【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及晶片加工設(shè)備，特別涉及一種清洗設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、近年來，伴隨著我國科技發(fā)展加速革新，半導(dǎo)體新材料實(shí)現(xiàn)了快速崛起，性能良好的電子器件需要表面無劃痕和損傷的晶圓襯底。
2、為了提升晶片的加工質(zhì)量，通過合理的工藝參數(shù)、適配的研磨液和研磨墊對物體表面進(jìn)行磨削和拋光，使得物體表面在粗糙度、光澤度、平整度等方面達(dá)到高精度的要求。
3、在晶片加工過程中，除了去除自身的損傷外，不引入外界顆粒和臟污導(dǎo)致新增劃痕也是其中重要的一個環(huán)節(jié)，因此，需要對晶片加工設(shè)備在完成加工后需要進(jìn)行徹底的清洗，避免殘留拋光液顆粒、清洗劑和環(huán)境中的臟污。
4、目前，晶片加工設(shè)備的清洗仍以人工配液和手動操作為主，該方法增加人力成本，效率低，通過肉眼判斷晶片加工設(shè)備的機(jī)臺清洗狀況，極易造成清洗不徹底，導(dǎo)致產(chǎn)品加工不良。
5、因此，如何降低人力成本，提高清洗效率及清洗效果，是本
人員亟待解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本技術(shù)提供了一種清洗設(shè)備，以降低人力成本，提高清洗效率及清洗效果。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提供如下技術(shù)方案：
3、一種清洗設(shè)備，包括：
4、水箱，用于承裝稀釋液；
5、清洗原料儲存?zhèn)}，用于承裝清洗原料；
6、供液倉，所述供液倉具有能夠?qū)⑺鱿♂屢杭八銮逑丛匣旌闲纬汕逑匆旱幕旌锨唬龌旌锨痪哂心軌蚺c所述水箱的輸出端及所述清洗原料儲存?zhèn)}的輸出端連接的進(jìn)料口；
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8、濃度監(jiān)測器，所述濃度監(jiān)測器能夠監(jiān)測由所述供液循環(huán)系統(tǒng)的液體輸出端排出的所述清洗液的特定參數(shù)。
9、可選地，上述清洗設(shè)備中，所述水箱的輸出端與所述進(jìn)料口之間通過第一供料流路連通，所述第一供料流路連通具有第一控制開關(guān)；
10、所述清洗原料儲存?zhèn)}的輸出端與所述進(jìn)料口之間通過第二供料流路連通，所述第二供料流路連通具有第二控制開關(guān)；
11、所述清洗設(shè)備的控制系統(tǒng)與所述第一控制開關(guān)及所述第二控制開關(guān)信號連接且能夠控制所述第一控制開關(guān)及所述第二控制開關(guān)的開關(guān)。
12、可選地，上述清洗設(shè)備中，所述供液倉還包括能夠檢測所述混合腔內(nèi)液位的液位感應(yīng)器；
13、所述液位感應(yīng)器與所述控制系統(tǒng)信號連接，所述控制系統(tǒng)能夠依據(jù)所述液位感應(yīng)器的反饋信號控制所述第一控制開關(guān)及所述第二控制開關(guān)的開關(guān)。
14、可選地，上述清洗設(shè)備中，所述液位感應(yīng)器包括：
15、高液位感應(yīng)器，所述控制系統(tǒng)能夠根據(jù)所述高液位感應(yīng)器的反饋信號控制所述第一控制開關(guān)及所述第二控制開關(guān)的關(guān)閉；所述高液位感應(yīng)器位于所述供液倉的第一位置；
16、低液位感應(yīng)器，所述控制系統(tǒng)能夠根據(jù)所述低液位感應(yīng)器的反饋信號控制所述第一控制開關(guān)及所述第二控制開關(guān)的開啟；所述低液位感應(yīng)器位于所述供液倉的第二位置，所述第一位置高于所述第二位置。
17、可選地，上述清洗設(shè)備中，所述清洗設(shè)備的控制系統(tǒng)與所述濃度監(jiān)測器信號連接，所述控制系統(tǒng)能夠依據(jù)所述濃度監(jiān)測器的反饋信號控制所述第一控制開關(guān)及所述第二控制開關(guān)的開關(guān)。
18、可選地，上述清洗設(shè)備中，所述供液倉具有能夠控制所述供液倉的排液口開啟及關(guān)閉的第一排液控制開關(guān)；
19、所述清洗設(shè)備的控制系統(tǒng)與所述第一排液控制開關(guān)信號連接且能夠控制所述第一排液控制開關(guān)的開關(guān)。
20、可選地，上述清洗設(shè)備中，所述清洗設(shè)備的控制系統(tǒng)能夠與所述供液循環(huán)系統(tǒng)信號連接且并控制所述供液循環(huán)系統(tǒng)的啟動與停止。
21、可選地，上述清洗設(shè)備中，所述加工位設(shè)置有能夠控制所述供液循環(huán)系統(tǒng)的液體輸出端開啟及關(guān)閉的第二排液控制開關(guān)；
