【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及微影制程領域，特別涉及一種用于檢測微影制程偏移量的電學測試結構。
技術介紹
1、現有技術中，一般的接觸窗疊層試結構為串聯導通電路，只有在微影制程產生嚴重偏移時，電性測量結果才有明顯表征，電性結果體現為電阻由小變大的漸變過程。當出現異常時，結果表征不明顯。
2、現行結構為m1+v1+m2+v2+m3+…，初始狀態為通路，現行的測量結構在金屬層或者通孔層偏移量不大的情況下，整個結構的阻值變化較小，只有當金屬層或者通孔層微影制程發生嚴重偏移的時候才能從電性上偵測出明顯異常，即從通路變為斷路或類似斷路的情況。由于阻值變化較小，所以現行結構存在的主要問題是檢測的靈敏度不高。
3、因此如何使電性測量結果有明顯表征，即提升檢測的靈敏度就成為了急需解決的問題。
技術實現思路
1、為了解決現有的技術問題，本專利技術提出了一種用于檢測微影制程偏移量的電學測試結構，本申請前后層結構默認為斷路狀態，當某層接觸窗微影制程偏移時，電路從斷路變為短路，從而使電性測量結果發生劇烈的變化。區別于常規的接觸窗疊層電學測試結構，此結構可以更加靈敏地檢測接觸窗微影制程是否偏移及確定偏移量的大小。
2、根據本專利技術的一個方面，提供一種用于檢測微影制程偏移量的電學測試結構，其包括：所述電學測試結構初始為斷路，當第一通孔層微影狀態正常時，該電學測試結構測量出的電流為i1；當第一通孔層微影發生偏移時，該電學測試結構第一金屬層/第一通孔層橋接，測量出的電流為不同于i1的i2。p>
3、根據本專利技術的一個實施例，所述i2＞i1。
4、根據本專利技術的一個實施例，改變第一通孔層與第一金屬層之間的距離可以改變測試靈敏度。
5、根據本專利技術的一個實施例，所述電學測試結構可檢測大于0的尺寸偏移。
6、根據本專利技術的一個實施例，金屬層最小尺寸為0.15um，過孔層最小尺寸為0.2um。
7、根據本專利技術的一個實施例，所述電學測試結構包括第一金屬層+第一通孔層+第二金屬層+第二通孔層+…+第n通孔層+第n金屬層，其中n為大于1的正整數且第n通孔層與第n金屬層和第n+1金屬層兩兩垂直，初始狀態下，第一金屬層與第一通孔層為不連通結構，即為斷路。
8、由于采用以上技術方案，本專利技術與現有技術相比具有如下優點：可以更加靈敏地檢測接觸窗微影制程是否偏移及確定偏移量的大小。其前后層結構默認為斷路狀態，當某層接觸窗微影制程偏移時，電路從斷路變為短路，從而使電性測量結果發生劇烈的變化。
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1.一種用于檢測微影制程偏移量的電學測試結構，其特征在于，所述電學測試結構初始為斷路，當第一通孔層微影狀態正常時，該電學測試結構測量出的電流為I1；當第一通孔層微影發生偏移時，該電學測試結構第一金屬層/第一通孔層橋接，測量出的電流為不同于I1的I2。
2.根據權利要求1所述的用于檢測微影制程偏移量的電學測試結構，其特征在于，所述I2＞I1。
3.根據權利要求2所述的用于檢測微影制程偏移量的電學測試結構，其特征在于，改變第一通孔層與第一金屬層之間的距離可以改變測試靈敏度。
4.根據權利要求1所述的用于檢測微影制程偏移量的電學測試結構，其特征在于，所述電學測試結構可檢測大于0的尺寸偏移。
5.根據權利要求1所述的用于檢測微影制程偏移量的電學測試結構，其特征在于，金屬層最小尺寸為0.15um，所述通孔層最小尺寸為0.2um。
6.根據權利要求1所述的用于檢測微影制程偏移量的電學測試結構，其特征在于，所述電學測試結構包括第一金屬層+第一通孔層+第二金屬層+第二通孔層+…+第n通孔層+第n金屬層，其中n為大于1的正整數且第n通孔層
...【技術特征摘要】
1.一種用于檢測微影制程偏移量的電學測試結構，其特征在于，所述電學測試結構初始為斷路，當第一通孔層微影狀態正常時，該電學測試結構測量出的電流為i1；當第一通孔層微影發生偏移時，該電學測試結構第一金屬層/第一通孔層橋接，測量出的電流為不同于i1的i2。
2.根據權利要求1所述的用于檢測微影制程偏移量的電學測試結構，其特征在于，所述i2＞i1。
3.根據權利要求2所述的用于檢測微影制程偏移量的電學測試結構，其特征在于，改變第一通孔層與第一金屬層之間的距離可以改變測試靈敏度。
4.根據權利要求1所述的用于檢測微...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳全寶，
申請(專利權)人：和艦芯片制造蘇州股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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