合的電磁場能量，從而會降低工藝腔室中icp等離子體密度，最終導致刻蝕效率降低。
2、為清除window上的金屬顆粒，一般采用片間清洗方案，具體是設(shè)置一偽片(dummy)腔室，偽片腔室內(nèi)放置測試晶圓(test?wafer，又稱dummy?wafer或偽片)，在加工完一片晶圓后，由偽片腔室向工藝腔室傳輸偽片，將偽片置于靜電卡盤(esc)上，遮住esc表面，防止在對window進行清洗時金屬顆粒沉積在esc表面，導致在刻蝕工藝過程中esc電荷釋放不完全會產(chǎn)生粘片問題。
3、為降低設(shè)備采購成本，提升設(shè)備的使用率，工藝腔室通常配置多尺寸晶圓工藝，比如，用于加工8寸的工藝腔室可以向下兼容6寸、4寸等。而現(xiàn)有的偽片腔室的晶圓載臺通常只適用一種尺寸的晶圓，當工藝腔室切換不同尺寸的晶圓時，需要更換偽片腔室的晶圓載臺，更換后需要重新調(diào)試，復機時間久，降低了生產(chǎn)效率。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、針對上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┮环N晶圓載臺、偽片腔室及半導體工藝設(shè)備，可以改善現(xiàn)有的偽片腔室的晶圓載臺不能兼容不同尺寸的晶圓的問題。
2、為解決上述技術(shù)問題，第一方面，本申請實施例提供一種晶圓載臺，包括至少兩個環(huán)繞預設(shè)圓設(shè)置的承載機構(gòu)，用于從晶圓的邊緣對所述晶圓形成支撐；以所述預設(shè)圓的圓心為參考，每個所述承載機構(gòu)包括：
3、第一固定座，靠近所述圓心的一端設(shè)置有第一支撐部；
4、第二固定座，靠近所述圓心的一端設(shè)置有第二支撐部，遠離所述圓心的一端可轉(zhuǎn)動地與所述第一固定座靠近所述圓心的一端連接；
5、當所述第二固定座向遠離所述圓心的一側(cè)轉(zhuǎn)動至第一目標位置時，所述第一支撐部用于承載第一尺寸的晶圓；
6、當所述第二固定座向靠近所述圓心的一側(cè)轉(zhuǎn)動至第二目標位置時，所述第二支撐部用于承載第二尺寸的晶圓。
7、可選的，所述第一支撐部凸設(shè)于所述第一固定座靠近所述圓心的一端的側(cè)面；
8、當所述第二固定座轉(zhuǎn)動至所述第一目標位置時，所述第二固定座不超出所述第一固定座靠近所述圓心的一端的側(cè)面。
9、可選的，所述第一固定座朝向所述圓心的側(cè)面設(shè)有第一收納槽，當所述第二固定座轉(zhuǎn)動至所述第一目標位置時收納于所述第一收納槽中。
10、可選的，所述第一固定座包括構(gòu)成所述第一收納槽的槽底的第一側(cè)壁、連接于所述第一側(cè)壁的相對兩邊的第二側(cè)壁和第三側(cè)壁，以及從底部連接所述第一側(cè)壁、所述第二側(cè)壁和所述第三側(cè)壁的底壁；
11、所述第一固定座通過所述底壁與外部支撐平臺連接，所述第二側(cè)壁朝向所述圓心的一面設(shè)有所述第一支撐部，和/或所述第三側(cè)壁朝向所述圓心的一面設(shè)有所述第一支撐部。
12、可選的，所述承載機構(gòu)還包括第一鎖止件；所述第二側(cè)壁和/或所述第三側(cè)壁上還設(shè)置有第一鎖止孔，當所述第二固定座轉(zhuǎn)動至所述第二目標位置時，所述第一鎖止件配合至所述第一鎖止孔中將所述第二固定座鎖緊；和/或，
13、所述承載機構(gòu)還包括第二鎖止件；所述第二側(cè)壁和/或所述第三側(cè)壁上還設(shè)置有第二鎖止孔，當所述第二固定座收納于所述第一收納槽中時，所述第二鎖止件配合至所述第二鎖止孔中將所述第二固定座鎖緊。
14、可選的，所述第一側(cè)壁的高度低于所述第二側(cè)壁和所述第三側(cè)壁的高度，以在所述槽底形成一缺口；
15、所述第二固定座鉸接于所述第二側(cè)壁超出所述第一側(cè)壁的部分，和/或，所述第二固定座鉸接于所述第三側(cè)壁超出所述第一側(cè)壁的部分；并且當所述第二固定座轉(zhuǎn)動至所述第二目標位置時，所述第二固定座遠離所述圓心的一端與所述缺口配合，以對轉(zhuǎn)動角度進行限位。
16、可選的，所述承載機構(gòu)還包括：