22、所述清洗設(shè)備的控制系統(tǒng)與所述第二排液控制開關(guān)信號連接且能夠控制所述第二排液控制開關(guān)的開關(guān)。
23、可選地，上述清洗設(shè)備中，還包括數(shù)據(jù)處理器；
24、所述清洗設(shè)備的控制系統(tǒng)與所述數(shù)據(jù)處理器信號連接。
25、可選地，上述清洗設(shè)備中，所述供液倉還具有設(shè)置于所述混合腔內(nèi)的攪拌器。
26、可選地，上述清洗設(shè)備中，所述清洗原料儲存?zhèn)}的數(shù)量為至少兩個，不同所述洗原料儲存?zhèn)}能夠承載不同類型的清洗原料。
27、從上述的技術(shù)方案可以看出，本技術(shù)提供的清洗設(shè)備，能夠在混合腔中完成配液，晶片加工設(shè)備能夠與混合腔形成供液循環(huán)系統(tǒng)，使得清洗液能夠在晶片加工設(shè)備與混合腔形成供液循環(huán)系統(tǒng)中循環(huán)流動，實(shí)現(xiàn)清洗操作，避免了人工手動操作，有效提高了清洗效率；并且，依據(jù)濃度監(jiān)測器監(jiān)測清潔結(jié)果，與肉眼判斷相比，能夠有效提高清洗效果。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種清洗設(shè)備，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的清洗設(shè)備，其特征在于，所述水箱(1)的輸出端與所述進(jìn)料口之間通過第一供料流路連通，所述第一供料流路連通具有第一控制開關(guān)；
3.如權(quán)利要求2所述的清洗設(shè)備，其特征在于，所述供液倉(3)還包括能夠檢測所述混合腔內(nèi)液位的液位感應(yīng)器(4)；
4.如權(quán)利要求3所述的清洗設(shè)備，其特征在于，所述液位感應(yīng)器(4)包括：
5.如權(quán)利要求2所述的清洗設(shè)備，其特征在于，所述清洗設(shè)備的控制系統(tǒng)(6)與所述濃度監(jiān)測器(7)信號連接，所述控制系統(tǒng)(6)能夠依據(jù)所述濃度監(jiān)測器(7)的反饋信號控制所述第一控制開關(guān)及所述第二控制開關(guān)的開關(guān)。
6.如權(quán)利要求1所述的清洗設(shè)備，其特征在于，所述供液倉(3)具有能夠控制所述供液倉(3)的排液口開啟及關(guān)閉的第一排液控制開關(guān)；
7.如權(quán)利要求1所述的清洗設(shè)備，其特征在于，所述清洗設(shè)備的控制系統(tǒng)(6)能夠與所述供液循環(huán)系統(tǒng)信號連接且并控制所述供液循環(huán)系統(tǒng)的啟動與停止。
8.如權(quán)利要求1所述的清洗設(shè)備，其特征在于，所述加工位(5)設(shè)置有
9.如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的清洗設(shè)備，其特征在于，還包括數(shù)據(jù)處理器(8)；
10.如權(quán)利要求1所述的清洗設(shè)備，其特征在于，所述供液倉(3)還具有設(shè)置于所述混合腔內(nèi)的攪拌器；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種清洗設(shè)備，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的清洗設(shè)備，其特征在于，所述水箱(1)的輸出端與所述進(jìn)料口之間通過第一供料流路連通，所述第一供料流路連通具有第一控制開關(guān)；
3.如權(quán)利要求2所述的清洗設(shè)備，其特征在于，所述供液倉(3)還包括能夠檢測所述混合腔內(nèi)液位的液位感應(yīng)器(4)；
4.如權(quán)利要求3所述的清洗設(shè)備，其特征在于，所述液位感應(yīng)器(4)包括：
5.如權(quán)利要求2所述的清洗設(shè)備，其特征在于，所述清洗設(shè)備的控制系統(tǒng)(6)與所述濃度監(jiān)測器(7)信號連接，所述控制系統(tǒng)(6)能夠依據(jù)所述濃度監(jiān)測器(7)的反饋信號控制所述第一控制開關(guān)及所述第二控制開關(guān)的開關(guān)。
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙姣，楊建，彭同華，王波，張平，鄒宇，婁艷芳，楊占偉，張大慶，張雨晨，
申請(專利權(quán))人：江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司，
類型：新型
國別省市：
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