【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)一般地涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地涉及使用光燒結(jié)在兩步過程中形成電磁干擾(emi)屏蔽材料的半導(dǎo)體器件和方法。
技術(shù)介紹
1、半導(dǎo)體器件通常在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中找到。半導(dǎo)體器件執(zhí)行各種各樣的功能，例如信號處理、高速計(jì)算、發(fā)射和接收電磁信號、控制電子器件、光電以及為電視顯示器創(chuàng)建視覺圖像。半導(dǎo)體器件在通信、功率轉(zhuǎn)換、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算機(jī)、娛樂和消費(fèi)產(chǎn)品的領(lǐng)域中找到。半導(dǎo)體器件還在軍事應(yīng)用、航空、汽車、工業(yè)控制器和辦公設(shè)備中找到。
2、半導(dǎo)體器件，特別是在高頻應(yīng)用(例如射頻(rf)無線通信)中通常包含一個(gè)或多個(gè)集成無源器件(ipd)以執(zhí)行必要的電氣功能。多個(gè)半導(dǎo)體管芯和ipd可以集成到sip模塊中，以用于小空間中的更高密度和擴(kuò)展的電氣功能。在sip模塊內(nèi)，半導(dǎo)體管芯和ipd設(shè)置在襯底上用于結(jié)構(gòu)支撐和電互連。密封劑沉積在半導(dǎo)體管芯、ipds和襯底上。電連接器設(shè)置在襯底上，用于電部件和外部器件之間的電通信。sip模塊是部分模制的，因?yàn)槊芊鈩┎⒉谎由斓诫娺B接器。電連接器在襯底上是獨(dú)立的。
3、sip模塊包括高速數(shù)字和rf電部件，對小尺寸和低高度來高度集成，并以高時(shí)鐘頻率工作。電磁屏蔽材料通常共形地應(yīng)用在密封劑上。電磁屏蔽層減少或抑制emi、rfi和其他器件間干擾(例如由高速數(shù)字器件輻射的干擾)影響sip模塊內(nèi)或附近的相鄰器件。
4、然而，重要的是電連接器被保持沒有寄生屏蔽材料以避免故障。需要具有高精度的選擇性emi屏蔽，例如頂蓋(cap)或噴涂。然而，噴涂可降低生產(chǎn)率，因?yàn)槊啃r(shí)單位(uph)降低。在使用
5、此外，對于部分模制的器件，emi屏蔽材料的共形應(yīng)用難以控制，特別是關(guān)于獨(dú)立的電連接器。共形屏蔽材料可以容易地侵入電連接器周圍的空間，并滲入到連接器的觸點(diǎn)中，從而在試圖與連接器配合時(shí)造成電短路或不連續(xù)。已經(jīng)進(jìn)行嘗試來在形成屏蔽材料的同時(shí)遮蔽或用膠帶粘貼隔離(tape?off)電連接器。在一些應(yīng)用中，在緊密的部件間距的情況下，掩模和膠帶難以可靠地隔離電連接器，并且潛在地可能損壞電連接器。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在襯底上設(shè)置電部件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在與所述襯底的第一表面相對的所述襯底的第二表面上形成天線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一屏蔽材料覆蓋所述密封劑的所述部分和所述襯底的一部分，同時(shí)保持與所述電連接器的分開。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在將光源指向第一屏蔽材料之前，在第一屏蔽材料上設(shè)置材料。
6.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括:
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在與所述襯底的第一表面相對的所述襯底的第二表面上形成天線。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一屏蔽材料覆蓋所述襯底的所述部分，而沒有用所述第一屏蔽材料覆蓋所述電連接器，并且所述第二屏蔽材料與所述第一屏蔽材料重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在將光源指向第一屏蔽材料之前，在第一屏蔽材料上設(shè)置材料。
11.一種半導(dǎo)體器件，包括
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在襯底上的天線。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二屏蔽材料與所述第一屏蔽材料重疊。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一屏蔽材料覆蓋所述襯底的所述部分，而沒有用所述第一屏蔽材料覆蓋所述電連接器。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在襯底上設(shè)置電部件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在與所述襯底的第一表面相對的所述襯底的第二表面上形成天線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一屏蔽材料覆蓋所述密封劑的所述部分和所述襯底的一部分，同時(shí)保持與所述電連接器的分開。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在將光源指向第一屏蔽材料之前，在第一屏蔽材料上設(shè)置材料。
6.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括:
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在與所述襯底的第一表面相對的所述襯底的第二表面上形成天線。
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李承炫，李喜秀，申容武，金昌伍，
申請(專利權(quán))人：JCET星科金朋韓國有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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