17、第三固定座，靠近所述圓心的一端設(shè)置有第三支撐部，遠離所述圓心的一端可轉(zhuǎn)動地與所述第二固定座靠近所述圓心的一端連接；
18、當所述第三固定座向遠離所述圓心的一側(cè)轉(zhuǎn)動至第三目標位置時，所述第二支撐部用于承載所述第二尺寸的晶圓；
19、當所述第三固定座向靠近所述圓心的一側(cè)轉(zhuǎn)動至第四目標位置時，所述第三支撐部用于承載第三尺寸的晶圓。
20、可選的，所述第二支撐部凸設(shè)于所述第二固定座靠近所述圓心的一端的側(cè)面；
21、當所述第三固定座轉(zhuǎn)動至所述第三目標位置時，所述第三固定座不超出所述第二固定座靠近所述圓心的一端的側(cè)面。
22、可選的，所述第二固定座的頂面設(shè)有第二收納槽；
23、當所述第三固定座轉(zhuǎn)動至所述第三目標位置時收納于所述第二收納槽中。
24、可選的，所述第三固定座遠離所述圓心的一端的底部設(shè)置有凹槽；
25、當所述第三固定座轉(zhuǎn)動至所述第四目標位置時，所述凹槽與所述第二收納槽的槽底配合以對轉(zhuǎn)動角度進行限位。
26、可選的，所述第二固定座上還設(shè)置有貫穿所述第二收納槽側(cè)壁的第三鎖止孔；
27、所述承載機構(gòu)還包括第三鎖止件，當所述第三固定座收納于所述第二收納槽中時，所述第三鎖止件配合至所述第三鎖止孔中將所述第三固定座鎖緊。
28、可選的，所述第一固定座朝向所述圓心的側(cè)面位于所述第一支撐部以上的部分為第一斜面，以使所述第一尺寸的晶圓偏位時從所述第一斜面滑至所述第一支撐部上；和/或，
29、所述第二固定座朝向所述圓心的側(cè)面位于所述第二支撐部以上的部分為第二斜面，以使所述第二尺寸的晶圓偏位時從所述第二斜面滑至所述第二支撐部上；和/或，
30、所述第三固定座朝向所述圓心的側(cè)面位于所述第三支撐部以上的部分為第三斜面，以使所述第三尺寸的晶圓偏位時從所述第三斜面滑至所述第三支撐部上。
31、第二方面，本申請實施例提供一種偽片腔室，包括腔室本體，以及如上各實施例所述的晶圓載臺；
32、所述晶圓載臺設(shè)置于所述腔室本體內(nèi)。
33、第三方面，本申請實施例提供一種半導體工藝設(shè)備，包括傳輸平臺、至少一個工藝腔室，以及如上各實施例所述的偽片腔室；
34、所述至少一個工藝腔室以及所述偽片腔室分布在所述傳輸平臺的周圍，所述傳輸平臺用于在進行金屬顆粒清洗時，將所述偽片腔室中的測試晶圓傳輸至所述工藝腔室。
35、本申請的晶圓載臺包括第一固定座和第二固定座，第二固定座相對于第一固定座轉(zhuǎn)動至第一目標位置，對應(yīng)于第二固定座處于回收狀態(tài)，第一固定座的第一支撐部用于承載第一尺寸的晶圓；第二固定座相對于第一固定座轉(zhuǎn)動至第二目標位置，對應(yīng)于第二固定座處于展開狀態(tài)，第二固定座的第二支撐部用于承載第二尺寸的晶圓，即本實施例的晶圓載臺可以適用兩種本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.一種晶圓載臺，其特征在于，包括至少兩個環(huán)繞預設(shè)圓設(shè)置的承載機構(gòu)，用于從晶圓的邊緣對所述晶圓形成支撐；以所述預設(shè)圓的圓心為參考，每個所述承載機構(gòu)包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載臺，其特征在于，所述第一支撐部凸設(shè)于所述第一固定座靠近所述圓心的一端的側(cè)面；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓載臺，其特征在于，所述第一固定座朝向所述圓心的側(cè)面設(shè)有第一收納槽，當所述第二固定座轉(zhuǎn)動至所述第一目標位置時收納于所述第一收納槽中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓載臺，其特征在于，所述第一固定座包括構(gòu)成所述第一收納槽的槽底的第一側(cè)壁、連接于所述第一側(cè)壁的相對兩邊的第二側(cè)壁和第三側(cè)壁，以及從底部連接所述第一側(cè)壁、所述第二側(cè)壁和所述第三側(cè)壁的底壁；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓載臺，其特征在于，所述承載機構(gòu)還包括第一鎖止件；所述第二側(cè)壁和/或所述第三側(cè)壁上還設(shè)置有第一鎖止孔，當所述第二固定座轉(zhuǎn)動至所述第二目標位置時，所述第一鎖止件配合至所述第一鎖止孔中將所述第二固定座鎖緊；和/或，
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓載臺，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓載臺，其特征在于，所述第二支撐部凸設(shè)于所述第二固定座靠近所述圓心的一端的側(cè)面；
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓載臺，其特征在于，所述第二固定座的頂面設(shè)有第二收納槽；
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓載臺，其特征在于，所述第三固定座遠離所述圓心的一端的底部設(shè)置有凹槽；
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓載臺，其特征在于，所述第二固定座上還設(shè)置有貫穿所述第二收納槽側(cè)壁的第三鎖止孔；
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓載臺，其特征在于，所述第一固定座朝向所述圓心的側(cè)面位于所述第一支撐部以上的部分為第一斜面，以使所述第一尺寸的晶圓偏位時從所述第一斜面滑至所述第一支撐部上；和/或，
13.一種偽片腔室，其特征在于，包括腔室本體，以及權(quán)利要求1-12任一項所述的晶圓載臺；
14.一種半導體工藝設(shè)備，其特征在于，包括傳輸平臺、至少一個工藝腔室，以及權(quán)利要求13所述的偽片腔室；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種晶圓載臺，其特征在于，包括至少兩個環(huán)繞預設(shè)圓設(shè)置的承載機構(gòu)，用于從晶圓的邊緣對所述晶圓形成支撐；以所述預設(shè)圓的圓心為參考，每個所述承載機構(gòu)包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載臺，其特征在于，所述第一支撐部凸設(shè)于所述第一固定座靠近所述圓心的一端的側(cè)面；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓載臺，其特征在于，所述第一固定座朝向所述圓心的側(cè)面設(shè)有第一收納槽，當所述第二固定座轉(zhuǎn)動至所述第一目標位置時收納于所述第一收納槽中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓載臺，其特征在于，所述第一固定座包括構(gòu)成所述第一收納槽的槽底的第一側(cè)壁、連接于所述第一側(cè)壁的相對兩邊的第二側(cè)壁和第三側(cè)壁，以及從底部連接所述第一側(cè)壁、所述第二側(cè)壁和所述第三側(cè)壁的底壁；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓載臺，其特征在于，所述承載機構(gòu)還包括第一鎖止件；所述第二側(cè)壁和/或所述第三側(cè)壁上還設(shè)置有第一鎖止孔，當所述第二固定座轉(zhuǎn)動至所述第二目標位置時，所述第一鎖止件配合至所述第一鎖止孔中將所述第二固定座鎖緊；和/或，
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓載臺，其特...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王禮，王任亮，王亞宇，
申請(專利權(quán))人：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司，
類型：新型
國別省市：
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